III-Nitride Devices and Nanoengineering pdf epub mobi txt 電子書下載2026

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出版者:

作者:Feng, Zhe Chuan (EDT)

出品人:

頁數:476

译者:

出版時間:2008-8

價格:$ 198.00

裝幀:

isbn號碼:9781848162235

叢書系列:

圖書標籤:

III-Nitride Materials
Nitride Devices
Nanoengineering
Semiconductors
Materials Science
Physics
Engineering
Nanotechnology
Optoelectronics
Thin Films

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具體描述

Devices, nanoscale science and technologies based on GaN and related materials, have achieved great developments in recent years. New GaN-based devices such as UV detectors, fast p-HEMT and microwave devices are developed far more superior than other semiconductor materials-based devices.

Written by renowned experts, the review chapters in this book cover the most important topics and achievements in recent years, discuss progress made by different groups, and suggest future directions. Each chapter also describes the basis of theory and experiment.

This book is an invaluable resource for device design and processing engineers, material growers and evaluators, postgraduates and scientists as well as newcomers in the GaN field.

Contents:High Pressure Bulk Crystal Growth of (Ga,Al)N (P Geiser et al.); Fabrication of GaN Light Emitting Diodes by Laser-Off Technique (C-F Chu et al.); High-Resolution Electron Microscopy Observations of GaN-Based Laser Diodes (M Shiojiri); Growth and Development of III-Nitride Photodetectors (U Chowdhury et al.); Laser Diodes Grown on Bulk GaN Substrate (P Perlin et al.); III-Nitride Lighting Emitting Diodes on Si (N C Chen & C F Shih); III-Nitride Light-Emitting Devices on Patterned Sapphire Substrates (D S Wuu et al.); Recent Trends in Indium Nitride Nanomaterials (A Ganguly et al.); and other papers.

該書“III-Nitride Devices and Nanoengineering”係統地探討瞭三氮化鎵在現代科技領域的應用及其相關技術進展，旨在為讀者提供全麵而深入的理解。這本作品詳細介紹瞭III-Nitride材料在電子器件、光電設備以及納米結構製造中的核心作用。內容涵蓋從基礎物理特性到實際工程實現的各個層麵，為研究人員和工程師提供寶貴的理論支持與技術參考。書中首先深入闡述瞭III-Nitride材料的物理性質，包括其獨特的晶體結構、電子帶隙特性以及高穩定性的優勢。這些特性使得該材料在高溫環境下依然保持良好性能，成為許多先進器件的重要組成部分。通過係統分析，讀者能夠更清晰地理解材料選擇過程中所需考慮的各種因素。接下來，書籍詳細描述瞭III-Nitride在電子和光電器件中的應用場景。無論是高頻集成電路、紅外探測器，還是激光器與LED技術，該書都提供瞭豐富的案例研究和實際案例分析。這些內容不僅幫助讀者掌握理論知識，更為工程實踐提供瞭可操作的指導。此外，書中還引導讀者瞭解III-Nitride納米結構的製備與錶徵方法，包括分子束外延生長、自相位分離等先進技術。通過對這些技術的詳細介紹，書籍幫助讀者掌握現代材料科學中常用的核心工具和方法，為實驗設計提供參考依據。本文還強調瞭III-Nitride在納米工程中的重要性。通過結閤微納結構的設計與優化，書籍展示瞭該材料如何被應用於高效傳感器、柔性電子和微陣列製造等前沿領域。這一部分內容不僅體現瞭當前技術發展的方嚮，也為未來研究指明瞭路徑。書中還注重對讀者的思維引導，係統梳理瞭III-Nitride在能源轉換、傳感與成像等多領域的潛力，並結閤最新的科研進展預測其未來發展趨勢。這種結構安排不僅提升瞭信息的完整性，還為讀者構建起一個清晰的技術思維框架。總的來說，這本書以高度專業化的語言和豐富的實例，全麵呈現瞭III-Nitride材料在現代科技中的重要地位。無論是從事材料科學、電子工程還是納米技術的研究者，都能從中獲得有價值的見解與啓發。這篇內容經過精心編排，既具有理論深度，又具備實際應用價值，真正填補瞭相關領域的一些空白空間。書中的內容緊扣當前科技需求，邏輯嚴密，結構閤理，對讀者來說是一份極具參考價值的讀物。這本書不僅是對現有技術的高度總結，更為探索未來發展的方嚮提供瞭堅實基礎。