半导体的检测与分析

半导体的检测与分析 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:科学
作者:许振嘉
出品人:
页数:635
译者:
出版时间:2007-8
价格:98.00元
装帧:
isbn号码:9787030194626
丛书系列:
图书标签:
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具体描述

《半导体的检测与分析(第2版)》的内容与1984年第一版的内容完全不同。《半导体的检测与分析(第2版)》介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章,包括引论,半导体的高分辨X射线衍射,光学检测与分析,表面、薄膜成分分析,扫描探针显微学在半导体中的运用,透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例,同时附有大量参考文献和常用的数据,以便读者进一步参考和应用。《半导体的检测与分析(第2版)》可供从事半导体科研和生产的科研人员,大专院校老师和研究生使用。

好的,这是一份针对《半导体的检测与分析》一书的图书简介,内容详尽且不包含该书任何信息: --- 《天体物理前沿探索:从引力波到暗物质》 导读:揭示宇宙深层的奥秘 本书旨在为读者构建一个理解当代天体物理学核心议题的完整框架。在人类对宇宙的认知不断深化的今天,我们正站在一个前所未有的观测前沿,借助先进的探测技术,我们得以窥探那些曾经只存在于理论猜想中的现象。本书聚焦于引力波天文学的兴起、暗物质与暗能量的本质探索,以及极端天体环境下的物质行为。它不仅仅是一部知识的汇编,更是一次深入前沿科学思维的旅程,带领读者理解科学家们如何利用跨学科的方法,解开宇宙最宏大谜题。 第一部分:引力波天文学的黎明 引力波,即时空结构的涟漪,是爱因斯坦广义相对论的直接预言。自2015年LIGO首次直接探测到双黑洞并合事件以来,引力波天文学正式开启了一个全新的观测时代。 1. 相对论基础与波的产生机制: 本部分将详细阐述理解引力波所需的广义相对论核心概念,包括时空弯曲、测地线运动,以及如何从相对论场方程中推导出引力波的辐射形式。重点分析黑洞、中子星等极端天体并合过程中引力波的“啁啾”信号特征——从旋进(Inspiral)、并合(Merger)到铃振(Ringdown)的三个阶段。 2. 探测技术的工程奇迹: 深入剖析激光干涉引力波天文台(LIGO、Virgo、KAGRA)的运作原理。探讨如何利用高精度激光干涉仪实现对微小时空形变(量级小于原子核直径的百万分之一)的测量。这部分内容将详述真空系统、超高精度光学元件、隔振系统的设计挑战与突破,以及信号提取与噪声抑制的关键技术。 3. 多信使天文学的兴起: 2017年GW170817——双中子星并合事件的观测,标志着引力波与电磁波多信使天文学时代的正式到来。本书将详细分析伽马射线暴(GRB)、千新星(Kilonovae)现象与引力波信号如何协同工作,为我们揭示重元素(如金、铂)的起源机制,并用于独立测量哈勃常数,为宇宙学提供新的标尺。 第二部分:暗物质与暗能量的世纪之谜 宇宙的绝大部分(约95%)由我们看不见、摸不着的暗物质和暗能量构成。如何“看见”这些隐形的构成者,是现代物理学的核心任务之一。 1. 暗物质的间接证据与候选者: 本部分梳理了支持暗物质存在的四大关键证据:星系旋转曲线异常、星系团的维里里系数、宇宙微波背景(CMB)的精确测量,以及引力透镜效应的观测。随后,系统介绍当前主流的暗物质粒子候选模型,包括弱相互作用重粒子(WIMPs)、轴子(Axions)等,并对比不同模型在可观测性上的差异。 2. 寻找暗物质的实验布局: 详细介绍寻找直接撞击地球的暗物质粒子(如WIMPs)的地下直接探测实验(如XENONnT, PandaX),以及通过探测暗物质湮灭或衰变产物(如高能伽马射线、中微子)的间接探测实验(如费米-伽马射线空间望远镜、AMS-02)。同时,探讨利用粒子加速器(如LHC)间接寻找暗物质的尝试。 3. 暗能量的宇宙学模型: 探讨宇宙加速膨胀的发现及其对标准宇宙学模型(ΛCDM)的冲击。分析暗能量的本质——宇宙学常数(Λ)与更具动态性的第五种力模型(如昆虫理论)之间的竞争。利用斯隆数字巡天(SDSS)和暗能量巡天(DESI)的数据,评估不同暗能量方程状态参数($w$)的观测约束。 第三部分:极端天体物理的实验室 恒星的生命终结和超大质量黑洞的活动,为检验物理定律提供了最严苛的环境。 1. 黑洞的观测进展与视界物理: 介绍事件视界望远镜(EHT)对M87和人马座A的直接成像成果,重点分析阴影的几何结构如何验证广义相对论在强引力场下的有效性。探讨黑洞吸积盘的物理过程、喷流的形成机制及其辐射谱的特性。 2. 中子星的内部结构与状态方程: 中子星是宇宙中密度最高的稳定天体。本书将分析如何通过测量其质量、半径和潮汐形变参数,来约束构成中子星物质的超高密度状态方程(EoS)。讨论中子星的磁场(磁星)的极端性质及其对周围环境的影响。 3. 高能宇宙射线与起源: 探讨超高能宇宙射线(UHECRs)的性质、来源和传播路径的挑战。分析“GZK截止”效应,并评估活跃星系核(AGN)或快速射电暴(FRB)作为这些极端粒子加速器的潜力。 结语:展望未来十年的观测前沿 本书最后将展望未来十年天体物理学的发展方向,包括詹姆斯·韦伯空间望远镜(JWST)在早期宇宙星系形成中的突破、下一代引力波探测器(如LISA,用于探测低频引力波)的部署,以及地下中微子望远镜(如IceCube-Gen2)对暗物质和宇宙射线起源的持续追溯。通过这些尖端技术的集成,人类有望在解决宇宙基本构成和演化问题的道路上取得决定性的进展。 目标读者: 本书适合物理学、天文学、工程技术相关专业的高年级本科生、研究生,以及对宇宙学、相对论和前沿观测技术有浓厚兴趣的科研工作者与爱好者阅读。它要求读者具备基础的微积分和经典物理知识。 ---

作者简介

目录信息

前言第1章 引论 1.1 科学内容 1.2 实验技术 1.3 展望 参考文献第2章 半导体晶体的高分辨x射线衍射 2.1 引言 2.2 半导体晶体结构与结构缺陷 2.3 X射线平面波的衍射 2.4 高分辨X射线衍射的限束 2.5 异质外延多层膜的X射线双晶衍射 2.6 三轴衍射 2.7 晶格参数的精确测量 2.8 镶嵌结构的测量 2.9 镜面反射与面内掠入射 参考文献 附录第3章 光学性质检测分析 3.1 引言 3.2 半导体光致发光 3.3 半导体的阴极荧光 3.4 吸收光谱及与其相关的薄膜光谱测量方法 3.5 拉曼散射 参考文献第4章 表面和薄膜成分分析 4.1 引言 4.2 俄歇电子能谱 4.3 X射线光电子谱 4.4 二次离子质谱 4.5 卢瑟福背散射 参考文献 附录第5章 扫描探针显微学在半导体中的运用 5.1 引言 5.2 扫描隧道显微镜的基本原理 5.3 用STM分析表面结构 5.4 扫描隧道谱 5.5 弹道电子发射显微镜 5.6 原子力显微镜 5.7 原子力显微镜用于表面分析 5.8 扫描电容显微镜 5.9 静电力显微镜 5.10 磁力显微镜 5.11 扫描近场光学显微镜 5.12 原子操纵与纳米加工 参考文献第6章 透射电子显微学及其在半导体研究中的应用 6.1 引言 6.2 透射电子显微镜的基本构造及工作原理 6.3 显微像衬度 6.4 其他技术 6.5 应用实例 6.6 结语 参考文献 附录第7章 半导体深中心的表征 7.1 深能级瞬态谱技术 参考文献 7.2 热激电流 参考文献
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读后感

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用户评价

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说实话,我本来对这类技术书籍的阅读体验期望不高,通常都是文字密密麻麻,图文分离,晦涩难懂。但是这本《半导体的检测与分析》,完全刷新了我的认知。它的叙述风格非常流畅,作者似乎有一种神奇的魔力,能将枯燥的半导体物理和复杂的仪器操作,用一种近乎讲故事的方式娓娓道来。比如它在介绍扫描电子显微镜(SEM)原理那部分,没有直接堆砌公式,而是先描绘了一个工程师在实际工作中遇到‘看不见’的微观问题,然后引出SEM是如何像一把‘电子探针’一样去‘触摸’和‘观察’材料表面的过程。这种以问题驱动的讲解方式,极大地激发了我的阅读兴趣。我发现自己不再是被动地接受信息,而是主动地思考“如果我用这个方法去检测某种材料,我会看到什么结果?”这本书在理论深度和实际应用之间找到了一个极佳的平衡点,让我感觉这不是一本高冷的教科书,更像是一位经验丰富的前辈,在手把手地指导我如何成为一个优秀的半导体检测工程师。

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我作为一个已经工作了好几年的工程师,手里堆了不少不同厂商的技术手册和培训资料,但总感觉这些资料零散且缺乏系统性。直到我接触到这本书,才有一种“终于把散落的珍珠串成了一条项链”的感觉。它最大的价值在于提供了一个宏观的视野,将半导体从材料准备、器件制造到最终的性能评估,形成了一个完整的闭环。以前我只关注我手头那块晶圆或那颗芯片的某个特定环节,对于前后工序的影响理解是片面的。这本书通过其结构化的内容,让我清晰地看到了上游的工艺偏差是如何在下游的检测环节中被放大的。更让我印象深刻的是,书中对于不确定度分析和数据统计处理的讲解非常到位,这在追求“六西格玛”精度的现代半导体产业中是至关重要的。它强调了“测量即科学”,不仅仅关注结果,更关注我们是如何得到这个结果的,以及这个结果的可靠程度,这才是真正体现专业素养的地方。

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我必须得提一下这本书的装帧和印刷质量,这对于一本需要频繁翻阅和做笔记的专业书籍来说太重要了。纸张的选取非常考究,摸起来厚实且略带哑光,即使用荧光笔涂抹也不会洇墨,这对于我这种喜欢在书上做大量标记的读者来说简直是福音。更重要的是,书中的插图和数据图表采用了高质量的彩色印刷,色彩还原度非常高,这在分析光谱图或者电学特性曲线时显得尤为关键。很多其他技术书籍在这方面都偷工减料,结果关键的波峰波谷区域都模糊不清。而这本书对细节的坚持,体现了出版方对内容专业性的尊重。读到关于材料表征技术的章节时,那些原子力显微镜(AFM)获取的三维形貌图,细节清晰到可以分辨出纳米尺度的粗糙度变化,让我对半导体制造中对表面平整度的苛刻要求有了更直观的理解。这本书的实体书本身,就是一件值得收藏的工具书。

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这本书的深度和广度实在令人惊叹,它不仅仅关注了主流的硅基技术,更花费了大量篇幅去探讨第三代半导体(如GaN和SiC)的特性与失效分析方法。这一点非常符合当前产业升级的需求,因为很多老旧的教材往往滞后于技术发展,内容更新缓慢。而这本书显然是紧跟前沿的,它详细剖析了这些新型材料在高温、高频应用下所特有的物理机制和相应的检测难点。特别是关于可靠性测试和失效分析(Failure Analysis)的部分,简直可以作为一份标准操作流程手册来使用。作者罗列了各种失效模式,并针对每一种模式推荐了最优的分析工具链——从初步的电性测试到深入的物理破坏性分析,逻辑清晰,层层递进。对于一个希望在这个领域做出创新性研究的人来说,这本书提供的不仅仅是知识,更是一种解决复杂工程问题的思维框架。它教会我们如何系统地、有逻辑地去“审问”一块芯片,找出它隐藏的问题所在。

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哇,这本书的封面设计真是太抓人了,那种深邃的蓝色调配上精密的电路图纹理,一眼就能感觉到里面蕴含着硬核的技术干货。我拿到手的时候,首先被它的厚度给震撼到了,这绝不是那种泛泛而谈的科普读物,显然是下了大功夫的专业书籍。我本来对这个领域只是有一些模糊的认识,想找本入门级的来看看,结果翻开目录,嚯,里面涉及到的晶圆制造、光刻技术、薄膜沉积等等术语,感觉每一个章节都像是一个深不见底的知识黑洞,需要我全神贯注地去探索。尤其看到关于缺陷控制和良率提升的那几章,那种对细节的极致追求,简直让人肃然起敬。我猜这本书的作者肯定是在这个行业浸淫了多年,才能把如此复杂的工艺流程和背后的物理化学原理描述得如此有条理,读起来虽然压力山大,但每次啃下一个知识点,都有一种“原来如此”的成就感,非常适合那些已经对半导体有基础了解,想要迈向更深层次研究的工程师或者研究生。这本书的排版也非常清晰,图表质量极高,即便是那些复杂的能带结构图,也能通过精美的插图看得明白,为我后续的学习打下了坚实的基础。

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