模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模

模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:科学出版社
作者:格宾斯基
出品人:
页数:293
译者:
出版时间:2007-1
价格:45.00元
装帧:
isbn号码:9787030182418
丛书系列:
图书标签:
  • 模拟集成电路
  • 射频集成电路
  • 晶体管建模
  • 电路设计
  • 集成电路
  • 射频电路
  • 模拟电路
  • 电子工程
  • 半导体
  • 建模仿真
想要找书就要到 图书目录大全
立刻按 ctrl+D收藏本页
你会得到大惊喜!!

具体描述

《模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模(影印版)》作者对于MOS 晶体管模型有很深刻的理解。第一章涉及2/3D工艺和器件仿真,以此作为理解半导体结构内部行为的有力工具。在接下来的章节中,作者详细讨论了PSP 和EKV模型的主流发展,比较了基于物理的MOSFET模型和通常用于射频电路的基于测量的模型,这些比较包括相关的经验模型和测量模型。在后续的章节中,作者讨论了小尺寸MOSFET器件的改善方法。最后,介绍了诸如VHDL-AMS 和 Verilog-A等硬件描述语言,说明了前述不同模型的实际可实现性及标准化。

好的,这是一份基于您提供的书名背景信息,但完全聚焦于其他主题的详细图书简介。 --- 图书简介:深度学习在自然语言处理中的前沿应用 书名:《深度学习在自然语言处理中的前沿应用:从基础架构到大规模模型部署》 本书定位: 本书旨在为对自然语言处理(NLP)领域有一定基础,并希望深入了解当前最先进的深度学习技术及其在实际应用中部署的工程师、研究人员和高级学生提供一本全面且深入的指南。它侧重于讲解超越基础循环神经网络(RNN)和标准卷积神经网络(CNN)的复杂模型架构、训练策略以及面向生产环境的优化技巧。 核心主题聚焦: 本书的讨论核心完全围绕自然语言处理技术栈的演进,特别是Transformer架构及其衍生模型(如BERT、GPT系列、T5等)的内部机制、训练方法、优化技巧,以及在资源受限环境下的部署挑战与解决方案。 --- 第一部分:现代NLP基础与Transformer的崛起 本部分首先回顾了NLP领域从统计方法到早期深度学习(如词嵌入Word2Vec、GloVe)的演变,为深入理解现代模型奠定基础。随后,我们将详细拆解Transformer架构的核心组件。 1.1 词嵌入与语义表示的深化: 我们将探讨静态词向量到上下文相关表示的转变。重点分析了ELMo等早期上下文模型的局限性,并为引入Attention机制做铺垫。 1.2 Attention机制的革命: 深入讲解Scaled Dot-Product Attention,揭示其如何解决了传统序列模型中的信息瓶颈问题。详细剖析自注意力(Self-Attention)如何在不依赖循环结构的情况下捕获长距离依赖关系。 1.3 Transformer架构的完整解构: 本书将对Encoder-Decoder堆栈进行逐层解析,包括多头注意力(Multi-Head Attention)的作用、位置编码(Positional Encoding)的必要性、以及前馈网络(Feed-Forward Network)的结构。特别关注层归一化(Layer Normalization)在稳定深层网络训练中的关键作用。 1.4 预训练范式的确立: 讨论BERT等模型如何通过掩码语言模型(MLM)和下一句预测(NSP)等自监督任务,学习到强大的通用语言理解能力。分析了双向性(Bidirectionality)在理解上下文时的优势。 --- 第二部分:前沿模型架构的细致钻研 本部分是本书的核心,专注于分析当前NLP领域最主流、性能最优越的大型语言模型(LLMs)的结构创新和训练策略。 2.1 生成模型的演化:从GPT到GPT-3/4的规模法则: 详细分析GPT系列模型的单向(Causal)解码器结构。讨论了参数量、数据规模与模型性能之间的“规模法则”(Scaling Laws)。探讨了Instruction Tuning(指令微调)和Chain-of-Thought(思维链)提示技术如何解锁LLMs的推理能力。 2.2 统一模型:Encoder-Decoder范式的复兴(T5与BART): 对比纯Encoder和纯Decoder架构的优缺点。深入研究T5(Text-to-Text Transfer Transformer)如何将所有NLP任务统一为文本到文本的框架,以及BART如何利用去噪自编码器进行高效预训练。 2.3 稀疏化与混合专家(MoE)架构: 面对万亿参数模型的计算瓶颈,本书详细介绍了Mixture-of-Experts(MoE)层如何通过条件计算(Conditional Computation)在保持模型容量的同时,大幅降低训练和推理的FLOPs。分析了路由机制(Router)的设计对模型性能的影响。 2.4 跨模态表示学习的初步探索: 简要介绍如何将Transformer架构扩展到多模态领域,例如CLIP模型中图像和文本编码器的联合训练,以及它们如何在对齐空间中表示信息。 --- 第三部分:模型微调、评估与可解释性 构建强大的预训练模型只是第一步,本部分关注如何有效地将这些模型应用于特定任务,以及如何评估其可靠性。 3.1 高效微调技术(Parameter-Efficient Fine-Tuning, PEFT): 详尽介绍在不更新全部模型参数的情况下,实现任务适应性的技术。重点讲解Adapter Tuning、Prefix Tuning,以及当前最为流行的Low-Rank Adaptation (LoRA) 算法的数学原理和实现细节,旨在大幅减少微调成本。 3.2 评估指标的局限性与鲁棒性测试: 超越传统的BLEU、ROUGE分数,本书探讨了针对生成任务更合理的评估方法,如人类评估标准、困惑度(Perplexity)的深度分析。此外,还引入了对抗性攻击(Adversarial Attacks)和分布外(Out-of-Distribution, OOD)数据测试,以评估模型的真实鲁棒性。 3.3 模型行为的可解释性(XAI in NLP): 讲解了如何通过注意力权重可视化、梯度分析(如Integrated Gradients)来理解模型在特定决策中关注的输入片段。讨论了模型内部涌现出的“功能模块”的识别方法。 --- 第四部分:大规模模型部署与工程实践 再强大的模型也需要高效的工程化部署才能产生价值。本部分聚焦于从训练完成到生产环境服务的实际挑战。 4.1 推理优化:量化、剪枝与蒸馏: 详细阐述模型压缩技术。分析了从FP32到INT8甚至二值化的量化过程,如何影响精度与速度的权衡。讲解知识蒸馏(Knowledge Distillation)如何将大型“教师模型”的知识迁移到轻量级“学生模型”上。 4.2 高效并行策略:分布式训练与推理: 深入探讨针对超大模型的并行化策略,包括数据并行、模型并行(如张量并行)和流水线并行(Pipeline Parallelism)。讲解如何使用如DeepSpeed或Megatron-LM等框架实现高效的跨节点通信和负载均衡。 4.3 服务化与延迟管理: 讨论如何使用高性能推理框架(如TensorRT、OpenVINO)进行模型优化。面对高并发请求,探讨批处理(Batching)、动态批处理以及KV Cache管理在降低推理延迟中的核心作用。 4.4 伦理、偏见与安全对齐: 本书的最后部分强调了将NLP模型投入实际应用时必须面对的社会责任问题。分析了训练数据中固有的偏见如何被模型放大,并介绍了使用基于人类反馈的强化学习(RLHF)技术进行模型安全和价值观对齐的最新进展。 --- 总结: 本书结构严谨,内容紧跟学术前沿与工业实践的最新动态,是希望全面掌握现代深度学习驱动的NLP系统构建、优化与部署的专业人士不可或缺的参考资料。它将理论深度与工程实用性完美结合,引导读者跨越基础知识,直达行业最前沿的研究与应用领域。

作者简介

目录信息

Foreword Hiroshi IwaiIntroduction Wladek Grabinski, Bart Nauwelaers and Dominique Schreurs12/3-D process and device simulation. An effective tool for better understanding of internal behaviorof semiconductor structuresDaniel Donoval, Andrej Vrbicky, Ales Chvala, and Peter Beno2PSP: An advanced surface-potential-based MOSFET modelR. van Langevelde, and G. Gildenblat3EKV3.0: An advanced charge based MOS transistor model.A design-oriented MOS transistor compact model for next generation CMOSMatthias Bucher, Antonios Bazigos, Francois Krummenacher,Jean-Micehl Sallese, and Christian Enz4Modelling using high-frequency measurementsDominique Schreurs5Empirical FET modelsIltcho Angelov6Modeling the SOI MOSFET nonlinearities.An empirical approachB. Parvais, A. Siligaris7Circuit level RF modeling and designNobuyuki Itoh8On incorporating parasitic quantum effects in classical circuit simulationsFrank Felgenhauer, Maik Begoin and Wolfgang Mathis9Compact modeling of the MOSFET in VHDL-AMSChristophe Lallement, Francois Pecheux, Alain Vachoux and Fabien Pregaldiny10Compact modeling in Verilog-ABoris Troyanovsky, Patrick O'Halloran and Marek MierzwinskiIndex
· · · · · · (收起)

读后感

评分

评分

评分

评分

评分

用户评价

评分

这本书的名字听起来就挺有分量的——《模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模》。作为一名在模拟和射频领域摸爬滚打多年的工程师,我一直对“晶体管级建模”这个概念充满好奇,总觉得那是理解电路行为最本质的层面。我一直想找一本能深入剖析晶体管内部工作原理,并且能将这些原理巧妙地应用到实际电路设计中的著作。想象一下,能够像解剖一样,一层层揭开MOSFET和BJT的神秘面纱,理解沟道长度调制、寄生效应、击穿机制等等这些在理论课本上点到为止,但在实际设计中却至关重要却又难以捉摸的细节。更重要的是,我渴望这本书能告诉我,如何将这些最底层的物理效应转化为精确的模型,从而指导我们进行高效、可靠的模拟和射频电路设计。很多时候,我们在仿真中遇到的奇怪问题,或者设计出的电路性能不稳定,归根结底都可能源于对晶体管行为的理解不够深入,或者模型本身不够精确。所以,我一直在寻找这样一本能够填补我知识空白的书,一本能让我真正掌握“内功心法”的书,而不是仅仅停留在“招式”的学习上。我希望这本书能够帮助我建立起对晶体管层面行为的深刻洞察,从而在面对复杂的模拟和射频设计挑战时,能够更加游刃有余,做出更明智的设计决策,避免走弯路。

评分

作为一名在射频IC设计领域工作多年的工程师,我深知精确的模型对于电路设计的重要性。尤其是在模拟和射频电路中,晶体管的非线性特性、寄生效应以及各种高频效应,都对电路的性能有着至关重要的影响。我一直觉得,很多时候我们遇到的设计难题,比如噪声难以抑制、互调失真过大、稳定性差等等,其根源都可能在于我们对晶体管的建模不够深入和准确。市面上很多书籍都侧重于电路层面的设计方法和技巧,但却往往忽略了对构成电路最基本单元——晶体管——的深入理解。我非常希望能够找到一本能够系统性地介绍如何从晶体管的物理结构出发,逐步建立起能够精确描述其电学行为的模型。我想要了解,如何将MOSFET和BJT的各种复杂特性,例如沟道长度调制、栅漏电容、体效应、寄生电阻电容网络等,都能够被有效地纳入到模型之中,并且能够有效地在电路仿真软件中应用。我一直在寻找这样一本能够帮助我真正“玩转”晶体管,能够让我理解为什么在某些偏置条件下电路性能会发生剧烈变化,并且能够为我提供解决这些问题的根本方法。我希望这本书能够让我从“知其然”上升到“知其所以然”,从而在设计中拥有更大的主动性和创造性,能够设计出更具竞争力的模拟和射频产品。

评分

最近我一直在研究高频电路设计,尤其是在射频前端方面。我发现,随着集成度的提高和频率的攀升,传统的电路设计方法似乎越来越难以应对。很多时候,我们在原理图上看似简单的电路,在实际流片后却表现出意想不到的性能下降,这让我开始反思,是不是我们对器件本身的理解还不够到位?这本书的题目,尤其是“晶体管级建模”这几个字,一下子就吸引了我。我一直在思考,当射频信号在微小的晶体管内部传播时,会发生哪些细微却影响巨大的变化?比如,寄生电容和电感在GHz频率下会变得多么显著?载流子的传输延迟又会如何影响信号的完整性?如果我能深入理解这些在晶体管层面发生的物理过程,并且能够将这些过程精确地量化为模型,那么我就可以在设计早期就预见到这些问题,并采取相应的对策。我希望这本书能够提供一套系统性的方法,教我如何从半导体物理的基本原理出发,建立起能够准确描述晶体管在各种工作条件下的行为的模型,并且能够将这些模型集成到EDA工具中,指导我进行高性能射频电路的设计。我想知道,这本书是否能够帮助我理解,为什么某些工艺下的器件特性会与众不同,以及如何根据这些特性来优化我的电路设计,从而实现更好的增益、噪声系数、线性度等关键指标。

评分

作为一名在模拟和射频集成电路设计领域摸索多年的工程师,我始终觉得,要设计出高性能的电路,对构成电路最基本单元——晶体管——的深刻理解是不可或缺的。我常常在想,那些隐藏在电路图符号背后的真实物理世界究竟是怎样的?当信号在晶体管内部传递时,电子和空穴是如何运动的?沟道电场的分布如何影响电流?寄生效应又会在哪些方面给电路带来意想不到的“惊喜”?我一直在寻找一本能够真正将晶体管的物理行为与电路设计紧密联系起来的书籍,它能够深入讲解各种类型的晶体管,从最基本的PN结到复杂的MOSFET,并详细阐述它们的电学特性是如何由其内部的物理机制决定的。我更期待的是,这本书能够提供一套系统的方法,教我如何将这些复杂的物理行为抽象化、模型化,并且能够指导我如何在EDA工具中应用这些模型,以实现更精确的电路仿真和性能预测。我希望能够通过这本书,建立起一种“由内而外”的设计思维,不再仅仅是被动地接受现有的模型,而是能够理解模型的来源,甚至能够根据特定的工艺和应用需求,构建出更适合的晶体管模型,从而在模拟和射频电路设计的各个方面都达到更高的水平。

评分

一直以来,我对模拟和射频集成电路设计领域中的“基础”部分都充满了浓厚的兴趣,尤其是那些决定了电路性能上限的底层物理机制。我经常会思考,当一个微小的晶体管在复杂的电路环境中工作时,它究竟是如何响应外界的信号和偏置的?那些看似微不足道的寄生效应,比如杂散电容和电感,在高频下究竟会带来多大的干扰?我非常渴望找到一本能够深入浅出地解释这些晶体管级行为的书籍,它不仅能够详细介绍各种晶体管(如MOSFET和BJT)的内部工作原理,更重要的是,能够教会我如何将这些物理现象转化为能够用于精确电路仿真的模型。我希望这本书能够帮助我理解,当器件尺寸缩小、工作频率升高时,传统的模型可能存在的局限性,以及如何构建更先进、更准确的模型来捕捉这些复杂的效应。我期待这本书能够让我不仅仅停留在电路图层面的操作,而是能够真正理解每个器件在电流和电压作用下的“灵魂”,从而在设计中做出更具前瞻性和优化性的选择。我对这本书能够提供关于如何从器件的物理结构和材料特性出发,建立起能够精确预测电路性能的模型的方法论充满期待,希望它能成为我在模拟和射频设计领域提升“内功”的关键一环。

评分

评分

评分

评分

评分

本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息,本站不存储任何数据与内容,任何内容与数据均与本站无关,如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度google,bing,sogou

© 2026 book.wenda123.org All Rights Reserved. 图书目录大全 版权所有