《碳基薄膜制备及场致电子发射》内容简介：对于碳基薄膜材料场致电子发射特性的研究，国内外不少单位都投入了大量资金和人力。1996年，我国也正式将该课题列入国家“八六三”计划，我们研究组承担了该课题的研究工作。关于碳基薄膜材料场致电子发射特性的研究，之所以受到人们的广泛重视，是因为该研究工作不仅对于碳基薄膜材料的结构以及场致电子发射特性的研究具有科学意义，而且具有重要应用价值。碳基薄膜材料可以作为冷阴极电子源应用于真空微纳电子器件、微波器件、X光管，以及扫描电子显微镜、扫描隧道显微镜、传感器等现代探测仪器中；此外，碳基薄膜冷阴极用于场发射平板显示器（FED）也是人们关注和期盼的应用目标之一。
冷阴极场发射平板显示是自20世纪90年代以来得到迅速发展的一种新的平板显示技术。由于冷阴极场发射平板显示不仅具有液晶及等离子体平板显示器的超薄、重量轻等特点，而显示原理和传统的阴极射线显示器（CRT）一样是阴极电子发射主动型发光，因此还具有亮度高、响应快、视角宽、色彩饱和度好等传统显示器（CRT）的一系列优点，且能量转换效率高。鉴于场发射平板显示具有上述诸多优越性而受到了人们的极大重视。目前，国内外不少科研单位、高等院校、相关企业的研究中心都在积极开展该项研究工作，如在国内有中山大学、西安交通大学、东南大学、福州大学、华东师范大学、中国科学院物理所、中国科学院长春光机与物理研究所、中国科学院电子所等单位都先后开展了该项相关研究工作，并取得了一些可喜的研究进展。
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