最新FET場效電晶體規格表 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:全華

作者:高敏雄

出品人:

页数:0

译者:

出版时间:20000701

价格:NT$ 340

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isbn号码:9789572129036

丛书系列:

图书标签:

• FET
• 场效应管
• MOSFET
• 规格书
• 电子元件
• 半导体
• 器件
• 电路
• 电子工程
• 技术手册

探索半导体世界的基石：深入理解与应用FET场效电晶体 在现代电子设备无处不在的时代，高性能、低功耗的半导体元件扮演着至关重要的角色。其中，场效电晶体（Field-Effect Transistor，简称FET）以其独特的电压控制特性、高输入阻抗以及出色的开关速度，成为了电子电路设计中不可或缺的“明星”。无论是精密测量仪表、高性能放大器，还是节能型电源管理，亦或是复杂的数字逻辑电路，FET的身影无处不在。 本书旨在为广大电子工程师、技术爱好者以及相关专业的学生，提供一个全面、深入且实用的FET场效电晶体知识体系。我们不局限于市面上常见的FET型号规格的简单罗列，而是着力于剖析FET的设计原理、工作特性、关键参数以及在实际应用中的选型与优化技巧。通过对FET内部结构、载流子运动机制的深入讲解，读者将能够透彻理解MOSFET（金属氧化物半导体场效电晶体）和JFET（结型场效电晶体）等不同类型FET的核心差异，以及它们各自的优势与局限性。 本书内容精要： FET基本原理深度解析： 从半导体物理学的基础出发，详细阐述FET的工作原理，包括栅极电压如何控制沟道中的载流子密度，进而改变漏极电流。我们将深入探讨MOSFET的四种工作模式（截止区、线性区、饱和区、夹断区）以及JFET的夹断和饱和特性，并通过清晰的图示和数学模型来强化理解。 关键参数详解与意义： 针对FET的各项重要参数，如阈值电压（$V_{th}$）、跨导（$g_m$）、漏极电阻（$R_{DS(on)}$）、漏源击穿电压（$V_{DS(max)}$）、栅源漏电流（$I_{GSS}$）、输入电容（$C_{iss}$）、输出电容（$C_{oss}$）等，我们将进行详尽的解释，并阐述它们在电路设计中的具体影响。了解这些参数的物理意义，是准确选择和优化FET应用的关键。 不同类型FET的特性与应用场景： MOSFET系列： 重点讲解P沟道和N沟道MOSFET，以及增强型和耗尽型MOSFET的差异。深入探讨不同工艺（如CMOS、LDMOS）下MOSFET的特性，以及它们在数字逻辑、功率开关、模拟放大等领域广泛的应用。 JFET系列： 介绍N沟道和P沟道JFET，以及它们作为恒流源、低噪声放大器前端的独特优势。分析JFET的栅源漏电流特性，以及在高频和高阻抗电路中的应用潜力。 其他特殊FET： 简要介绍IGBT（绝缘栅双极性电晶体）、MESFET（金属-半导体场效电晶体）等，并探讨它们的独特应用领域。 FET在典型电路中的设计与分析： 放大电路： 讲解FET作为放大器（共源、共栅、共漏/源极跟随器）的偏置方法、增益计算、输入输出阻抗分析以及频率响应。 开关电路： 阐述FET作为电子开关在数字逻辑门、电源转换器、LED驱动等电路中的工作原理，包括导通损耗、开关损耗的计算和优化。 功率应用： 深入分析FET在DC-DC转换器、AC-DC转换器、电机驱动等功率电子领域的设计考量，如散热、体二极管、驱动电路等。 高频与射频应用： 探讨FET在高频放大器、混频器、振荡器中的应用，以及寄生参数对高频性能的影响。 FET的选型指南与案例分析： 提供一套实用的FET选型流程，指导读者如何根据应用需求（如工作电压、电流、开关速度、功耗、成本等）来选择最合适的FET型号。通过具体的电路设计案例，展示如何运用所学知识解决实际问题。 先进FET技术与未来发展趋势： 关注新兴的FET技术，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）FET在宽禁带半导体领域的应用，以及它们在电动汽车、高效电源等领域的巨大潜力。 本书的编写旨在提供一种“授人以渔”的学习方法。我们不希望读者仅仅停留在记忆规格的层面，而是鼓励通过理解其内在机理来掌握FET的精髓。大量的图示、实例和细致的推导，将帮助您建立起对FET的直观认识，并能够自信地将其应用于各类创新性电子产品的设计中。无论您是刚刚踏入电子设计领域的新手，还是寻求深化理解的资深工程师，本书都将是您不可或缺的得力助手。

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阅读这本书的过程，更像是一次对当前半导体制造工艺进步的集中学习。每一个表格、每一个参数集的背后，都凝结着晶圆厂和封装厂无数次的工艺优化。我注意到，书中对一些新型器件，比如氮化镓（GaN）或碳化硅（SiC）FET的特性描述尤为详尽，它们在开关速度和导通损耗方面的优异表现，都有清晰的数据佐证。这对于我们转向高效率电源和电动汽车应用领域至关重要。与之前我依赖的几本较老的专业书籍相比，这本书的优势在于其“鲜活度”——它似乎是在最新的行业动态发布后不久就被整理出来的。这种时间上的同步性，使得我们能够及时将最新的技术优势融入到正在进行的项目中，保持设计的技术前沿性。

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说实话，当我刚拿到这本手册时，我有点怀疑它的实用价值。毕竟，电子技术日新月异，纸质书的更新速度往往跟不上芯片迭代的速度。但这本书让我大跌眼镜。它显然不仅仅是一个简单的参数罗列，它更像是一份高度浓缩的行业现状报告。比如，它对那些采用新型沟道材料或先进封装技术的FET的介绍，非常深入且准确。我记得有一次，我正在为一个高频射频前端设计头疼，需要找到一个在特定频率下具有极低噪声系数的器件。翻阅这本书，我惊喜地发现，其中一个章节专门针对这类“小信号”应用做了详细的参数聚焦，甚至给出了不同工作温度下的性能漂移预估，这是很多在线数据库里不容易直接获取的定性分析。这种对细节的把握和对应用场景的考量，让它从一本简单的参考书，跃升为一份专业级的参考工具。书中的排版设计也值得称赞，字体清晰，图表简洁明了，即便是光线不佳的工作台环境下阅读，也不会感到吃力。

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作为一个对电路布局和热管理有较高要求的硬件设计师，我关注的重点往往在于器件的物理特性和可靠性指标。这本书在这方面的深度，完全满足了我对“最新”二字的期望。它没有回避那些容易被忽视的参数，比如RDS(on)随温度的变化曲线、抗静电放电（ESD）能力等级，甚至是一些更高级别的闩锁（Latch-up）保护阈值。这些信息对于确保最终产品的长期稳定运行至关重要，但在快速选型阶段，它们常常被忽略。我个人认为，编写者对实际工程问题的理解非常深刻，他们知道工程师在测试台后面真正需要的数据是什么，而不是仅仅罗列出数据手册中的基础参数。这使得这本书成为了一个非常可靠的“第二意见”来源，在我的设计决策过程中，它提供的多维度数据分析，有效帮助我规避了潜在的可靠性风险。

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这本书的价值，已经超越了单纯的“规格表”范畴，它更像是一部浓缩的半导体应用工程词典。我尤其喜欢它对不同工艺节点器件特性的横向对比分析，这使得即便是初级工程师，也能通过对比，快速理解为什么某款旧型号会被新的、更优化的结构所取代。它不是那种读完一遍就束之高阁的书籍，而是那种需要时常翻阅、用以核对、参考和学习的案头必备之物。我将它放在我的工作台最容易拿到的地方，因为它提供的不仅仅是数据，更是一种对当前技术标准的快速校准能力。对我而言，这本书极大地提升了我在器件选型时的决策质量和效率，它无疑是近期内电子工程领域最值得投资的参考资料之一。

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这本手册，坦白说，是我职业生涯中遇到过最让人眼前一亮的资料之一。从我接触电子工程开始，就一直在跟各种半导体器件打交道，尤其是场效应晶体（FET），它们是现代电子设备的心脏。过去，要查找最新的器件参数，常常需要在我那堆积如山的PDF文件和不同厂商的网站间来回切换，效率低得惊人。但这本书的出现，简直是为我们这些一线工程师打开了一扇窗。它没有那些冗长枯燥的理论介绍，而是直奔主题——海量的、结构化的规格数据。你随便翻开一页，就能看到从沟道长度、阈值电压（Vth）到跨导（gm）以及击穿电压（Vds）等关键指标的清晰对比。更棒的是，它似乎涵盖了当前市场上主流乃至一些新兴的功率FET、低噪声FET的最新型号，这对于我们进行产品迭代和选型优化时，提供了极大的便利。我特别欣赏它在信息呈现上的逻辑性，不同类别的FET被归类得井井有条，就像一个精心布置的兵器库，你需要什么“武器”，立刻就能找到对应的性能数据，这大大缩短了我的设计周期。

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