Optical Absorption of Impurities and Defects in SemiconductingCrystals pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:

作者:Pajot, Bernard/ Clerjaud, Bernard

出品人:

页数:470

译者:

出版时间:

价格:1768.00 元

装帧:

isbn号码:9783540959557

丛书系列:

图书标签:

• 半导体
• 光学吸收
• 杂质
• 缺陷
• 晶体
• 材料科学
• 固体物理
• 光谱学
• 光学性质
• 缺陷物理

好的，以下是一份关于《半导体晶体中杂质与缺陷的光学吸收》之外的其他图书的详细简介： --- 书名：《先进功能材料的微观结构与宏观性能》 作者：[虚构作者名，例如：李明 教授，张伟 博士] 出版社：[虚构出版社名，例如：前沿科学出版社] ISBN：[虚构ISBN] 页数：约 850 页 --- 内容简介： 本书《先进功能材料的微观结构与宏观性能》是一部深度聚焦于现代材料科学核心领域的专著。它系统地探讨了从原子尺度到宏观应用层面，材料的内部微观结构特征——包括晶体结构、相界、晶界、位错、非晶态区域以及不同尺度的纳米结构——如何决定其独特的光学、电学、磁学、热学以及机械学等宏观功能特性。本书旨在为材料科学家、工程师以及高年级本科生和研究生提供一个全面、深入且实用的参考框架，以理解和设计具有特定功能的新型先进材料。 本书的结构清晰，内容涵盖了理论基础、表征技术、材料设计与应用三大核心板块。 第一部分：基础理论与结构-性能关系 本部分首先回顾了固体物理与晶体学的基础知识，重点阐述了周期性势场中电子能带结构如何形成，并在此基础上引入了更复杂的、偏离完美晶体结构的“缺陷”体系对能带的局域影响。 晶体缺陷的分类与能量学： 详细分析了点缺陷（空位、间隙原子、取代原子）、线缺陷（位错）、面缺陷（晶界、堆垛层错）的形成机制、热力学稳定性及迁移动力学。探讨了这些缺陷如何影响材料的扩散过程和基本输运性质。 局域环境与电子态： 深入讨论了缺陷在晶格中对周围电子波函数的影响，尤其关注了电子在局域陷阱态、束缚态或杂散势阱中的行为。这部分内容为理解后续的电学和光学特性奠定了理论基础。 界面效应与跨尺度耦合： 阐述了不同尺度结构（如纳米颗粒间的接触、异质结界面）的电子结构如何通过量子隧穿、界面态等机制实现能量或电荷的有效传输与转换，揭示了“结构决定功能”的跨尺度耦合原理。 第二部分：先进表征技术与结构解析 理解结构是设计功能的前提。本书用大量篇幅介绍了用于解析微观结构的尖端表征技术，并强调了如何将这些技术的数据转化为可量化的结构参数。 高分辨率成像技术： 详述了透射电子显微镜（TEM/STEM）在原子分辨率下的成像原理、像衬度分析、高角度环形暗场（HAADF）技术在识别重原子和分析晶格畸变中的应用。重点分析了如何利用球差校正电镜技术揭示界面处的精确原子排序。 光谱学探针： 覆盖了能量分散X射线谱（EDS）、电子能量损失谱（EELS）在元素分析和价态研究中的应用。特别强调了拉曼散射光谱和X射线吸收近边结构（XANES）如何提供局域对称性和化学键合环境的信息。 表面与薄膜分析： 介绍了X射线光电子能谱（XPS）、俄歇电子能谱（AES）在分析材料表面化学态和深度剖面信息上的优势。此外，也探讨了同步辐射光源在深度结构探测中的前沿应用。 原位/非原位动态表征： 探讨了在原位电/热/光照条件下，利用TEM或同步辐射技术实时观测材料结构演化（如相变、晶格弛豫）的关键技术和数据处理方法。 第三部分：特定功能材料的设计与优化 本部分将理论与表征技术相结合，具体阐述了如何通过调控特定类型的微观结构来优化材料的四大功能领域： 1. 光电子功能材料（例：钙钛矿、量子点）： 重点分析了非辐射复合中心（如表面缺陷、晶界缺陷）对发光效率和载流子寿命的抑制作用。讨论了通过表面钝化策略和量子尺寸效应来调控吸收/发射光谱宽度与峰位。 2. 储能材料（例：锂离子电池电极、固态电解质）： 深入研究了离子扩散通道的结构依赖性。分析了电极材料在充放电循环中产生的相变、应力累积以及形成固体电解质界面（SEI）的微观机制，并提出如何利用形貌控制（如核壳结构）来改善倍率性能。 3. 磁性材料与自旋电子学： 探讨了磁畴壁的结构、反铁磁性与铁磁性界面的耦合效应，以及磁各向异性的起源与应力依赖性。分析了薄膜厚度、界面粗糙度对巨磁阻效应（GMR）和隧道磁阻效应（TMR）的影响。 4. 热电材料： 阐述了如何通过引入纳米析出物、超晶格结构或高度无序的晶界来同时降低晶格热导率（通过增强声子散射）而不显著影响电子输运性能的“解耦”策略。 核心特色： 本书的显著特点在于其跨学科的整合性。它不仅是理论的阐述，更是对实验技术精髓的提炼。作者通过大量的案例研究（涵盖半导体、氧化物、金属间化合物及复合材料），展示了微观结构调控如何直接、量化地转化为宏观性能的提升。书中配备了大量的原理图、高分辨率显微图像和实验数据拟合曲线，以期帮助读者建立从“结构图像”到“性能曲线”的完整思维链条。 本书适合致力于新型材料开发、器件优化以及追求深入理解材料本征物理性质的研究人员和工程技术人员阅读。 ---

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关于这本书的引用部分，我感到非常困惑。尽管它声称涵盖了该领域的核心研究，但许多近年的、在顶级期刊上发表的重要工作似乎被完全忽略了。我特意去核对了几篇我个人比较熟悉的、关于钙钛矿材料中空位缺陷导致的光致发光淬灭的开创性论文，发现这本书中没有提及任何相关的光谱分析或理论模型。这让我不禁怀疑，这本书的审稿和修订工作是不是停滞在了某个时间点，未能跟上材料科学飞速发展的步伐。对于那些希望了解如何利用先进光谱技术（比如时间分辨光致发光或太赫兹光谱）来表征半导体中瞬态缺陷行为的读者来说，这本书提供的工具箱明显是过时的。它更偏向于对材料宏观吸收特性的传统描述，比如吸收边锐化、吸收峰的移动等，而对于微观动态过程的描述则显得力不从心，这在今天的半导体器件研究中，是很难被接受的。

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这本书的排版和校对质量也令人不敢恭维。我数了一下，在“晶格振动对缺陷能级的影响”这一章节中，至少有三个地方出现了明显的印刷错误，其中一个公式中的下标符号混淆，直接导致了后续推导结果的逻辑不通。这种低级的失误在动辄上百美元的专业书籍中，是完全不应该出现的。更别提那些图表的清晰度了，很多图示的坐标轴标签小到几乎看不清，线条也模糊不清，完全无法用于学术报告或教学演示。当我试图将其中一个关于缺陷弛豫模型的示意图用作我的课题组内部讨论材料时，不得不花费大量时间重新绘制，因为原图根本无法直接用于演示。一本宣称是严谨学术著作的书籍，在最基本的物理呈现上就如此草率，实在让人难以对其内容的准确性产生完全的信任。

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从一个更宏观的角度来看，这本书在探讨“缺陷工程”的应用潜力方面显得过于保守和理论化。它详细描述了缺陷如何“损害”半导体的性能——比如降低载流子寿命、增加非辐射复合——但对于如何利用精确控制的掺杂或辐照技术来“设计”出具有特定光电功能的缺陷（例如，用于红外探测器或高效光催化剂的活性位点），着墨不多。书中对缺陷的描述，大多停留在“负面因素”的层面，缺乏将缺陷视为可控调控参数的现代半导体物理思想。对于那些致力于开发新型光电器件，需要将缺陷视为一种设计工具而非简单噪声的工程师和材料科学家而言，这本书提供的视角显得过于局限和消极。它更像是一份关于“如何避免制造差半导体”的指南，而不是“如何利用材料缺陷创造新功能”的蓝图。

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这本书的书名是《Optical Absorption of Impurities and Defects in Semiconducting Crystals》，我现在以一个读者的身份来写五段不包含该书内容的评价。 这本书的装帧设计，说实话，真的有点过时了，封面那种老派的、略显粗糙的印刷质感，让人联想到上世纪八九十年代的学术专著，沉甸甸的，拿在手里能感受到那种纸张的厚度，这倒也符合内容本身的厚重感。我本来是冲着最新的半导体材料研究进展去的，结果翻开目录，发现里面更多的是对经典理论的梳理和早期实验数据的引用，这让我的期望值稍微落空了一点。虽然理论基础扎实是好事，但对于像我这样主要关注纳米结构和量子点光电特性的研究者来说，缺乏对近十年新兴材料体系的深入探讨，确实显得有些力不从道。比如，书中对于缺陷激活能的计算方法，主要还是集中在经典的薛定谔方程求解，而没有过多提及密度泛函理论（DFT）在处理复杂晶格畸变时的优势和局限性，这在当前的计算材料学领域，算是一个比较明显的空白点了。总体而言，它更像是一部面向材料物理专业本科高年级学生或研究生入门的经典教材，而非前沿研究者的必备工具书。

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我花了整整一个周末来尝试消化书中关于“界面态”那几章的论述，但坦白说，阅读体验相当不流畅。作者的行文风格极其严谨，但也因此显得晦涩难懂，充满了大量的专业术语堆砌，而且缺乏足够的插图和图示来辅助理解那些抽象的能带结构变化。例如，描述电子在深能级缺陷附近的局域化过程时，作者几乎没有提供任何简化的示意图，完全依赖于密集的数学推导和符号定义，这对于非凝聚态物理背景的读者来说，简直是一场灾难。我不得不频繁地查阅其他相关的普物教材来对照理解这些概念，这极大地拖慢了我的阅读进度。如果能增加一些对比性的图表，比如不同缺陷浓度下吸收谱线的展宽机制对比，或者不同温度下载流子捕获截面的温度依赖性曲线，而不是仅仅罗列公式，那么这本书的实用价值会大大提升。现在看来，它更像是一份高度浓缩的博士论文纲要，而不是一本旨在传授知识的读物。

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