第1章 無綫電路設計基礎 1
1.1 概述 1
1.2 係統功能 2
1.3 無綫信道和調製要求 5
1.3.1 引言 5
1.3.2 信道衝激響應 7
1.3.3 多普勒效應 11
1.3.4 傳遞函數 12
1.3.5 信道衝激響應的時變特性和傳遞函數的時變特性 12
1.3.6 研究總結 14
1.3.7 無綫信號舉例：GSM中的TDMA係統 15
1.3.8 從GSM到UMTS再到LTE的發展 25
1.4 關於比特、符號和波形 26
1.4.1 引言 26
1.4.2 數字調製技術基礎 33
1.5 無綫係統分析 45
1.5.1 模擬與數字接收機設計 45
1.5.2 發射機 54
1.6 框圖組成 71
1.7 係統性能及其與電路設計的關係 75
1.7.1 係統噪聲和噪聲基底 75
1.7.2 係統的幅度特性和相位特性 79
1.8 測試 99
1.8.1 引言 99
1.8.2 發射和接收質量 99
1.8.3 基站仿真 108
1.8.4 GSM 109
1.8.5 DECT 109
1.9 C/N或SNR到Eb/N0的變換 110
參考文獻 111
推薦讀物 112
第2章 有源器件模型 114
2.1 二極管 115
2.1.1 大信號二極管模型 115
2.1.2 混頻二極管和檢波二極管 118
2.1.3 PIN二極管 125
2.1.4 變容二極管 139
2.2 雙極型晶體管 173
2.2.1 晶體管的結構類型 173
2.2.2 雙極晶體管的大信號性能* 175
2.2.3 正嚮有源區的大信號晶體管 187
2.2.4 采用異質結構提高射頻性能 193
2.2.5 集電極電壓對BJT管正嚮有源區的大信號特性的影響 195
2.2.6 HBT處於正嚮有源區時集電極的電流和電壓對大信號特性的影響 196
2.2.7 飽和區和反嚮有源區 199
2.2.8 自熱 203
2.2.9 雙極型晶體管的小信號模型 205
2.3 場效應管 207
2.4 結型場效應管的大信號性能 213
2.4.1 JFET的小信號特性 217
2.4.2 MOSFET的大信號特性 221
2.4.3 MOS場效應管處於飽和區時的小信號模型 227
2.4.4 場效應管的短溝道效應 230
2.4.5 MOSFET場效應管的小信號模型 234
2.4.6 III-V材料的MESFET場效應管和HEMT場效應管 249
2.4.7 GaAs MESFET和HEMT的小信號模型 258
2.5 有源器件的參數提取 283
2.5.1 概述 283
2.5.2 典型的SPICE參數 283
2.5.3 噪聲建模 285
2.5.4 器件模型的縮放因子 292
2.5.5 建立“參數提取”的數據庫 293
2.5.6 結論 309
2.5.7 器件庫 310
2.5.8 MESFET管的物理模型 310
2.5.9 實例：改進BRF193W模型 313
參考文獻 314
推薦讀物 316
第3章 基於BJT與FET的放大器設計 317
3.1 放大器的特性 317
3.1.1 引言 317
3.1.2 增益 321
3.1.3 噪聲係數（NF） 325
3.1.4 綫性特性 348
3.1.5 自動增益控製（AGC） 359
3.1.6 偏置和電源電壓與電流（功耗） 365
3.2 放大器的增益、穩定性和匹配 368
3.2.1 S參數關係 369
3.2.2 低噪聲放大器 373
3.2.3 高增益放大器 404
3.2.4 低電壓集電極開路設計* 411
3.2.5 靈活匹配電路 418
3.3 單級反饋放大器 419
3.3.1 無損耗或無噪反饋 423
3.3.2 寬帶匹配 424
3.4 兩級放大器 424
3.5 三級或多級放大器 433
3.5.1 多級放大器的穩定性 437
3.6 一種壓控調諧濾波器的新方法及其CAD確認 437
3.6.1 二極管性能 437
3.6.2 VHF例子 440
3.6.3 HF/VHF壓控濾波器 442
3.6.4 改善VHF濾波器 444
3.6.5 總結 445
3.7 差動放大器 446
3.8 二倍頻器 449
3.9 有自動增益控製（AGC）的多級放大器 453
3.10 偏置 455
3.10.1 RF偏置 462
3.10.2 直流偏置 463
3.10.3 集成放大器的直流偏置電路 465
3.11 推挽/並聯放大器 466
3.12 功率放大器 468
3.12.1 實例1：輸齣為7W的1.6GHz C類BJT功率放大器 476
3.12.2 例子：高效率3.5GHz逆F類GaN HEMT功率放大器* 486
3.12.3 綫性放大器係統 495
3.12.4 用於射頻功率晶體管的阻抗匹配網絡 503
3.12.5 實例2：使用分布元件的低噪聲放大器 520
3.12.6 實例3：用CLY15的1W放大器 525
3.12.7 實例4：430MHz、90W推挽BJT放大器 530
3.12.8 能改善綫性度的準並聯晶體管 531
3.12.9 分配放大器 533
3.12.10 功率放大器的穩定性分析 533
參考文獻 540
推薦讀物 543
第4章 混頻器設計 546
4.1 概述 546
4.2 混頻器的性質 548
4.2.1 變頻增益（損耗） 548
4.2.2 噪聲係數 550
4.2.3 綫性 556
4.2.4 本振激勵電平 558
4.2.5 端口間隔離度 558
4.2.6 端口VSWR 559
4.2.7 直流失調 560
4.2.8 直流極性 560
4.2.9 功率消耗 560
4.3 二極管混頻器 560
4.3.1 單二極管混頻器 560
4.3.2 單平衡混頻器 569
4.3.3 二極管環形混頻器 572
4.4 晶體管混頻器 587
4.4.1 BJT希爾伯特單元 587
4.4.2 帶反饋的BJT希爾伯特單元 590
4.4.3 FET混頻器 597
4.4.4 MOSFET希爾伯特單元 601
4.4.5 GaAs FET單柵開關－阻性混頻器 601
參考文獻 622
推薦讀物 623
第5章 射頻無綫振蕩器 624
5.1 頻率控製概述 624
5.2 背景 624
5.3 振蕩器設計 626
5.3.1 振蕩器基礎 626
5.4 振蕩器電路 638
5.4.1 Hartley（哈特利） 638
5.4.2 Colpitts（科耳皮茲） 638
5.4.3 Clapp-Gouriet（剋拉普-考瑞特） 639
5.5 射頻（RF）振蕩器設計 639
5.5.1 晶體管振蕩器總體構思 639
5.5.2 雙口微波/射頻振蕩器設計 643
5.5.3 陶瓷諧振器振蕩器 646
5.5.4 使用微帶電感作為振蕩器的諧振器 649
5.5.5 哈特利微帶諧振器振蕩器 655
5.5.6 晶體振蕩器 655
5.5.7 壓控振蕩器 658
5.5.8 調諧二極管諧振電路 661
5.5.9 實用電路 664
5.6 振蕩器中的噪聲 669
5.6.1 振蕩器相位噪聲計算的綫性化方法 669
5.6.2 基於反饋模型的相位噪聲分析 675
5.6.3 AM-PM轉換 678
5.6.4 數值優化振蕩器 685
5.7 實際使用中的振蕩器 690
5.7.1 振蕩器的指標 690
5.7.2 更實際的電路 692
5.8 集成和毫米波振蕩器相位噪聲的改善 698
5.8.1 概述 698
5.8.2 噪聲分析迴顧 699
5.8.3 工作環境 700
5.8.4 減小閃爍噪聲 702
5.8.5 集成振蕩器的應用 702
5.8.6 總結 706
參考文獻 706
令人感興趣的專利 707
推薦讀物 708
第6章 射頻頻率閤成器 710
6.1 引言 710
6.2 鎖相環（PLL） 710
6.2.1 PLL基礎 710
6.2.2 相位頻率比較器 712
6.2.3 提供電壓輸齣的鑒相器的濾波器 722
6.2.4 基於電荷泵的鎖相環 725
6.3 應用CAD進行實際的PLL設計 732
6.4 分數N分頻鎖相頻率閤成 736
6.4.1 分數N分頻原理 736
6.4.2 雜散抑製技術 737
6.5 直接數字閤成 745
參考文獻 749
令人感興趣的專利 750
推薦讀物 752
· · · · · · (收起)