Nanoelectronics and Nanosystems

Nanoelectronics and Nanosystems pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:Springer Verlag
作者:Goser, Karl/ Glosekotter, Peter/ Dienstuhl, Jan
出品人:
页数:284
译者:
出版时间:
价格:765.00 元
装帧:Pap
isbn号码:9783540404439
丛书系列:
图书标签:
  • 纳米电子学
  • 纳米系统
  • 纳米技术
  • 电子器件
  • 材料科学
  • 物理学
  • 工程学
  • 微电子学
  • 半导体
  • 纳米材料
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具体描述

固态物理学导论:从晶格振动到能带结构 本书旨在为物理学、材料科学和工程学专业的学生提供一个全面且深入的固态物理学入门基础。内容涵盖了固体材料的基本结构、热力学性质、电子行为以及磁性和介电特性。本书的叙述风格力求清晰、严谨,通过丰富的数学推导和贴近实际的物理图像,帮助读者建立起对晶体物理学的直观理解。 第一部分:晶体结构与晶格动力学 第一章:晶体结构基础 本章首先从宏观角度介绍晶体的宏观性质,然后聚焦于晶体的微观结构。详细阐述了晶体学的基本概念,包括点阵、基矢、晶胞、布拉维晶格等。通过对常见晶体结构(如简单立方、体心立方、面心立方以及钻石结构)的几何分析,读者将掌握描述和识别任何晶体结构的数学工具。重点讲解了倒易点阵(Reciprocal Lattice)的概念及其在X射线衍射分析中的核心作用,详细阐述了劳厄方程(Laue equation)和布拉格定律(Bragg’s Law)的物理意义和应用。随后,我们引入了晶体衍射的理论,讨论了原子散射因子和结构因子,并结合实际的X射线、电子束和中子衍射实验,展示如何从实验数据中反演出晶体结构。 第二章:晶格振动与热学性质 本章深入探讨晶体内部的原子振动——声子(Phonons)。我们从经典牛顿力学出发,建立一维和三维晶格的色散关系(Dispersion Relation)模型,区分声学支和光学支。详细推导了这些色散关系,并解释了布里渊区(Brillouin Zone)的物理边界。在此基础上,本书转向量子力学描述,将晶格振动量子化为声子,并分析其统计特性。随后,我们利用声子理论来解释固体的宏观热学性质。重点推导了德拜模型(Debye Model)和爱因斯坦模型(Einstein Model)对晶体比热的贡献,并对比分析了这两种模型在不同温度下的适用范围和物理图像的差异。此外,本章还讨论了声子间的相互作用——三声子和四声子散射,以及它们如何导致热力学中的热阻(Thermal Resistivity)现象。 第二部分:电子的能带理论 第三章:自由电子模型与能带的起源 本章从最简化的自由电子气模型(Free Electron Gas Model)开始,使用费米气体理论来描述金属中电子的统计分布和宏观性质,包括费米面、费米速度、费米能以及电子的比热容(与德拜模型中的声子比热的对比是本章的重点)。随后,本书引入晶体周期势场,这是理解半导体和绝缘体物理特性的关键。详细阐述了布洛赫定理(Bloch’s Theorem)的数学形式及其物理含义,即电子在周期势场中的波函数形式。在此基础上,通过能带理论的推导,解释了电子的能量如何形成连续的能带和禁带(Band Gaps)。我们分析了有效质量(Effective Mass)的概念,阐释了电子和空穴的运动特性与晶格势场的复杂关系。 第四章:金属、绝缘体与半导体的电子结构 本章应用能带理论来分类和解释不同类型固体的基本电学性质。我们详细分析了金属中费米面与布里渊区边界的关系,解释了为什么某些材料导电性极佳。对于绝缘体和半导体,重点分析了价带(Valence Band)、导带(Conduction Band)以及带隙的大小如何决定其导电特性。本章深入探讨了本征半导体(Intrinsic Semiconductors)的载流子浓度和导电机制。随后,通过引入杂质的概念,详细讨论了外质半导体(Extrinsic Semiconductors),包括N型和P型掺杂的物理过程、掺杂能级的位置、以及载流子浓度的温度依赖性,为后续的器件物理奠定基础。 第三部分:电子的输运与磁学 第五章:半导体的输运现象 本章专注于描述半导体中载流子的运动和输运过程。详细阐述了电场和浓度梯度引起的电流密度,推导了漂移电流(Drift Current)和扩散电流(Diffusion Current)的表达式。引入了迁移率(Mobility)的概念,并分析了晶格散射和杂质散射对迁移率的联合影响。重点讨论了霍尔效应(Hall Effect)的物理原理,包括如何利用霍尔测量确定载流子类型、浓度和迁移率。最后,本章简要介绍了光生载流子的产生和复合机制,为光电器件的理解做铺垫。 第六章:磁性材料 本章系统地介绍了固体材料中的磁性现象。从微观角度出发,讲解了电子的轨道角动量和自旋角动量对磁性的贡献。详细区分了三种基本的磁性行为:抗磁性(Diamagnetism)、顺磁性(Paramagnetism)和铁磁性(Ferromagnetism)。针对铁磁性,我们深入探讨了斯托纳尔理论(Stoner Theory)和交换作用(Exchange Interaction),解释了磁畴(Magnetic Domains)的形成和磁化过程。此外,本章还涵盖了反铁磁性(Antiferromagnetism)和亚铁磁性(Ferrimagnetism),并引入了居里温度(Curie Temperature)和尼尔温度(Néel Temperature)的概念。 第四部分:介电性质与晶体缺陷 第七章:电介质的响应与极化 本章关注材料在外加电场下的宏观电学响应——介电性质。解释了介质材料中电子、离子和永久偶极子在外场下的极化现象,系统推导了相对介电常数和电极化强度。详细分析了各种极化机制的温度依赖性,包括电子极化、离子极化、取向极化和空间电荷极化。重点讨论了铁电体(Ferroelectrics)的特性,如电畴结构和电滞回线,并简要介绍了压电效应(Piezoelectricity)的基本原理。 第八章:晶格缺陷与非理想晶体 任何实际晶体都含有缺陷,本章探讨了这些结构不完美性对材料性质的决定性影响。详细分类了晶体缺陷的类型:点缺陷(如空位、间隙原子、取代原子)、线缺陷(位错)和面缺陷(晶界)。重点分析了点缺陷对半导体电学性质的深刻影响,特别是离子缺陷如何影响电导率和扩散过程。对于线缺陷——位错,我们从力学角度阐述了它们在金属塑性形变中的核心作用,并讨论了位错的形成能和运动机制。 本书力求在覆盖基础理论的同时,保持对实际物理现象的紧密联系,为读者未来深入研究凝聚态物理或材料工程领域提供坚实的理论框架。

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