Nanotechnology for Microelectronics and Optoelectronics

Nanotechnology for Microelectronics and Optoelectronics pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:Elsevier Science Ltd
作者:Martinez-Duart, J. M./ Martin-Palma, R. J./ Agullo-Rueda, F.
出品人:
页数:304
译者:
出版时间:2005-12
价格:150
装帧:HRD
isbn号码:9780080445533
丛书系列:
图书标签:
  • 纳米技术
  • 微电子学
  • 光电子学
  • 材料科学
  • 器件物理
  • 半导体
  • 纳米材料
  • 集成电路
  • 光电器件
  • 纳米制造
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When solids are reduced to the nanometer scale, they exibit new and exciting behaviours which constitute the basis for a new generation of electronic devices.

Nanotechnology for Microelectronics and Optoelectronics outlines in detail the fundamental solid-state physics concepts that explain the new properties of matter caused by this reduction of solids to the nanometer scale. Applications of these electronic properties is also explored, helping students and researchers to appreciate the current status and future potential of nanotechnology as applied to the electronics industry.

* Explains the behavioural changes which occur in solids at the nanoscale, making them the basis of a new generation of electronic devices.

* Laid out in text-reference style: a cohesive and specialised introduction to the fundamentals of nanoelectronics and nanophotonics for students and researchers alike.

深入探索材料科学前沿:先进材料在电子与光电子器件中的应用 图书名称:先进材料在电子与光电子器件中的应用 图书简介 本书旨在为电子工程、材料科学、物理学以及相关领域的科研人员、高级本科生和研究生提供一个全面而深入的视角,探讨一系列关键的先进材料及其在现代电子和光电子器件设计、制造和性能优化中的核心作用。本书的重点在于超越传统的硅基技术范畴,深入分析新兴功能材料——例如二维材料、钙钛矿、有机半导体、高熵合金以及新型介电体——如何驱动下一代电子设备和光电器件的革命。 全书结构严谨,内容组织遵循从基础理论到前沿应用的逻辑递进,力求在提供坚实理论基础的同时,紧密结合最新的实验进展和工程挑战。 --- 第一部分:基础材料科学与电子器件的演进 本部分将为读者奠定理解先进材料在电子学中应用的基础。我们将首先回顾半导体物理学的基本原理,但迅速转向当前半导体技术所面临的尺寸限制和功耗挑战,这些挑战正是推动新材料研究的根本动力。 第一章:经典半导体物理的局限性与新材料的需求 本章详细阐述了摩尔定律放缓的物理根源,包括量子隧穿效应、热耗散问题以及界面态的严重影响。我们将分析传统CMOS结构在高密度集成下面临的根本性瓶颈,并引入对更高迁移率、更优异热稳定性、更窄或更宽带隙材料的迫切需求。本章还将讨论“后硅时代”的材料筛选标准,包括本征缺陷控制、可制造性以及与现有半导体工艺的兼容性。 第二章:晶体生长、薄膜沉积与界面工程 先进器件的性能高度依赖于材料的纯度、晶体质量以及不同材料间的界面特性。本章将系统介绍先进薄膜制备技术,包括: 分子束外延(MBE)与化学气相沉积(CVD)的最新进展: 重点讨论原子层沉积(ALD)在精确控制单层厚度和实现三维结构保形覆盖方面的关键作用。 异质结的构建: 深入分析晶格失配(Lattice Mismatch)和应变工程(Strain Engineering)如何用于调节能带结构和载流子动力学。 缺陷与界面态的表征: 介绍透射电子显微镜(TEM)、原子探针层析(APT)以及高分辨率X射线衍射(XRD)等先进表征技术如何揭示亚纳米尺度的结构缺陷和界面陷阱。 --- 第二部分:二维材料:颠覆性的电子与光电子平台 二维材料(2D Materials)因其独特的单层结构、超高的表面积体积比和可调控的电子特性,被视为集成电路和光电器件领域的“颠覆性技术”。 第三章:石墨烯及其衍生物的电学特性与应用 本章专注于零带隙的石墨烯,探讨其超高电子迁移率的物理机制。我们将详细分析如何通过机械剥离、化学气相沉积(CVD)以及转移技术制备高质量石墨烯。随后,重点讨论如何通过“带隙工程”(例如,在石墨烯纳米带中引入锯齿形边缘或利用范德华异质结)来激活其光电功能,并在高频电子学(如太赫兹器件)中的潜在应用。 第四章:过渡金属硫族化合物(TMDs)的能带工程 MoS2、WSe2等TMDs是具有天然带隙的二维半导体。本章深入探讨其层数依赖的带隙变化,这是实现垂直集成和异质结构的关键特性。 光电探测器: 分析TMDs如何实现宽光谱吸收,以及如何利用其优异的激子(Exciton)生成和分离效率,设计超灵敏的光探测器。 场效应晶体管(FETs): 讨论如何解决TMDs FET中的接触电阻问题,并评估其在低功耗逻辑电路中的性能潜力。 铁电与多铁性TMDs: 探讨如何通过应变或掺杂引入开关特性,用于存储器应用。 --- 第三部分:钙钛矿与有机材料:面向能源与柔性电子学 本部分聚焦于那些为柔性、低成本制造和高效光电转换提供可能性的材料系统。 第五章:有机-无机杂化钙钛矿的光电特性与稳定性挑战 钙钛矿材料因其卓越的光捕获能力和高载流子扩散长度,已成为太阳能电池和发光器件(LED/LD)的研究热点。 载流子动力学: 深入分析钙钛矿中的缺陷容忍机制、离子迁移现象及其对器件寿命的影响。 器件结构优化: 详细比较平面结构与介孔结构在光伏和光电探测器中的效率差异。 稳定性提升策略: 探讨钝化技术(Passivation)、维度控制(如2D/3D异质结构)以及封装技术如何应对湿气、氧气和热应力导致的降解问题。 第六章:有机半导体在柔性电子学中的应用 有机半导体(OSCs)因其溶液加工性、机械柔韧性和固有的低成本潜力而备受青睐。 分子设计与性能调控: 介绍小分子与聚合物半导体的能级排布(HOMO/LUMO)如何决定载流子注入和传输效率。 有机场效应晶体管(OFETs): 重点分析电荷传输机制(跳跃传输 vs. 键合传输),以及如何通过优化薄膜形态来最大化迁移率。 有机发光二极管(OLEDs): 深入探讨激子形成、辐射复合过程,以及如何利用磷光和热激活延迟荧光(TADF)材料实现高效率发光。 --- 第四部分:超越传统:新型功能材料与先进器件集成 本部分探讨那些在特定领域表现出突破性性能的新兴材料,以及如何将这些材料集成到复杂的系统中。 第七章:高介电常数(High-k)材料与栅极技术 随着晶体管尺寸的缩小,传统的SiO2栅氧层已无法有效控制亚阈值电流。本章侧重于: 新型高-k材料的选择与制备: 对HfO2、ZrO2及其掺杂体系的物理特性进行比较分析,重点关注其界面质量和铁电行为。 金属栅极集成: 探讨如何通过选择具有合适功函数的金属栅极来有效调控晶体管的阈值电压(Vth)。 第八章:拓扑材料与量子计算的接口 拓扑绝缘体和拓扑半金属是新兴的电子材料类别,其表面/边缘态受时间反演对称性保护。本章介绍: 狄拉克锥与费米弧: 描述其独特的电子结构,以及如何利用这些受保护的态来设计低功耗、高抗干扰能力的电子元件。 自旋电子学与拓扑量子计算的初步探讨: 分析拓扑材料在自旋-轨道耦合(SOC)增强型器件中的潜在应用,及其与马约拉纳费米子等前沿量子计算概念的联系。 第九章:先进传感与生物电子学的材料挑战 本章将讨论材料科学如何支持高灵敏度、生物兼容性的传感应用。 压电与热释电材料: 介绍AlN、PMN-PT等压电材料在能量采集(能量收集)和高频声波器件中的应用。 生物兼容性界面: 探讨聚合物和水凝胶在构建神经接口和植入式传感器时的材料选择原则,以及如何最小化生物排斥反应。 --- 总结与展望 本书的最终目标是激发读者对跨学科材料创新的兴趣,并为他们提供一套解决未来电子和光电子工程挑战所需的理论框架和技术工具。通过对上述先进材料系统的全面梳理,本书强调了材料创新是实现下一代高性能、低功耗、柔性化和智能化器件的根本驱动力。读者将获得对当前研究热点、未解决的关键科学问题以及未来十年技术发展方向的深刻洞察。

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