具体描述
本书是依据高等职业教育的特点编写的，是一本将集成电路的制造工艺原理和制造技术融为一体的教材。
由于硅器件占据了微电子产品的绝大部分领域，所以本教材以硅平面工艺为主线，同时也介绍砷化镓之类其他工艺。本书共15章，介绍了硅单晶制备；外延、氧化、溅射（蒸发）、化学气相淀积等薄膜制备技术；扩散、离子注入等掺杂技术；制版、光刻、刻蚀、CAD等图形加工技术；金属化和平坦化、组装工程、产品可靠性，以及洁净技术、去离子水制备等外围加工技术。
本书适合作为高职高专电子信息技术相关专业的教材，也适合作为从事微电子专业的中高级技术工人的培训教材。
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读后感
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用户评价
我对这本书抱有的期望是它能像一本详尽的“故障排除指南”。在集成电路制造中，工艺窗口的窄化使得任何微小的偏差都可能导致灾难性的后果。因此，我希望这本书能着重于工艺的鲁棒性（Robustness）和工艺集成（Process Integration）的艺术。具体来说，我关注的是不同工艺模块——离子注入、薄膜沉积、光刻、刻蚀——之间如何相互影响，形成一个复杂的耦合系统。例如，一个高能离子注入步骤对后续薄膜的应力分布会产生何种影响？或者，一个过度侵蚀（Over-etching）的工艺窗口是如何被严格限制的？我期待书中能提供大量的“工艺窗口图”（Process Window Charts）和参数敏感性分析，展示工艺参数（如温度、压力、气体流量、时间）与关键性能指标（如CD均匀性、薄膜厚度、接触电阻）之间的关系曲线。此外，关于工艺的“集成”部分，我希望看到如何将不同的工艺步骤按照逻辑顺序编排，以达到整体性能最优化的策略。如果这本书能用大量实例来展示如何通过调整工艺参数来解决实际生产中遇到的各种“疑难杂症”，哪怕是关于清洗残留物、薄膜界面缺陷或金属扩散问题的处理方法，那它对于任何一名身处生产一线的工程师来说，都将是无价之宝。这本书的价值，不在于它展示了多完美的过程，而在于它教会了我们如何应对不完美的过程。
评分这本《集成电路制造工艺》的描述着实引人入胜，光是书名就让人联想到现代科技的基石。我是一个对电子产品痴迷的爱好者，尤其对那些微小到肉眼几乎看不见的芯片是如何被“雕刻”出来的过程充满了好奇。我希望这本书能深入浅出地讲解从硅晶圆的准备到最终封装的每一个关键步骤。理想中的内容，应该详尽地描述光刻技术中的掩模制作、涂胶、曝光、显影，以及后续的刻蚀工艺，特别是干法刻蚀中的等离子体特性。此外，薄膜沉积技术，如CVD和PVD，如何精确地控制厚度和均匀性，对于器件性能至关重要，我期待书中能有细致的图示和理论推导。更进一步，高掺杂、离子注入的细节，以及后续的退火修复晶格损伤的过程，都是理解先进工艺节点（比如FinFET或GAA结构）的基础。这本书如果能把这些复杂的物理和化学反应，用生动的语言和直观的图表展示出来，那对我来说无疑是打开了通往微观世界的一扇窗。我特别关注的是，书中是否能讨论现代制造中面临的挑战，比如良率控制、缺陷检测与预防，以及如何应对量子隧穿效应等带来的物理极限问题。如果它能提供一些行业内实际案例的分析，那就更完美了，能让我更好地将理论知识与实际生产联系起来，不只是停留在教科书的层面。这本书给我的第一印象是：它是一个连接理论与实践的桥梁，有望彻底揭开现代电子设备“心脏”制造的神秘面纱。
评分我从这本书的宣传语中感受到了强烈的“工业实用性”气息，这对我这样一个正在准备进入半导体行业的新人来说，无疑是一剂强心针。我希望这本书能够提供一种类似于“SOP”（标准操作程序）的结构化思维。例如，在光刻胶的选择和配方分析这一块，内容是否会细致到不同类型的光刻胶（如正性与负性、KrF与ArF）在不同波长光源下的敏感度差异、对比度曲线的解读，以及如何根据设计规则（DRC）来选择合适的工艺窗口？对于清洗和去胶步骤，这往往是决定良率的隐形杀手，我期望书中能详细论述不同清洗液（如SC1/SC2的RCA清洁体系）的化学机理，以及超纯水（UPW）在整个流程中的关键作用和质量控制标准。此外，现代IC制造极其依赖自动化和在线检测。如果书中能加入关于量测（Metrology）技术的章节，比如椭偏仪测量薄膜厚度、扫描电子显微镜（SEM）对临界尺寸（CD）的分析，以及缺陷审计（Defect Audit）的流程，那就太棒了。这些“软知识”往往是学校课程中缺失的，但却是工厂里决定成败的关键。我需要这本书能教会我如何像一个经验丰富的工艺工程师那样思考问题，关注每一个可能导致批次报废的微小环节，构建一个完整的、可量化的工艺控制框架。
评分这本书的封面设计给我一种很“厚重”的历史感，这让我不禁猜测，它是否兼顾了经典与前沿的平衡。在我看来，理解“为什么”比知道“是什么”更重要。因此，我非常期待它能在回顾经典工艺的同时，提供清晰的演进脉络。比如，从早期的平面晶体管（Planar Transistor）到现在的三维结构（如FinFET），每一步工艺革新背后的物理限制和驱动力是什么？书中是否会系统地梳理摩尔定律的物理基础和其面临的当前瓶颈，例如功耗墙和散热问题？这需要作者对半导体器件物理学有深刻的理解，并将这些理论知识与具体的制造步骤紧密结合起来。对于新型材料的探讨，比如极紫外光刻（EUV）技术，我希望看到的不仅仅是EUV设备的介绍，更深层次地，它对光刻胶的敏感度、对掩模版的要求、以及对高阶像差的控制等制造层面的挑战和解决方案。如果这本书能用一种近乎“编年史”的方式，展示出半导体工艺是如何一步步克服材料和物理极限的，那它将不仅仅是一本技术手册，更是一部充满智慧与探索精神的行业发展史。我希望它能提供足够的理论深度，让我能够推断未来几代工艺可能的发展方向。
评分翻开这本书的目录，我的第一感受是它似乎在试图构建一个宏大的知识体系，但同时也让我担忧其内容的深度和广度是否能兼顾。我更倾向于那种能深入到材料科学层面进行探讨的书籍，而不是仅仅停留在工艺流程的表面介绍。例如，在金属互连线的形成过程中，我对低介电常数（Low-k）材料的引入及其带来的应力问题非常感兴趣。书中是否会详细分析这些新材料的化学结构、沉积机理，以及它们对芯片可靠性的影响？同样，对于先进的掺杂技术，比如选择性掺杂（Selective Doping）的最新进展，我希望能看到相关的半导体物理基础和实验数据支持。一个真正的“工艺”权威著作，绝不应该回避复杂的物理模型，比如PN结的建立、载流子迁移率的变化，以及工艺参数波动对电学特性的非线性影响。如果这本书能像一本高阶的工程手册那样，不仅告诉我“怎么做”，更重要的是解释“为什么必须这样做”，通过严谨的数学公式和实验验证来支撑每一个工艺步骤的选择，那它才真正配得上“集成电路制造工艺”这个沉重的名字。我期待它能提供足够的深度，让一个有一定电子学基础的工程师读完后，能够对自己的设计方案在制造可行性上做出更准确的预判，而不是泛泛而谈，读完后依然感到知识体系存在巨大的断层。这本书必须是那种可以反复研读，每次都有新发现的工具书，而非一次性读物。
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