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《普通高校嵌入式系统基础教材•80C51嵌入式系统教程》贯彻“讲清楚概念便于理解系统，讲清楚芯片便于应用系统”的思想，立足于将《微机原理》和《单片机原理及应用》两门课程优化整合为一门课程，使读者从基础起步。介绍了一些顺应嵌入式系统发展趋势的串行的、性价比高的新器件，体现“器件解决”的方针。充分考虑到作为教材的特点和实际教学需要，在具体内容的展开上采用“避重就轻”的手法，避免冗长的理论介绍，尽量采用简洁的理论描述以及适合学生理解的图表形式。《普通高校嵌入式系统基础教材•80C51嵌入式系统教程》融单片机与嵌入式系统的基础理论与应用系统设计于一体，概念和理论叙述简洁明了，例程来源于应用及最新科研成果，取材较新，实用性强，并配 有参考程序。
晶体管电路基础与应用 作者： [虚构作者姓名，例如：张伟、李明] 出版社： [虚构出版社名称，例如：科技教育出版社] ISBN： [虚构ISBN号，例如：978-7-5606-XXXX-X] --- 内容简介 本书旨在为电子工程、自动化、通信工程等相关专业的学生和初级工程师提供一个全面、深入且实用的晶体管电路基础知识体系。全书以深入剖析晶体管的物理特性为起点，逐步过渡到各类重要电路的应用设计与分析，强调理论与实践的紧密结合，确保读者能够扎实掌握半导体器件的核心工作原理及在实际系统中的应用能力。 本书内容结构严谨，逻辑清晰，共分为十二章，系统地涵盖了从基础半导体物理到复杂集成电路初步认识的广阔领域。 第一部分：半导体基础与器件物理 第一章：半导体材料与PN结 本章首先回顾了导体、绝缘体和半导体的基本概念，重点阐述了本征半导体和杂质半导体（N型和P型）的形成过程及其载流子迁移率。随后，详细分析了PN结的形成机理、势垒的建立、以及在零偏、正偏和反偏工作状态下的电学特性。通过对能带图的深入剖析，揭示了二极管单向导电性的物理根源。 第二章：半导体二极管 本章聚焦于二极管这一最基本的半导体器件。内容包括二极管的理想模型与实际模型，重点讲解了其伏安特性曲线（I-V曲线）的测量与参数提取。随后，详细介绍了各种典型应用电路，如限幅电路、钳位电路和整流电路（半波、全波和桥式整流），并对滤波电路的性能指标（纹波系数、电压调整率）进行了数学推导和分析。同时，对稳压二极管（齐纳二极管）的工作原理、稳压特性以及在稳压电路中的应用进行了详尽的论述。 第三章：双极性结型晶体管（BJT）基础 本章引入双极性结型晶体管（BJT）这一核心放大器件。从NPN和PNP结构的物理特性入手，详细解释了BJT的三个工作区（截止区、线性区、饱和区）的载流子运动机制。重点讲解了BJT的电流控制特性，包括共射极、共基极和共集电极三种基本组态的输入输出特性曲线、$alpha$（共基极电流放大系数）和$eta$（共射极电流放大系数）的相互关系及影响因素。 第四章：BJT直流偏置电路分析与设计 本章是BJT电路应用设计的基础。全面阐述了固定偏置、集电极反馈偏置、分压器偏置等常用直流偏置电路的原理。强调了偏置电路在确定晶体管稳定工作点（Q点）中的关键作用。通过引入“偏置点漂移”的概念，详细分析了温度变化和$eta$值变化对Q点稳定性的影响，并教授了如何利用硅等效模型进行精确的直流分析和参数计算，以确保电路在不同环境下的可靠工作。 第二部分：晶体管放大电路分析 第五章：小信号模型与等效电路 为了简化中、高频范围内的交流信号分析，本章引入了BJT的小信号模型。详细介绍了混合$pi$模型和$mathrm{r_e}$模型，并推导了两种模型之间的等效关系。通过这些模型，读者可以准确地计算放大电路的电压增益、电流增益和输入/输出阻抗，为后续的频率响应分析打下基础。 第六章：单级BJT放大电路分析 本章将小信号模型应用于三种基本组态的单级放大器：共射极放大器、共集电极放大器（射随器）和共基极放大器。对每种组态的电压增益、输入阻抗、输出阻抗、电流增益等关键性能指标进行了详细的公式推导和实例计算。特别强调了射随器在高输入阻抗、低输出阻抗缓冲隔离方面的独特优势。 第七章：多级放大电路与耦合技术 在实际应用中，单级放大器的增益往往不足，因此本章探讨了多级放大器的设计。详细分析了直接耦合、阻容耦合和变压器耦合方式的优缺点，重点分析了阻容耦合级联放大器的总增益计算与级间去耦。引入了反馈的概念，初步介绍了反馈对放大器稳定性和带宽的影响。 第八章：频率响应与带宽 本章深入探讨了放大器在高低频段的性能衰减问题。分析了晶体管内部的寄生电容（如米勒电容）和外部电路的耦合电容对频率响应的影响。推导了低频响应（由偏置电路和耦合电容决定）和高频响应（由内部结电容决定）的截止频率$f_{mathrm{L}}$和$f_{mathrm{H}}$。引入了米勒效应，并讲解了如何通过优化电路结构（如共源共基组态）来扩展带宽。 第三部分：场效应晶体管（FET）与特定应用 第九章：场效应晶体管（FET）基础 本章转向另一类重要的放大器件——场效应晶体管（FET）。详细介绍了结型场效应晶体管（JFET）和增强型/耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的结构、工作原理及输入阻抗极高的特性。重点分析了FET的输出特性曲线、跨导$g_m$的物理意义，并讨论了其在热稳定性方面的优势。 第十章：FET放大电路 与BJT类似，本章讲解了FET的直流偏置技术，包括自偏置、分压器偏置等。随后，利用FET的小信号模型，分析了共源、共源极和共栅三种基本组态的放大电路的增益、输入输出阻抗特性。着重对比了BJT和MOSFET在不同应用场景下的适用性。 第十一章：集成运算放大器（Op-Amp）原理与基础应用 本章作为过渡，简要介绍了集成运放的基本结构（差分放大器、增益级、输出级），及其理想模型和非理想参数（如失调电压、共模抑制比CMRR）。随后，详细分析了基于理想运放的几种经典模拟运算电路，包括反相放大器、同相放大器、加法器、减法器和积分器、微分器，强调了反馈在稳定运放性能中的作用。 第十二章：电源与稳压电路 本章将理论应用于电源电路的设计。在第二章整流电路的基础上，深入探讨了线性稳压电路的设计，包括串联调整管和并联调整管（稳压二极管）的稳压工作原理。分析了晶体管在线性稳压电路中作为调整管时的工作状态，并介绍了晶体管改进型稳压电路（如串联调整管的基极驱动电路）以提高输出电流能力和稳压精度。 特色与目标读者 本书的特点在于其全面性和深度，它不仅讲解了晶体管“如何工作”，更侧重于讲解“如何设计和分析”在实际工程中遇到的各种放大与信号处理电路。书中配有大量清晰的电路图、数学推导过程和数值算例。 本书适合作为高等院校电子信息类、自动化类本科生《模拟电子技术基础》课程的教材或参考书，也特别适合希望系统性掌握晶体管电路设计技能的在职工程师和电子爱好者研读。读者在阅读本书前，建议具备基本的电路理论知识（如基尔霍夫定律、交流稳态分析）。
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