《IGBT場效應半導體功率器件導論》以新一代半導體功率器件IGBT為主綫，係統地論述瞭場效應半導體功率器件的基礎理論和工藝製作方麵的知識。內容包括器件的原理、模型、設計、製作工藝等。重點討論IGBT，同時對其它器件如IGCT、CoolMOS、IGCT等也作瞭簡單介紹。書中注意強調基礎理論的闡述，並適當吸收該領域近期的研究報道，各章後都附有相關參考文獻，在書的最後還附有主要參考書目和貫穿全書統一使用的符號錶。
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