绪论/（1） 0-1 半导体及半导体工业的起源/（2） 0-2 半导体工业的发展规律/（3） 0-3 半导体技术向微电子技术的发展/（5） 0-4 当代微电子技术的发展特征/（7） 本章小结/（8） 习题/（8）第1章 半导体材料及制备/（9） 1.1 半导体材料及半导体材料的特性/（9） 1.1.1 半导体材料的特征与属性/（10） 1.1.2 半导体材料硅的结构特征/（10） 1.2 半导体材料的冶炼及单晶制备/（11） 1.3 半导体硅材料的提纯技术/（13） 1.3.1 精馏提纯SiCl4技术及其提纯装置/（13） 1.3.2 精馏提纯SiCl4的基本原理/（14） 1.4 半导体单晶材料的制备/（15） 1.5 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷/（17） 本章小结/（19） 习题/（20）第2章 集成工艺及原理/（21） 2.1 常规集成电路制造技术基础/（21） 2.1.1 常规双极性晶体管的工艺结构/（21） 2.1.2 常规双极性晶体管平面工艺流程/（23） 2.1.3 常规PN结隔离集成电路平面工艺流程/（24） 2.2 外延生长技术/（25） 2.3 常规硅气相外延生长过程的动力学原理/（27） 2.4 氧化介质制备技术/（31） 2.5 半导体高温掺杂技术/（35） 2.6 常规高温热扩散的数学描述/（39） 2.6.1 恒定表面源扩散问题的数学分析/（40） 2.6.2 有限表面源扩散问题的数学分析/（41） 2.7 杂质热扩散及热迁移工艺模型/（42） 2.8 离子注入低温掺杂技术/（44） 本章小结/（47） 习题/（48）第3章 超大规模集成工艺/（50） 3.1 当代微电子技术的技术进步/（50） 3.2 当代超深亚微米级层次的技术特征/（51） 3.3 超深亚微米层次下的小尺寸效应/（51） 3.4 典型超深亚微米CMOS制造工艺/（53） 3.5 超深亚微米CMOS工艺技术模块简介/（57） 本章小结/（65） 习题/（66）第4章 一维工艺仿真综述/（67） 4.1 集成电路工艺仿真技术/（69） 4.2 一维工艺仿真系统SUPREM-2/（70） 4.3 SUPREM-2的建模/（72） 本章小结/（74） 习题/（75）第5章 工艺仿真交互设置/（77） 5.1 SUPREM-2工艺仿真输入卡的设置规范/（77） 5.2 SUPREM-2工艺模拟卡的卡序设置/（78） 5.3 SUPREM-2仿真系统的卡语句设置/（79） 5.4 输出/输入类卡语句的设置/（81） 5.5 工艺步骤类卡语句的设置/（83） 5.6 工艺模型类卡语句的设置/（86） 本章小结/（87） 习题/（88）第6章 工艺模拟系统模型设置/（89） 6.1 系统模型的类型及参数分类/（89） 6.1.1 元素模型/（89） 6.1.2 氧化模型/（90） 6.1.3 外延模型/（91） 6.1.4 特殊用途模型/（91） 6.2 SUPREM-2工艺模拟系统所设置的默认参数值/（92） 本章小结/（94） 习题/（94）第7章 工艺模拟精度的调试/（95） 7.1 工艺模拟输入卡模型修改语句/（95） 7.2 工艺模拟精度的调试实验/（95） 7.2.1 工艺模拟精度调试实验的设置/（95） 7.2.2 工艺模拟精度调试实验举例/（96） 本章小结/（100） 习题/（100）第8章 一维工艺仿真实例/（102） 8.1 纵向NPN管芯工序全工艺模拟/（102） 8.1.1 工艺制程与模拟卡段的对应描述/（102） 8.1.2 纵向NPN工艺制程的标准模拟卡文件/（107） 8.1.3 纵向NPN工艺制程模拟的标准输出/（110） 8.2 PMOS结构栅氧工艺模拟实例/（110） 8.3 典型的NPN分立三极管工艺模拟/（114） 8.4 PMOS场效应器件源漏扩散模拟/（114） 8.5 可制造性设计实例一/（115） 8.6 可制造性设计实例二/（116） 8.7 可制造性设计实例三/（117） 8.8 可制造性设计实例四/（119） 本章小结/（120） 习题/（120）第9章 集成电路工艺二维仿真/（122） 9.1 集成电路工艺二维仿真系统/（122） 9.1.1 TSUPREM-4系统概述/（122） 9.1.2 TSUPREM-4仿真系统剖析/（123） 9.1.3 TSUPREM-4采用的数值算法/（125） 9.2 TSUPREM-4仿真系统的运行/（126） 9.3 TSUPREM-4仿真系统的人机交互语言/（126） 本章小结/（132） 习题/（133）第10章 二维工艺仿真实例/（134） 10.1 二维选择性定域刻蚀的实现/（134） 本章小结/（149） 习题/（149）第11章 可制造性设计工具/（151） 11.1 新一代集成工艺仿真系统Sentaurus Process/（152） 11.1.1 Sentaurus Process简介/（152） 11.1.2 Sentaurus Process的安装及启动/（153） 11.1.3 创建Sentaurus Process批处理卡命令文件/（153） 11.1.4 Sentaurus Process批处理文件执行的主要命令语句/（154） 11.1.5 Sentaurus Process所设置的文件类型/（157） 11.2 Sentaurus Process的仿真功能及交互工具/（158） 11.2.1 Sentaurus Process的仿真领域/（158） 11.2.2 Sentaurus Process提供的数据库浏览器/（159） 11.2.3 Sentaurus Process图形输出结果调阅工具/（160） 11.3 Sentaurus Process所收入的近代模型/（161） 11.3.1 Sentaurus Process中的离子注入模型/（162） 11.3.2 Sentaurus Process中的小尺寸扩散模型/（163） 11.3.3 Sentaurus Process对局部微机械应力变化描述的建模/（163） 11.3.4 Sentaurus Process中基于原子动力学的蒙特卡罗扩散模型/（164） 11.3.5 Sentaurus Process中的氧化模型/（164） 11.4 Sentaurus Process工艺仿真实例/（165） 11.4.1 工艺制程设计方案/（165） 11.4.2 工艺仿真卡命令文件的编写/（168） 11.4.3 仿真实例卡命令文件范本/（177） 11.4.4 工艺制程仿真结果/（181） 11.4.5 工艺仿真结果的分析/（183） 11.5 关于Sentaurus StructureEditor器件结构生成器/（184） 11.5.1 Sentaurus Structure Editor概述/（184） 11.5.2 使用SDE完成由Process到Device的接口过渡/（186） 11.5.3 使用Sentaurus StructureEditor创建新的器件结构/（190） 本章小结/（194） 习题/（194）第12章 可制造性设计理念/（196） 12.1 纳米级IC可制造性设计理念/（197） 12.1.1 DFM 技术的实现流程/（197） 12.1.2 DFM与工艺可变性、光刻之间的关系/（198） 12.1.3 DFM工具的发展/（200） 12.2 提高可制造性良品率的OPC技术/（201） 12.2.1 光刻技术的现状与发展概况/（201） 12.2.2 关于光学邻近效应/（202） 12.2.3 光学邻近效应校正技术/（203） 12.2.4 用于实现光刻校正的工具软件/（207） 12.3 Synopsys可制造性设计解决方案/（210） 12.3.1 良品率设计分析工具套装/（211） 12.3.2 掩膜综合工具/（212） 12.3.3 掩膜数据准备工具CATSTM/（213） 12.3.4 光刻验证及光刻规则检查系统/（213） 12.3.5 虚拟光掩膜步进曝光模拟系统/（214） 12.3.6 TCAD可制造性设计工具/（214） 12.3.7 制造良品率的管理工具/（217） 本章小结/（217） 习题/（218）参考文献/（219）
· · · · · · (收起)