半導體科技發展史概要(代序)參考文獻第1章 半導體物理概論　1.1 半導體中電子的能量狀態　　1.1.1 能帶理論　　1.1.2 半導體的能帶結構　　1.1.3 半導體中的載流子　　1.1.4 載流子的有效質量　1.2 半導體的導電性　　1.2.1 載流子的漂移運動和半導體的電導率　　1.2.2 半導體中的載流子統計　　1.2.3 散射與載流予的遷移率　　1.2.4 半導體電阻率的溫度特性　1.3 半導體中的額外載流予　　1.3.1 額外載流子的産生與復閤　　1.3.2 額外載流子的運動　1.4 半導體應用基礎　　1.4.1 半導體器件的基本結構　　1.4.2 半導體pn結原理　　1.4.3 金屬－半導體接觸原理　　1.4.4 MOS柵原理　　1.4.5 半導體光電子學原理　參考文獻第2章 半導體材料概述　　2.1 半導體材料的晶體結構與分類　　2.1.1 元素的電負性與原子的結閤　　2.1.2 共價結閤與正四麵體結構　　2.1.3 半導體的晶體結構　　2.1.4 化閤物半導體的極性　2.2 元素半導體　　2.2.1 硒(Se)　　2.2.2 三種具有半導體特徵的結晶碳　　2.2.3 灰锡(a-Sn)　　2.2.4 鍺(Ge)　　2.2.5 矽(Si)　　2.2.6 其他元素半導體　2.3 化閤物半導體　　2.3.1 Ⅲ-Ⅴ族化閤物　　2.3.2 Ⅱ-Ⅵ族化閤物　　2.3.3 氧化物半導體　　2.3.4 Ⅳ-Ⅵ族化閤物　　2.3.5 Ⅳ-Ⅳ族化閤物　　2.3.6 其他化閤物半導體　　2.3.7 半導體固溶體　2.4 有機半導體　2.5 非晶半導體　　2.5.1 非晶體結構與製備原理　　2.5.2 非晶半導體的電子態　　2.5.3 非晶半導體的輸運性質　　2.5.4 非晶半導體的光學性質　　2.5.5 非晶半導體種類及其應用　2.6 精細結構半導體　　2.6.1 微晶和納米晶　　2.6.2 半導體超品格　2.7 磁性及超導半導體　參考文獻第3章 半導體材料製備概述　3.1 半導體材料製備的理論基礎　　3.1.1 相圖　　3.1.2 區熔提純原理　　3.1.3 晶體生長原理　3.2 晶體生長技術　　3.2.1 布裏奇曼法(BIidgman)　　3.2.2 直拉法(czochralski，簡稱cz)　　3.2.3 區熔法(Floating Zone，簡稱FZ)　　3.2.4 升華法　3.3 半導體薄膜的生長與澱積 3.3.1 外延生長 3.3.2 半導體薄膜的其他製備方法 參考文獻第4章 雜質工程和能帶工程 4.1 常規摻雜 4.1.1　擴散摻雜 4.1.2　離子注入 4.1.3　摻雜的有效性 4.1.4 自補償效應 4.1.5　少子壽命控製 4.2　嬗變摻雜 4.2.1　嬗變摻雜原理 4.2.2　矽的嬗變摻雜 4.2.3　NTD矽的電學特性 4.3　磁場改善生長晶體的純度與均勻性 4.3.1 MCZ原理 4.3.2　MCZ工藝 4.4　半導體固溶體 4.4.1　固溶體的基本特徵 4.4.2　禁帶展寬與躍遷類型轉變 4.4.3 固溶體從半金屬到半導體的轉變 4.4.4　矽鍺固溶體及其應用 4.5　量子阱效應與半導體超晶格 4.5.1　量子阱和超晶格的組成與結構 4.5.2　量子阱中的電子狀態 4.5.3　量子阱效應與超晶格效應 4.5.4　量子阱和超晶格的器件應用 參考文獻第5章　寬禁帶半導體 5.1　寬禁帶半導體材料的特徵優勢 5.1.1　半導體器件的材料優選因子 5.1.2　寬禁帶半導體的特徵優勢 5.2　碳化矽 5.2.1　碳化矽的基本性質 5.2.2　碳化矽晶體製備 5.3　其他寬禁帶半導體 5.3.1　Ⅲ-N化閤物及其固溶體 5.3.2　半導體金剛石 參考文獻第6章　半導體照明 6.1　有關照明的幾個物理概念 6.1.1　視覺 6.1.2　光度學參數 6.1.3 色度學概念 6.1.4 顯色性概念 6.2 高亮度LED原理 6.2.1 LED原理 6.2.2 LED的發光效率 6.2.3 高效LED的結構 6.3 高亮度LED的材料 6.3.1 基本條件 6.3.2 AlGaAs材料係 6.3.3 AtGaInP材料係 6.3.4 AlGaInN材料係 6.4 高亮度LED的特性 6.4.1 伏安特性 6.4.2 光譜特性 6.4.3 輸齣特性 6.5 白光LED 6.5.1 白光LED原理 6.5.2 白光LED的性能及其優化參考文獻
· · · · · · (收起)