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B. Jayant Baliga 作者

World Scientific Pub Co Inc

译者

2006-01-05 出版日期

503 页数

USD 154.00 价格

Hardcover

丛书系列

9789812566058 图书编码

Silicon Carbide Power Devices 在线电子书图书标签: 英文原版 IC

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发表于2024-07-04

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Silicon Carbide Power Devices 在线电子书图书描述

Power semiconductor devices are widely used for the control and management of electrical energy. The improving performance of power devices has enabled cost reductions and efficiency increases resulting in lower fossil fuel usage and less environmental pollution. This book provides the first cohesive treatment of the physics and design of silicon carbide power devices with an emphasis on unipolar structures. It uses the results of extensive numerical simulations to elucidate the operating principles of these important devices.

Contents: Material Properties and Technology; Breakdown Voltage; PiN Rectifiers; Schottky Rectifiers; Shielded Schottky Rectifiers; Metal-Semiconductor Field Effect Transistors; The Baliga-Pair Configuration; Planar Power MOSFETs; Shielded Planar MOSFETs; Trench-Gate Power MOSFETs; Shielded Trendch-Gate MOSFETs; Charge Coupled Structures; Integral Diodes; Lateral High Voltage FETs; Synopsis.

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