第1章 集成電路設計概述 1.1 集成電路的發展 1.2 集成電路設計流程及設計環境 1.3 集成電路製造途徑 1.4 集成電路設計的知識範圍 思考題第2章 集成電路材料、結構與理論 2.1 集成電路材料 2.1.1 矽 2.1.2 砷化鎵 2.1.3 磷化銦 2.1.4 絕緣材料 2.1.5 金屬材料 2.1.6 多晶矽 2.1.7 材料係統 2.2 半導體基礎知識 2.2.1 半導體的晶體結構 2.2.2 本徵半導體與雜質半導體 2.3 PN結與結型二極管 2.3.1 PN結的擴散與漂移 2.3.2 PN結型二極管 2.3.3 肖特基結二極管 2.3.4 歐姆型接觸 2.4 雙極型晶體管 2.4.1 雙極型晶體管的基本結構 2.4.2 雙極型晶體管的工作原理 2.5 MOS晶體管 2.5.1 MOS晶體管的基本結構 2.5.2 MOS晶體管的工作原理 2.5.3 MOS晶體管的伏安特性 思考題 本章參考文獻第3章 集成電路基本工藝 3.1 外延生長 3.2 掩模版的製造 3.3 光刻原理與流程 3.3.1 光刻步驟 3.3.2 曝光方式 3.4 氧化 3.5 澱積與刻蝕 3.6 摻雜原理與工藝 思考題 本章參考文獻第4章 集成電路器件工藝 4.1 雙極型集成電路的基本製造工藝 4.1.1 雙極型矽工藝 4.1.2 HBT工藝 4.2 MESFET和HEMT工藝 4.2.1 MESFET工藝 4.2.2 HEMT工藝 4.3 MOS和相關的VLSI工藝 4.3.1 PMOS工藝 4.3.2 NMOS工藝 4.3.3 CMOS工藝 4.4 BiCMOS工藝 思考題 本章參考文獻第5章 MOS場效應管的特性 5.1 MOS場效應管 5.1.1 MOS管伏安特性的推導 5.1.2 MOS電容的組成 5.1.3 MOS電容的計算 5.2 MOS FET的閾值電壓VT 5.3 體效應 5.4 MOSFET的溫度特性 5.5 MOSFET的噪聲 5.6 MOSFET尺寸按比例縮小 5.7 MOS器件的二階效應 5.7.1 L和W的變化 5.7.2 遷移率的退化 5.7.3 溝道長度的調製 5.7.4 短溝道效應引起的閾值電壓的變化 5.7.5 狹溝道效應引起的閾值電壓的變化 思考題 本章參考文獻第6章 集成電路器件及SPICE模型 6.1 無源器件結構及模型 6.1.1 互連綫 6.1.2 電阻 6.1.3 電容 6.1.4 電感 6.1.5 分布參數元件 6.2 二極管電流方程及SPICE模型 6.2.1 二極管的電路模型 6.2.2 二極管的噪聲模型 6.3 雙極型晶體管電流方程及SPICE模型 6.3.1 雙極型晶體管的EM模型 6.3.2 雙極型晶體管的GP模型 6.4 結型場效應JFET(NJFPJF)模型 6.5 MESFET(NMFPMF)模型(SPICE3.x) 6.6 MOS管電流方程及SPICE模型 思考題 本章參考文獻第7章 SPICE數模混閤仿真程序的設計流程及方法 7.1 采用SPICE的電路設計流程 7.2 電路元件的SPICE輸入語句格式 7.3 電路特性分析語句 7.4 電路特性控製語句 7.5 緩衝驅動器設計實例 7.6 跨導放大器設計實例 思考題 本章參考文獻第8章 集成電路版圖設計與工具 8.1 工藝流程的定義 8.2 版圖幾何設計規則 8.3 圖元 8.3.1 MOS晶體管 8.3.2 集成電阻 8.3.3 集成電容 8.3.4 寄生二極管與三極管 8.4 版圖設計準則 8.4.1 匹配設計 8.4.2 抗乾擾設計 8.4.3 寄生優化設計 8.4.4 可靠性設計 8.5 電學設計規則與布綫 8.6 基於Cadence平颱的全定製IC設計 8.6.1 版圖設計的環境 8.6.2 原理圖編輯與仿真 8.6.3 版圖編輯與驗證 8.6.4 CMOS差動放大器版圖設計實例 8.7 芯片的版圖布局 8.8 版圖設計的注意事項 思考題 本章參考文獻第9章 模擬集成電路基本單元 9.1 電流源電路 9.1.1 雙極型鏡像電流源 9.1.2 MOS電流鏡 9.2 基準電壓源設計 9.2.1 雙極型三管能隙基準源 9.2.2 MOS基準電壓源 9.3 單端反相放大器 9.3.1 基本放大電路 9.3.2 改進的CMOS推挽放大器 9.4 差分放大器 9.4.1 BJT差分放大器 9.4.2 MOS差分放大器 9.4.3 CMOS差分放大器設計實例 9.5 運算放大器 9.5.1 性能參數 9.5.2 套筒式共源共柵運放 9.5.3 摺疊式共源共柵運放 9.5.4 兩級運放 9.5.5 CMOS運算放大器設計實例 9.6 振蕩器 9.6.1 環形振蕩器 9.6.2 LC振蕩器 思考題 本章參考文獻第10章 數字集成電路基本單元與版圖 10.1 TTL基本電路 10.1.1 TTL反相器 10.1.2 TTL與非門 10.1.3 TTL或非門 10.2 CMOS基本門電路及版圖實現 10.2.1 CMOS反相器 10.2.2 CMOS與非門和或非門 10.2.3 CMOS傳輸門和開關邏輯 10.2.4 三態門 10.2.5 驅動電路 10.3 數字電路標準單元庫設計 10.3.1 基本原理 10.3.2 庫單元設計 10.4 焊盤輸入輸齣單元 10.4.1 輸入單元 10.4.2 輸齣單元 10.4.3 輸入輸齣雙嚮三態單元(IO PAD) 10.5 瞭解CMOS存儲器 10.5.1 動態隨機存儲器(DRAM) 10.5.2 靜態隨機存儲器(SRAM) 10.5.3 閃存 思考題 本章參考文獻第11章 集成電路數字係統設計基礎 11.1 數字係統硬件描述語言 11.1.1 基於HDL語言的設計流程 11.1.2 Verilog HDL語言介紹 11.1.3 硬件描述語言VHDL 11.2 數字係統邏輯綜閤與物理實現 11.2.1 邏輯綜閤的流程 11.2.2 Verilog HDL與邏輯綜閤 11.2.3 自動布局布綫 11.3 數字係統的FPGACPLD硬件驗證 11.3.1 PLD概述 11.3.2 現場可編程門陣列(FPGA) 11.3.3 基於FPGA的數字係統硬件驗證 思考題 本章參考文獻第12章 集成電路的測試和封裝 12.1 集成電路在芯片測試技術 12.2 集成電路封裝形式與工藝流程 12.3 芯片鍵閤 12.4 高速芯片封裝 12.5 混閤集成與微組裝技術 12.6 數字集成電路測試方法 12.6.1 可測試性的重要性 12.6.2 測試基礎 12.6.3 可測試性設計 思考題 本章參考文獻
· · · · · · (收起)