电子技术基础实验 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:人民邮电出版社

作者:

出品人:

页数:0

译者:

出版时间:1998-11-01

价格:17.0

装帧:

isbn号码:9787115070807

丛书系列:

图书标签:

• 电子技术
• 基础实验
• 电路原理
• 模拟电子
• 数字电子
• 实验教学
• 高等教育
• 电子工程
• 实践教学
• 大学教材

好的，根据您的要求，以下是一份针对“电子技术基础实验”这本书的图书简介，其内容将严格围绕其他电子技术领域展开，不提及原书的任何具体内容，并力求详实自然。 --- 聚焦前沿：先进半导体器件物理与应用 一部深入探索现代电子核心驱动力的权威指南 在信息时代的高速发展背景下，电子技术正以前所未有的速度迭代更新。本书并非对基础电路原理的简单复述，而是将目光投向了决定未来电子设备性能的先进半导体材料、新型器件结构及其在高频、高功率应用中的物理机制。 本书专为具有一定电子学基础，渴望深入理解当代微电子技术核心瓶颈与前沿突破的研究人员、高级工程师及研究生设计。我们致力于构建一座连接理论物理与尖端工程实践的桥梁。 第一部分：超高频与射频（RF/mmWave）器件的物理极限 随着5G/6G通信、毫米波雷达以及太赫兹（THz）系统的部署，对电子元件的频率响应提出了近乎苛刻的要求。本部分深度剖析了硅基锗（SiGe）、砷化镓（GaAs）以及氮化镓（GaN）等化合物半导体材料在高速电子学中的应用优势与局限。 关键章节聚焦： 异质结双极晶体管（HBT）的载流子输运机制： 详细阐述了如何通过精确控制异质结界面能带结构，实现更高的截止频率 ($f_T$) 和最大振荡频率 ($f_{max}$)。探讨了势垒层设计对热稳定性和击穿电压的影响。 高电子迁移率晶体管（HEMT）的量子效应： 深入分析二维电子气（2DEG）的形成、电子的德布罗意波长效应，以及如何利用AlGaN/GaN结构中的高电子密度和高饱和速度来设计大功率、高效率的射频功率放大器（PA）。 射频无源元件的电磁兼容性（EMC）设计： 探讨在芯片级和封装级，电感器、电容器的寄生参数对Q值和S参数的影响，并引入基于电磁场仿真工具的优化方法。 第二部分：功率半导体与宽禁带（WBG）材料革新 能源效率已成为电子系统设计的核心指标。本书重点解析了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体在电力电子领域的革命性作用，它们是电动汽车、快速充电以及可再生能源并网系统的关键所在。 核心内容剖析： WBG器件的缺陷工程与可靠性： 宽禁带材料虽然具有极高的击穿电场强度，但其在晶圆制造过程中引入的缺陷（如微管、陷阱态）如何影响器件寿命和导通电阻 ($R_{DS(on)}$) 的稳定性，是本部分研究的重点。详细介绍了先进的缺陷钝化技术。 MOSFET与肖特基势垒二极管（SBD）的结构优化： 对比分析了SiC MOSFET在驱动电路复杂性上的挑战与SiC SBD在反向恢复损耗上的优势。阐述了如何通过优化沟道材料的掺杂梯度和栅氧厚度，实现低损耗开关。 热管理与封装挑战： 功率器件的高温工作特性要求突破传统的硅封装限制。讨论了直接键合（Direct Bonded Copper, DBC）基板、热界面材料（TIM）的选择，以及如何通过三维（3D）异构集成来降低热阻。 第三部分：先进集成电路的存储与逻辑范式转变 随着摩尔定律的物理极限逼近，传统CMOS技术正面临功耗墙和性能瓶颈。本书探讨了超越冯·诺依曼架构的新型存储器和类脑计算的硬件基础。 前沿探索： 非易失性存储器（NVM）的物理学： 深入解析了电阻随机存取存储器（RRAM）的导电桥形成与断裂机制，磁阻随机存取存储器（MRAM）的自旋转移力矩（STT）效应。讨论了它们在密度、读写速度与耐久性之间的权衡。 忆阻器（Memristor）在阵列计算中的潜力： 详细介绍了忆阻器的基本拓扑结构（如氧化物薄膜）及其作为突触元件在神经网络硬件加速器中的应用潜力，着重于如何实现原位计算（In-situ Computing）以减少数据搬运导致的能耗。 自旋电子学（Spintronics）的逻辑应用： 超越传统电荷作为信息载体，探索利用电子的自旋角动量来实现更低功耗的逻辑开关器件，如自旋场效应晶体管（Spin-FET）的基本原理与制造难点。 第四部分：微纳加工技术与可靠性工程 理解器件的物理特性离不开对其制造过程的深刻认识。本部分提供了从纳米尺度光刻到薄膜沉积的先进工艺视角。 技术深度解析： EUV光刻的物理光学限制： 分析了极紫外光刻（EUV）在提高分辨率时面临的掩模污染、光刻胶反应动力学等挑战，以及对下一代逻辑节点（如2nm及以下）制造的影响。 原子层沉积（ALD）与精确控制： 探讨了ALD技术如何实现亚纳米级的薄膜厚度和优异的共面性，这对制造高K/金属栅极结构至关重要。 失效物理学与器件寿命预测： 针对新型器件结构，阐述了热载流子注入（HCI）、偏置温度不稳定性（BTI）等关键失效机制的物理模型，并介绍了加速寿命测试（ALT）的设计规范，确保高可靠性系统的长期运行。 通过对这些尖端领域——从材料本质到系统集成——的全面覆盖，本书旨在为读者提供一套连贯、深入且极具前瞻性的知识体系，使其能够驾驭未来十年电子技术领域的核心创新浪潮。 --- 读者对象： 微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统、物理电子学、电力电子工程等相关专业的研究生、博士后、高级研发工程师及高校教师。

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这本书在语言风格上展现出一种老派学者的严谨与亲切并存的独特气质。它的句子结构多变，不拘泥于单一的说明文体，有时会用一种设问引导的方式来引入一个新概念，比如：“我们已经知道三极管可以放大信号，但它内部的电荷迁移过程究竟是如何受到集电区和发射区掺杂浓度的影响的呢？”这种提问式的引入，能瞬间将读者的注意力集中起来。此外，书中对一些晦涩的物理现象的描述，采用了非常生活化的类比。例如，解释电容的等效损耗时，它将介质损耗比作海绵吸水后挤压时释放的热量，形象而易懂，避免了直接陷入复杂的介电常数理论。这种教学上的“循循善诱”，使得即便是面对那些原本令人头疼的电磁场和波动的初级概念时，学习过程也变得相对轻松愉快。它成功地做到了将高精尖的电子科学知识，通过巧妙的表达方式，降低了学习的心理门槛，让更多有志于此的人能够安心地沿着它的指引，稳步前进，真正体会到电子世界的奇妙。

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我对这本书的评价，必须得从它那股子“务实”的气息说起。现在的很多教材，总喜欢在开头搞一堆高深莫测的数学推导，让人望而生畏。而这本，则完全是反其道而行之，它更像是直接从车间车床上打磨出来的作品。最让我印象深刻的是它对“故障排除”这一块的论述。书中有一个专门的章节，列举了十几种常见的低压电路故障现象，比如晶体管集电极开路、基极短路这些教科书上不常提的“疑难杂症”，并配上了对应的测量步骤和仪器设置建议。我曾经在毕业设计中遇到过一个周期性脉冲宽度不稳定的情况，怎么都找不到原因，后来按照书中的系统性排查流程，一步步量测关键节点电压和波形，最终发现是某个三极管的参数漂移导致的。这种将理论知识立刻转化成实操技能的引导方式，极大地提升了我对基础电路信心的建立。它没有试图让你成为理论物理学家，而是让你成为一个能把电路点亮并稳定运行的工程师。这本书的价值，就在于它弥补了课堂教学与实际工程应用之间的巨大鸿沟，填补了大量实践经验的书面空白，是工具箱里不可或缺的一员。

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阅读体验上，这本书的逻辑推进方式非常流畅，作者似乎对学习者的认知曲线有着深刻的理解。它没有一开始就陷入复杂的集成电路理论，而是花了相当大的篇幅去夯实基础，特别是对半导体 PN 结的物理过程解释得细致入微，但又避免了过于冗余的量子力学阐述，保持了一种恰到好处的深度。我尤其欣赏它在每一章末尾设置的“拓展阅读”或“历史沿革”小栏目。比如，在讲到运算放大器（Op-Amp）的应用时，它不仅给出了理想模型，还提到了早期磁放大器和真空管放大器的历史背景，这让枯燥的电子元件历史变得生动起来，也让我理解了为什么现在会有这种架构的芯片出现。这种纵深感，让这本书不仅仅是一本“如何做”的手册，更是一部关于“为什么是这样”的微型发展史。当我阅读到后面关于数字逻辑电路和模拟电路的接口章节时，能够清晰地看到前面对晶体管开关特性理解是如何为后面建立逻辑门的基础，衔接得浑然天成，没有突兀的跳跃感，让人读起来非常过瘾，仿佛在攀登一座结构精良的金字塔。

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这本书的装帧设计真是没的说，封面那种磨砂质感拿在手里就很舒服，配色也挺沉稳的，一看就是正经的工具书范儿。不过，我最关注的还是内容本身。我之前对电路图的理解总是停留在理论层面，读到一些复杂的拓扑结构就容易犯迷糊。这本书在讲解基本元器件特性的时候，没有一股脑地堆砌公式，而是大量采用了图示和实际应用场景的描述，这一点对我这个“动手型”学习者来说太友好了。比如讲到二极管的正向导通和反向截止，它不是简单地画个I-V曲线就完事了，而是结合了一个实际的限幅电路例子，非常直观地展示了它在不同偏置下的作用。我记得有一次我在调试一个电源模块时遇到了一个奇怪的纹波问题，回去翻阅这本书时，正好对应上了它对滤波电路的深入剖析章节，里面关于电容等效串联电阻（ESR）对高频特性的影响分析得特别透彻，让我茅塞顿开，最终找到了问题所在。全书的排版清晰度也值得称赞，关键术语都有加粗或者用不同字体区分，即便是长时间阅读也不会感到眼睛疲劳。整体感觉这本书就像一位经验丰富的老工程师在旁边手把手地指导你，不急不躁，条理分明，为我们这些初学者铺平了通往专业知识的大道。

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如果用一个词来形容这本书，那一定是“详尽”。它不是那种只讲主流方案的参考书，它更像是一份包含各种“边缘情况”的百科全书。比如，它对不同温度下电阻、电容的容差和衰减特性有专门的表格和图解，这在进行高精度电路设计时至关重要，但这些细节在很多标准教材中常常被一笔带过。书中对于PCB布局和电源去耦的讲解，也体现了极强的工程敏感度。它不仅告诉你应该在哪里放置去耦电容，还详细解释了电容的引线电感对高频信号的影响，并提供了推荐的布局距离和过孔设计建议。我曾按照书中的建议，优化了一个我朋友设计的射频模块的PCB布局，原本信号串扰严重的模块，在重新布局后，抗干扰能力有了显著提升。这种对细节的执着，使得这本书的知识密度非常高，即使是多年工作的老手，也可能会从中找到新的启发点，它更像是一本可以时常翻阅、常读常新的案头必备参考书，而不是一本读完就可以束之高阁的入门读物。

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