全書共11章。第1章對半導體微區電阻測量技術的各種方法進行瞭分析比較，對國內外薄層電阻測試方法進行綜述；第2章是四探針技術測量薄層電阻原理的分析，對常規直綫四探針法、改進的範德堡法和斜置式方形Rymaszewski四探針法分彆進行瞭詳細論述；第3章深入地討論瞭四探針測試技術中的共性問題，重點對測試設備的校準及環境對測量的影響，以及對四探針測試中的邊緣修正問題進行瞭論述；第4章論述瞭本課題組開發的自動測量四探針儀測控係統；第5章論述遊移對測試結果的影響及測量薄層電阻的改進Rymaszewski方法；第6、7章分彆論述探針圖像預處理、邊緣檢測以及探針的圖像分割、定位控製與探針圖像檢測精度分析；第8章對電阻率的無接觸測量技術及自主研製的薄層電阻自動測試儀器進行瞭分析與介紹；第9章討論瞭高電阻率材料的電學參數測量問題；第10章論述瞭掃描電子顯微鏡及其在半導體測試技術中的應用；第11章介紹瞭外延片的物理測試原理。
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