Concentrator Photovoltaics pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:Springer Verlag

作者:Andreev, Viacheslav M.

出品人:

页数:345

译者:

出版时间:

价格:$ 213.57

装帧:HRD

isbn号码:9783540687962

丛书系列:

图书标签:

• Concentrated Photovoltaics
• CPV
• Solar Energy
• Renewable Energy
• Photovoltaic Technology
• Solar Power
• Energy Conversion
• Optics
• Semiconductors
• High Efficiency Solar Cells

新书推荐：《高精度半导体器件物理与制造工艺》 深入探索现代电子学的基石，揭示前沿半导体技术的奥秘 本书特色： 本书旨在为半导体物理学、材料科学、微电子工程以及相关领域的研究人员、工程师和高级学生提供一份详尽且深入的参考指南。我们避开了对已成熟技术（如传统晶体管结构或通用光伏原理）的重复论述，而是将焦点完全集中于高精度、高集成度半导体器件的物理机制、尖端制造工艺以及性能优化的前沿挑战。 第一部分：先进半导体材料的本征行为 本部分将彻底解构超越硅基平台的下一代半导体材料的独特物理特性。 第一章：二维材料的量子输运 我们将从薛定谔方程在二维范式下的重构入手，详细分析石墨烯、二硫化钼（MoS₂）及黑磷等材料中的电子、空穴输运机制。重点讨论受限几何结构（如纳米带、量子点）对载流子迁移率和有效质量的调制效应。深入探讨朗道能级在强磁场下对二维电子气（2DEG）的影响，并介绍范德华异质结中界面电子态的调控方法，这对实现超低功耗逻辑器件至关重要。 第二章：宽禁带半导体（WBG）的高功率密度效应 聚焦于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在极端工作条件下的物理限制。本章详述了界面钝化缺陷（如MOS界面陷阱密度）如何成为限制功率MOSFET和HEMT器件击穿电压与可靠性的关键因素。我们将用大量实验数据和理论模型，分析这些材料中载流子饱和速度的温度依赖性，并探讨高电场下非辐射复合中心（NRCCs）的形成机理，这对设计高可靠性射频和电力电子模块至关重要。 第三章：自旋电子学的拓扑边界 本章探讨非线性电磁响应与自旋轨道耦合（SOC）的交集。我们详细分析了磁性隧道结（MTJs）中的自旋转移力矩（STT）和自旋轨道力矩（SOT）机制，及其在下一代MRAM存储器中的应用。更进一步，我们将讨论拓扑绝缘体表面态的保护机制，以及如何利用这些无耗散的表面态实现高速、低能耗的自旋电流传输。 第二部分：亚微米制造工艺的精度控制 本部分聚焦于当前集成电路制造中，克服衍射极限和表面粗糙度挑战所需的最精尖工艺技术。 第四章：极紫外光刻（EUVL）的物理极限与校正 详细介绍EUV光刻系统中的关键物理挑战，包括反射镜的布拉格反射效率、等离子体光源（LPP）的稳定性控制，以及光掩模（Reticle）的污染与损伤模型。本章将深入分析掩模版表面粗糙度（RMS）对成像对比度和线宽粗糙度（LWR）的贡献，并展示先进的像差校正算法在确保关键尺寸（CD）均匀性中的应用。 第五章：原子层沉积（ALD）的界面工程 ALD已成为实现超薄、高介电常数（High-k）栅极介质和先进封装的关键。本章系统梳理了不同金属前驱体与基底之间的表面化学反应动力学，包括成核延迟现象的定量分析。重点讨论了如何通过精确控制脉冲序列，在三维结构（如FinFET或GAA结构）中实现完美的自上而下（Top-Down）覆盖率，以及如何利用类ALD技术（如ALE）进行原子尺度的表面刻蚀和修形。 第六章：高通量离子注入与退火动力学 离子注入是决定半导体掺杂剖面和激活效率的核心工艺。本章深入研究了高剂量注入后晶格损伤的累积与弛豫过程。我们运用蒙特卡洛模拟（如SRIM模型）来预测注入离子的深度分布和级联碰撞效应。此外，对快速热退火（RTA）和激光退火（LA）的温度-时间剖面进行了热力学分析，解释了激活效率与缺陷清除率之间的权衡关系，特别是针对超浅结（ULJ）的侧壁扩散控制。 第三部分：集成与器件性能的物理限制 本部分探讨在极高密度集成下，器件之间相互作用所带来的新的物理耦合效应。 第七章：热管理与电迁移的寿命预测 随着集成度的增加，局部功耗密度急剧上升。本章建立了一套多尺度热模型，用于分析芯片内部局部热点（Hotspots）的形成与演变。重点分析了不同金属互连材料（如Cu/Low-k体系）中电迁移（Electromigration, EM）的B حول 尔德曼（Black's）定律在纳米尺度下的修正，并引入了电子风效应（Electron Wind Effect）对空穴迁移率的影响，为可靠性寿命预测提供坚实的物理基础。 第八章：量子隧穿与短沟道效应的抑制 针对先进FinFET和环栅（GAAFET）结构，本章详细分析了亚阈值摆幅（SS）的物理限制。讨论了如何通过增加栅极材料的有效电荷密度和优化沟道应变工程，来最小化源漏耦合。我们还量化了高场效应下载流子在短沟道中发生的非局部效应，如载流子速度饱和，及其对逻辑电路延迟和功耗的影响。 第九章：先进封装中的电磁兼容性（EMC） 本书的最后一部分关注于3D异构集成带来的系统级挑战。详细分析了芯片堆叠（Chip Stacking）中，高密度互连（TSVs, Through-Silicon Vias）结构对芯片间信号串扰（Crosstalk）的影响。通过三维电磁场求解器，评估了不同TSV间距和介电常数对上升时间、反射和串扰噪声的耦合作用，为确保系统层级的信号完整性提供设计指导。 --- 目标读者： 半导体研发工程师、高等院校微电子与物理专业研究生、材料科学家、以及致力于下一代集成电路和先进电子器件设计与制造领域的专业人士。 本书特色总结： 本书内容高度专业化，完全聚焦于当前半导体领域最前沿、最复杂的物理现象和制造瓶颈的精确解析，不涉及通用或已标准化的技术流程。

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