第一部分 單個射頻模塊第1章 低噪聲放大器 1.1 引言 1.2 單端單管低噪聲放大器 1.3 單端級聯低噪聲放大器 1.4 帶自動增益控製(AGC)性能的低噪聲放大器 參考文獻第2章 混頻器 2.1 引言 2.2 無源混頻器 2.3 有源混頻器 2.4 設計方案 附錄 參考文獻第3章 差分對 3.1 為什麼需要差分對 3.2 可以用一個電容來隔離直流偏置嗎 3.3 差分對電路的基本原理 3.4 CMRR(共模抑製比) 附錄 參考文獻第4章 射頻巴侖 4.1 引言 4.2 變壓器巴侖 4.3 LC巴侖 4.4 微帶綫巴侖 4.5 混閤巴侖 附錄 參考文獻第5章 調諧濾波器 5.1 通信係統中的調諧濾波器 5.2 兩個諧振迴路間的耦閤 5.3 電路描述 5.4第二耦閤的效果 5.5 性能 參考文獻第6章 壓控振蕩器 6.1 “三點”式振蕩器 6.2 其他單端振蕩器 6.3 壓控振蕩器與鎖相環 6.4 單端VCO的設計實例 6.5 差分VCO與四相製VCO 參考文獻第7章 功率放大器 7.1 功率放大器的分類 7.2 單端型功率放大器設計 7.3 單端型功率放大器集成電路設計 7.4 推挽式功率放大器設計 7.5 帶溫度補償的功率放大器 7.6 帶輸齣功率控製的功率放大器 7.7 綫性功率放大器 參考文獻 第二部分 設計技術和技巧第8章 射頻電路設計和數字電路設計的不同方法 8.1 數模兩類電路的分歧 8.2 通信係統中射頻電路模塊和數字電路模塊的差彆 8.3 結論 8.4 高速數字電路設計的注意點 參考文獻第9章 電壓與功率傳輸 9.1 電壓從源傳輸到負載 9.2 功率從源傳輸到負載 9.3 阻抗共軛匹配 9.4 阻抗匹配的附加作用 附錄 參考文獻第10章 窄帶阻抗匹配 10.1 引言 10.2 藉助於調整迴波損耗進行阻抗匹配 10.3 由單個元件構成的阻抗匹配網絡 10.4 兩個元件構成的阻抗匹配網絡 10.5 由三個元件構成的阻抗匹配網絡 10.6 當Zs或ZL不為50 Ω時的阻抗匹配 10.7 阻抗匹配網絡中的元件 附錄 參考文獻第11章 寬帶阻抗匹配 11.1 史密斯原圖上的窄帶和寬帶迴波損耗 11.2 插入一個元件構成的臂或分支引起的阻抗變化 11.3 插入由兩個元件構成的臂或分支引起的阻抗變化 11.4 UMB係統IQ調製器設計中的阻抗匹配 11.5 寬帶阻抗匹配網絡的討論 參考文獻第12章 器件的阻抗和增益 12.1 引言 12.2 密勒效應 12.3 雙極晶體管的小信號模型 12.4 CE(共射)結構的雙極晶體管 12.5 CB(共基)結構的雙極晶體管 12.6 CC(共集)結構的雙極晶體管 12.7 MOSFET晶體管的小信號模型 12.8 雙極晶體管和MOSFET晶體管的相似點 12.9 CS(共源)結構的MOSFET晶體管 12.10 CG(共柵)結構的MOSFET晶體管 12.11 CD(共漏)結構的MOSFET晶體管 12.12 不同結構雙極晶體管和MOSFET晶體管的比較 參考文獻第13章 阻抗測量 13.1 引言 13.2 標量電壓測量與矢量電壓測量 13.3 采用網絡分析儀直接測量阻抗 13.4 用網絡分析儀進行阻抗測量的另一種方法 13.5 藉助環形器進行阻抗測量 附錄 參考文獻第14章 接地 14.1 接地的含義 14.2 隱藏在原理圖中可能的接地問題 14.3 不良或不閤適的接地舉例 14.4 “零”電容 14.5 1/4波長微帶綫 附錄 參考文獻第15章 接地麵的等勢性和電流耦閤 15.1 接地麵的等勢性 15.2 前嚮和反嚮電流耦閤 15.3 具有多層金屬層的PCB或IC芯片 附錄 參考文獻第16章 射頻集成電路(RFIC)與片上係統(SoC) 16.1 乾擾和隔離 16.2 使用金屬盒屏蔽射頻模塊 16.3 發展射頻集成電路的強烈需求 16.4 沿著集成電路襯底傳輸的乾擾信號 16.5 抑製來自外部空間的乾擾的方法 16.6 在射頻模塊和RFIC設計中應遵循的共同接地規則 16.7 射頻集成電路設計中遇到的瓶頸 16.8 片上係統的前景 16.9 下一個是什麼 附錄 參考文獻第17章 産品設計的可製造性 17.1 引言 17.2 6σ設計的含義 17.3 逼近6σ設計 17.4 濛特卡洛分析 附錄 參考文獻 第三部分 射頻係統分析第18章 射頻電路設計中的主要參量與係統分析 18.1 引言 18.2 功率增益 18.3 噪聲 18.4 非綫性 18.5 其他參量 18.6 射頻係統分析示例 附錄 參考文獻
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