第一章　矽的晶體結構
1.1　矽晶體結構的特點
1.2　矽晶體中的缺陷和雜質
1.2.1　點缺陷
1.2.2　綫缺陷
1.2.3　麵缺陷和體缺陷
1.2.4　矽中的雜質
1.2.5　雜質在矽晶體中的溶解度
1.3 切剋勞斯基（CZ）晶體生長
1.3.1　晶體生長理論
1.3.2　晶體生長規範
1.3.3　雜質和缺陷的考慮
1.3.4　晶體的特性和檢驗
1.4　矽的整形
1.4.1　整形加工
1.4.2　腐蝕
1.4.3　拋光
1.5　小結與展望
參考文獻
第二章　光刻
2.1　光刻工藝流程
2.1.1　光刻膠
2.1.2　塗膠
2.1.3　前烘（軟烤）
2.1.4　曝光
2.1.5　烘烤
2.1.6　顯影
2.1.7　堅膜
2.2　分辨率
2.3　紫外綫曝光
2.4　X射綫曝光與電子束曝光
2.4.1　X射綫曝光
2.4.2　電子束曝光
2.5　小結與展望
第三章　摻雜
3.1 擴散
3.1.1 固體中的擴散模型
3.1.2　菲剋一維擴散模型
3.2　測量技術
3.2.1　結深和薄層電阻
3.2.2　剖麵分布測量
3.3 離子注入
3.3.1　原理
3.3.2　設備
3.3.3　工藝技術
3.3.4　應用
3.4　小結與展望
第四章　氧化及熱處理
4.1　二氧化矽的結構及性質
4.1.1　結構
4.1.2　二氧化矽的主要性質
4.1.3　二氧化矽的掩蔽作用
4.2　矽的熱氧化
4.2.1　乾氧氧化
4.2.2　水汽氧化
4.2.3　濕氧氧化
4.3　橢偏光法測量二氧化矽薄膜厚度
4.4 熱處理
4.4.1　退火
4.4.2　矽化反應
4.4.3　熔流
4.4.4　固化
4.5　快速熱處理
4.6　小結與展望
第五章　薄膜工藝基礎與物理氣相沉積
5.1　薄膜沉積原理
5.1.1　沉積現像
5.1.2　形成晶核
5.1.3　晶粒成長
5.1.4　聚結
5.1.5　縫道填補與沉積膜成長
5.1.6　雜質的影響
5.1.7　沉積理論總結
5.2　超大規模集成電路中的鋁膜
5.2.1　Al/Si接觸及其改進
5.2.2　電遷移現像
5.3　物理氣相沉積（PVD）
5.4　濺射沉積
5.4.1　輝光放電的性質
5.4.2　濺射物理
5.4.3　濺射沉積膜的生長
5.4.4　射頻濺射
5.4.5　磁控濺射
5.4.6　偏置濺射
5.4.7　阻擋金屬的濺射鍍膜
5.4.8　鈦的應用
5.5　濺射沉積鍍膜設備
5.6　小結與展望
第六章　化學汽相沉積（CVD）
6.1　化學汽相沉積原理
6.1.1　復相生産薄膜的過程
6.1.2　Grove模型
6.1.3　邊界層與質量轉移係數
6.2　外延
6.3　介電材料CVD
6.3.1　二氧化矽
6.3.2　磷矽玻璃與硼磷矽玻璃
6.3.3　氮化矽
6.4　多晶矽CVD
6.4.1　沉積變量
6.4.2　結構
6.4.3　摻雜多晶矽
6.4.4　多晶矽的氧化
6.4.5　多晶矽的性質
6.5　金屬材料CVD
6.5.1　矽化鎢
6.5.2　鎢
6.6　CVD反應室
6.6.1 常壓及亞常壓化學汽相沉積反應室
6.6.2　低壓化學汽相沉積（LPCVD）反應室
6.6.3　等離子體增強型化學汽相沉積（PECVD）反應室
6.7　小結與展望
第七章　刻蝕
7.1 超大規模集成電路對圖形轉移的要求
7.2　等離子體增強刻蝕（乾法刻蝕）原理
7.3　二氧化矽的刻蝕
7.3.1　氧的作用
7.3.2　氫的作用
7.3.3　選擇性
7.3.4　反應氣體
7.4　氮化矽的刻蝕
7.5　多晶矽化金屬（Polycide）的刻蝕
7.6　鋁及鋁閤金的刻蝕
7.6.1　鋁的刻蝕
7.6.2　矽與銅的去除
7.6.3　鋁閤金的腐蝕
7.7　鎢的迴蝕
7.8　濕法刻蝕
7.9　終點檢測和損傷
7.9.1　光發射分光儀法
7.9.2　激光乾涉測量法
7.9.3　等離子體引起的損傷
7.9.4　等離子體工藝引起的微粒汙染
7.10　小結與展望
第八章　平坦化及多重內連綫工藝
8.1　鏇塗玻璃法（SOG）
8.2　化學機械拋光（CMP）
8.3　多重金屬化
8.4　小結與展望
第九章　超大規模集成電路工藝匯總
9.1　簡介
9.2　超大規模集成電路基本工藝模塊及器件
9.2.1 簡介
9.2.2 阱結構
9.2.3　隔離
9.2.4　漏極工程
9.2.5　淺結
9.2.6 自對準矽化
9.2.7　局部互連
9.2.8　自對準結構和接觸
9.2.9　多層互連
9.3　CMOS技術
9.3.1　簡介
9.3.2　生産工藝流程
9.3.3　特殊考慮
9.4　雙極技術
9.4.1　簡介
9.4.2　標準雙極工藝
9.4.3 自對準雙極結構和生産
9.4.4　特殊考慮
9.5　BiCMOS技術
9.5.1　簡介
9.5.2　不同的工藝設計方法
9.5.3　生産工藝流程
9.5.4　特殊考慮
9.6　MOS存儲器技術
9.6.1 動態隨機存取存儲器（DRAM）工藝技術
9.6.2　靜態隨機存取存儲器（SRAM）工藝技術
9.6.3　軟錯記的考慮
9.6.4　其它存儲器技術
9.7　超大規模集成電路生産工藝匯總的考慮
9.7.1　簡介
9.7.2　設計規則
9.7.3　封裝密度
9.7.4　颱階高度
9.7.5　工藝窗口和工藝靈敏度
9.7.6　工藝參數監視
9.8　小結與展望
· · · · · · (收起)