《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上,给出MOSFETs压/磁多功能传感器在外加压力P≠O、外加磁场B=O;外加压力P≠O、外加磁场B=O;外加压力P≠O、外加磁场8≠O;外加压力P≠O、外加磁场B≠O四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFETs压/磁多功能传感器。《纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究》设计、制作的纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器能够完成压力和磁场的检测,具有良好的压敏特性和磁敏特性,可实现压/磁检测的集成化和一体化,对传感器的小型化、多功能化、集成化和一体化发展具有重要意义。
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导师的博士论作,也是目前我所作的论文方向。压力传感器是多应用于航天航空。
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