Insulated Gate Bipolar Transistors-models and Simulation Realization

Insulated Gate Bipolar Transistors-models and Simulation Realization pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:Morgan & Claypool
作者:Hudgins, Jerry
出品人:
页数:0
译者:
出版时间:
价格:40
装帧:Pap
isbn号码:9781598292701
丛书系列:
图书标签:
  • IGBT
  • 电力电子
  • 半导体器件
  • 模拟仿真
  • 电路设计
  • 功率器件
  • 开关电路
  • 建模
  • SPICE
  • 仿真技术
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具体描述

好的,以下是一份针对“Insulated Gate Bipolar Transistors-models and Simulation Realization”一书的图书简介,这份简介将聚焦于该领域内的相关主题,但不涉及该特定书籍的具体内容,力求详实且自然: --- 功率半导体器件的基石:理解与应用 在现代电力电子系统日益复杂与高效化的背景下,功率半导体器件的性能已成为衡量整体系统性能的关键指标。从新能源汽车的驱动逆变器到高效的开关电源,再到工业电机控制,对高耐压、低导通损耗以及快速开关速度的需求从未停止。本领域深入探讨的器件,如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及相关的复合结构,构成了现代电力电子转换器的核心。 本书旨在提供一个全面且深入的视角,专注于这些关键器件的工作原理、建模技术、以及在实际仿真环境中的实现方法。我们首先将对功率器件的基本物理机制进行回顾,特别是载流子传输、漂移与扩散过程在不同掺杂结构中的行为差异。理解这些基础,是有效设计和优化器件的前提。 器件结构与载流子动力学 一个核心章节将详细解析不同类型功率器件的垂直结构布局,例如P-N结的构建、漂移区的掺杂梯度设计,以及如何通过结构优化来平衡耐压能力与导通电阻。重点关注的将是“导通模式”下的性能表现,这直接决定了器件在稳态工作时的效率。我们将探讨如何通过优化注入效率和载流子寿命来改善器件的综合性能指标。 在动态特性方面,开关损耗是另一个不可忽视的方面。本书将深入剖析关断过程中的拖尾电流(Tail Current)现象,分析其产生的物理根源——主要与存储电荷的清除速度有关。针对这一挑战,不同的器件设计策略,如场终止环(Field Termination Rings)的设计、以及利用特定结构(如穿透式结构或吸收区)来控制载流子寿命的方法,将被细致地阐述。对动态特性的精准掌握,对于设计高频开关电源至关重要。 先进的器件建模技术 从理论物理到工程应用,精确的器件模型是实现系统级仿真和优化设计的基础。本部分将系统梳理目前主流的IGBT及类似器件的建模范式。我们将从最基础的“集总参数模型”(Lumped Parameter Models)开始,逐步过渡到能够更精确描述空间电荷分布和瞬态响应的“分布参数模型”(Distributed Parameter Models)。 重点内容包括如何将半导体器件的非线性特性——如依赖于温度和电流密度的参数变化——纳入到模型构建之中。特别是对于功率器件,温度效应是不可避免的。模型必须能够准确反映器件参数随温度变化的敏感性,以确保在热失控风险分析中的可靠性。我们将探讨如何利用Spice等商业仿真软件提供的强大功能,通过参数提取技术建立与实验数据高度吻合的等效电路模型。这涉及到对特定物理方程组的求解和简化,以便在仿真环境中实现快速、稳定的收敛。 此外,针对先进的超结(Superjunction)结构和基于宽禁带材料(如SiC和GaN)的器件模型,也需要不同的建模方法。对于SiC MOSFETs,其在高频下的寄生电感和栅极驱动延迟对开关性能的影响将作为专门课题进行分析,以揭示其超越传统硅基器件的潜力与局限。 仿真实现与应用验证 构建了精确的数学模型后,如何将其有效地转化为可操作的仿真工具是工程实践的关键一步。本部分将侧重于“仿真实现”(Simulation Realization)的细节。我们将讨论如何使用有限元分析(FEA)方法来模拟复杂的电场分布,尤其是在器件的边缘区域,即耐压性能最敏感的区域。 在系统级仿真层面,我们将展示如何将提取出的器件模型(如.lib或.mod文件)集成到大型电力电子拓扑仿真平台中,例如用于分析开关电源的仿真或驱动电机的仿真。这不仅包括了对导通和关断瞬态过程的精确捕捉,还包括了对热耦合效应的仿真分析——即将电学模型与热模型(Thermal Models)进行耦合,以预测器件在实际工作条件下的结温,从而评估其长期可靠性。 仿真验证环节至关重要。本书强调了仿真结果与实际测试数据之间的对比和校准过程。我们将介绍常用的测试方法,如阶跃关断测试(dV/dt Test)和短路耐受性测试(Short Circuit Withstand Time Test),并说明如何利用仿真平台来预测这些关键性能指标,为器件的设计迭代提供高效的反馈机制。 面向未来:器件创新与挑战 最后,本书将展望功率半导体领域的前沿发展方向。随着电动汽车对更高功率密度和更低损耗的迫切需求,新一代器件结构和材料正在不断涌现。我们将探讨如何利用先进的拓扑设计,如Trench结构与平面结构的结合,以期在保持高耐压的同时显著降低导通损耗。对这些前沿技术的探讨,旨在激励读者超越现有的技术范式,探索下一代功率转换解决方案。 本书面向电力电子工程师、半导体器件物理研究人员以及从事相关领域教学的高校师生。通过对理论、建模与仿真实践的系统整合,读者将能够建立起对功率半导体器件的深刻理解,并掌握将其性能转化为实际系统优势的关键技能。

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