《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlCaN／GaN和InAlN／GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS－HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读参考。
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还行吧，主要是hemt器件相关的，前半部分氮化物材料生长的技术和一些缺陷性能表征。国内关于氮化物半导体专著也就这一本了，也还是难得。
评分还行吧，主要是hemt器件相关的，前半部分氮化物材料生长的技术和一些缺陷性能表征。国内关于氮化物半导体专著也就这一本了，也还是难得。
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