具体描述
本书以PWM变频调速技术为核心，展开讨论了PWM变频原理、PWM模式及其优化、无刷直流电动机调速控制、IGBT功率器件及其应用、变频器的控制功能、变频器输入输出电流波形特征、能量再生与制动问题、高压大容量逆变器、电压型PWM整流器、有源电力滤波器、单相PFC电力变换、三相软开关电力变换。理论联系实际，内容新颖。
本书非常适合于从事电气自动化、电力电子与电力传动专业的工程技术人员、研究人员、大专院校教师、研究生及高年级本科生作为教材或参考书。
现代集成电路设计与制造工艺 图书简介 本书系统地梳理了现代集成电路（IC）从概念设计到最终制造的全流程技术，旨在为电子工程、微电子学专业的学生、工程师以及相关领域的研究人员提供一本全面而深入的参考指南。随着信息技术、人工智能和物联网的飞速发展，对高性能、低功耗IC的需求日益迫切，理解其背后的复杂设计流程和尖端制造工艺已成为现代工程教育和产业实践的核心要求。 第一部分：集成电路设计基础与前端流程 本部分内容聚焦于集成电路的系统级思考、架构定义以及逻辑实现。我们将从半导体物理基础出发，简要回顾MOSFET的工作原理及其关键参数对电路性能的影响。随后，深入探讨数字集成电路设计的基石——CMOS逻辑设计，详细分析各种基本逻辑门的延迟、功耗特性，并介绍标准单元库的构建与使用。 核心内容涵盖硬件描述语言（HDL），重点介绍Verilog和VHDL在系统建模、寄存器传输级（RTL）描述中的应用。随后，我们将详细阐述综合（Synthesis）技术，包括逻辑综合的优化目标（面积、速度、功耗）及其背后的算法原理，例如可重构逻辑阵列（FPGA）的映射技术。 在设计流程方面，本书详尽解析了形式化验证（Formal Verification）的方法，如等价性检查（Equivalence Checking）和属性规范检验（Model Checking），确保设计逻辑的正确性，这在安全关键系统中至关重要。同时，对静态时序分析（Static Timing Analysis, STA）进行了深入探讨，解释了建立时间（Setup Time）和保持时间（Hold Time）的约束，以及如何通过跨时钟域（CDC）处理和时钟树综合（CTS）来满足严格的时序要求。 第二部分：后端实现与物理设计 本部分转向将RTL代码转化为实际芯片版图（Layout）的物理实现过程。这部分内容对于理解芯片制造的可行性和最终性能至关重要。 我们首先介绍布局规划（Floorplanning），包括电源网络的合理分配、宏单元的放置策略以及I/O接口的初步规划。随后是标准单元布局（Placement），探讨如何使用先进的算法最小化布线拥塞和信号延迟。 布线（Routing）是物理设计的核心环节之一。本书详细描述了全局布线、详细布线以及过孔（Via）的优化策略，并分析了不同金属层之间的电容耦合效应。特别地，我们引入了寄生参数提取（Extraction）的概念，解释了如何从物理结构中准确计算出电阻、电容和电感，为后续的精确仿真提供数据支持。 此外，针对先进工艺节点下面临的设计收敛挑战，本书专门开辟章节讨论了版图后仿真（Post-Layout Simulation），包括延迟仿真和功耗分析（如动态功耗和静态漏电）。对版图验证（Verification）工具的使用进行了详尽指导，如设计规则检查（DRC）、版图与原理图的对比检查（LVS）以及电迁移（IR Drop）分析。 第三部分：半导体器件与先进制造工艺 本部分将视角拉回到硅片层面，深入剖析制造现代IC所依赖的半导体工艺技术。 从晶圆制备开始，介绍硅单晶的生长、拉制以及切割技术。随后，重点阐述薄膜沉积技术，包括化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）在介质层和金属层形成中的作用。 光刻（Lithography）是决定芯片特征尺寸的关键技术。本书详述了深紫外光（DUV）光刻的原理，并对极紫外光（EUV）光刻技术的原理、套刻精度（Overlay）挑战及掩模版（Mask）的制造工艺进行了前沿介绍。 刻蚀（Etching）工艺，特别是干法刻蚀（如RIE），在图形转移中的精确控制机制被详细分析。接着，本书探讨了掺杂技术，如离子注入的能量控制和退火过程对器件电学性能的影响。 最后，针对当前先进工艺节点的挑战，我们深入分析了应变硅（Strained Silicon）、高介电常数/金属栅极（High-k/Metal Gate）技术，以及鳍式场效应晶体管（FinFET）的结构特点和工艺实现难点，为读者理解下一代晶体管结构奠定了坚实的工艺基础。 本书内容组织严谨，逻辑清晰，图文并茂，旨在提供一个从系统级抽象到硅片级细节的完整知识体系，是电子设计和半导体制造领域不可或缺的专业读物。
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