半导体物理电子学

半导体物理电子学 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:科学
作者:李
出品人:
页数:697
译者:
出版时间:2008-2
价格:98.00元
装帧:
isbn号码:9787030209405
丛书系列:国外物理名著系列(科学出版社影印)
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具体描述

《半导体物理电子学(第2版)》全面介绍了半导体物理的基本内容,这些内容是理解半导体的物理性质和光电器件制备原理的基础。《半导体物理电子学(第2版)》系统性强,合理地安排了物理原理,表征法以及半导体材料和器件的应用等内容,兼顾了物理学家、材料学家和设备工程师的需求。《半导体物理电子学(第2版)》反映了半导体技术在过去十年的进步,包括许多新出现并已进入市场的半导体器件。

聚焦晶体管与集成电路的前沿探索:《固态器件与微电子学导论》 图书简介 本书旨在为对固态电子学、半导体器件物理以及微电子系统设计感兴趣的读者提供一个全面而深入的概述。我们构建了一个逻辑严谨、层层递进的学习路径,从基本的晶体管工作原理出发,逐步深入到现代集成电路的设计与制造工艺,着重探讨了半导体材料的本征特性、PN结的建立与行为、双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(MOSFET)的物理机制,并最终导向实际的集成电路应用。 本书强调理论与实践的结合,不仅详细阐述了电子在半导体材料中输运的量子力学基础,更侧重于如何将这些基础知识应用于高性能电子器件的设计与优化。我们将带领读者穿越从材料科学到器件物理,再到系统层面的知识链条。 --- 第一部分:半导体物理基础与PN结的建立 本部分是理解所有现代电子器件的基石。我们将从量子力学对固体材料能带结构的描述入手,确立导体、绝缘体和半导体的区分标准。 晶体结构与能带理论: 晶格振动与电子-声子相互作用: 探讨晶体结构对称性对电子能带结构的影响。重点分析布里渊区、有效质量的概念及其对载流子输运特性的决定性作用。 本征与掺杂半导体: 详细解析费米能级在不同温度和掺杂浓度下的位置变化。深入讨论N型和P型半导体的载流子浓度计算,并引入散射机制,如晶格散射和杂质散射,以精确预测载流子迁移率。 PN结的形成与特性: 空间电荷区与内建电场: 详细推导热平衡状态下PN结的势垒高度、空间电荷区宽度,并阐明内建电场在阻挡载流子扩散中的关键作用。 二极管特性曲线的物理起源: 基于小木屋模型(Shockley方程)的严格推导,解释二极管在正向偏置下的指数关系和反向偏置下的饱和电流。深入探讨二极管的击穿机制(雪崩击穿与齐纳击穿)及其在实际电路中的应用限制。 非理想效应分析: 讨论温度对二极管特性的影响、过渡电容(结电容)对高频响应的制约,以及载流子注入效率的概念。 --- 第二部分:核心晶体管器件的物理模型 本部分聚焦于现代电子系统的核心开关和放大元件——晶体管的精细物理建模和特性分析。 双极型晶体管(BJT): Ebers-Moll 模型基础: 从基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系入手,构建BJT的基本工作模式(截止、饱和、正向有源区)。 小信号模型与高频性能: 引入混合 $pi$ 模型,详细分析跨导 $g_m$、输入电阻 $r_{pi}$ 和输出电阻 $r_o$ 对放大性能的影响。探讨由结电容和迁移时间效应引起的过渡频率 $f_T$ 限制。 载流子注入与副作用: 分析欠掺杂集电极对电流增益 $eta$ 的影响,以及高温工作下可能出现的二次击穿现象。 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET): MOS结构与阈值电压: 从理想MOS结构出发,逐步引入栅氧层、半导体表面势,详细推导阈值电压 $V_{th}$ 的影响因素,包括固定氧化物电荷、界面陷阱电荷和费米能级移动。 沟道导电机制与I-V特性: 深入分析MOSFET的三种工作区(亚阈值、线性区、饱和区)的物理描述。特别关注饱和区 $I_{DS}$ 的平方律模型及其推导过程。 短沟道效应与寄生参数: 探讨沟道长度调制效应、DIBL(漏致势垒降低)等短沟道效应如何破坏长沟道平方律模型。分析栅极电阻、源极/漏极扩散电阻以及结电容对器件开关速度的影响。 --- 第三部分:集成电路的制造、扩展与前沿器件 本部分将理论模型提升到实际制造工艺层面,并展望了超越传统硅基CMOS器件的新兴技术。 集成电路工艺流程概述: 薄膜沉积与光刻技术: 概述从硅片制备到器件隔离的氧化、扩散、离子注入等关键工艺步骤。重点介绍先进光刻技术(如深紫外光刻)在实现纳米级特征尺寸中的作用。 互连技术与金属化: 探讨多层金属互连结构的必要性,以及低电阻率金属(如铜)的引入对芯片延迟(RC延迟)的影响。讨论介电常数(Low-k)材料在减小层间串扰中的应用。 CMOS电路设计基础: CMOS反相器分析: 将NMOS和PMOS晶体管的I-V特性结合,分析CMOS反相器的静态特性、传输特性曲线(VTC)和噪声容限。 功耗管理: 详细区分动态功耗和静态(漏电)功耗。分析亚阈值漏电对低功耗设计的挑战,并引入体效应(Body Effect)在功耗控制中的应用。 超越硅基的器件探索: 新型半导体材料: 简要介绍III-V族化合物半导体(如GaAs,GaN)在高功率和高频率应用中的优势,以及它们的器件结构差异。 存储器技术基础: 阐述SRAM和DRAM的基本单元结构,并分析其基于MOSFET开关特性的读写机制。 新兴的隧道效应器件: 探讨隧道二极管(Tunnel Diode)的负微分电阻现象及其潜在应用,以及基于量子隧穿的全新晶体管概念的初步介绍。 --- 本书特点: 本书结构清晰,理论推导严密,并配有大量图表和实例分析,旨在培养读者从微观的载流子输运到宏观的器件性能之间的联系,是电子工程、微电子学、材料科学专业学生及相关领域工程师深入学习固态器件物理的理想参考书。通过对这些核心知识点的系统梳理,读者将能够深刻理解现代集成电路的性能极限与发展方向。

作者简介

目录信息

Preface1.Classification of Solids and Crystal Structure  1.1 Introduction  1.2 The Bravais Lattice  1.3 The Crystal Structure  1.4 Miller Indices and Crystal Planes  1.5 The Reciprocal Lattice and Brillouin Zone  1.6 Types of Crystal Bindings  1.7 Defects in a Crystalline Solid Problems Bibliography2.Lattice Dynamics  2.1 Introduction  2.2 The One-Dimensional Linear Chain  2.3 Dispersion Relation for a Three-Dimensional Lattice  2.4 The Concept of Phonons  2.5 The Density of States and Lattice Spectrum  2.6 Lattice Specific Heat Problems References Bibliography3.Semiconductor Statistics  3.1 Introduction  3.2 Maxwell-Boltzmann Statistics  3.3 Fermi-Dirac Statistics  3.4 Bose-Einstein Statistics  3.5 Statistics for the Shallow-Impurity States in a Semiconductor Problems Bibliography4.Energy Band Theory  4.1 Introduction  4.2 Basic Quantum Concepts and Wave Mechanics  4.3 The Bloch-Floquet Theorem  4.4 The Kronig-Penney Model  4.5 The Nearly Free Electron Approximation  4.6 The Tight-Binding Approximation  4.7 Energy Band Structures for Some Semiconductors  4.8 The Effective Mass Concept for Electrons and Holes  4.9 Energy Band Structures and Density of States for Low-Dimensional Systems Problems References Bibliography5.Equilibrium Properties of Semiconductors  5.1 Introduction  5.2 Densities of Electrons and Holes in a Semiconductor  5.3 Intrinsic Semiconductors  5.4 Extrinsic Semiconductors  5.5 Ionization Energies of Shallow-and Deep-Level Impurities  5.6 Hall Effect,Electrical Conductivity,and Hall Mobility  5.7 Heavy Doping Effects in a Degenerate Semiconductor Problems References Bibliography6.Excess Carrier Phenomenon in Semiconductors  6.1 Introduction  6.2 Nonradiative Recombination: The Shockley-Read-Hall Model  6.3 Band-to-Band Radiative Recombination  6.4 Band-to-Band Auger Recombination  6.5 Basic Semiconductor Equations  6.6 The Charge-Neutrality Equation  6.7 The Haynes-Shockley Experiment  6.8 The Photoconductivity Decay Experiment  6.9 Surface States and Surface Recombination Velocity  6.10 Deep-Level Transient Spectroscopy Technique  6.11 Surface Photovoltage Technique Problems References Bibliography7. Transport Properties of Semiconductors 7.1 Introduction 7.2 Galvanomagnetic, Thermoelectric, and Thermomagnetic Effects 7.3 Boltzmann Transport Equation 7.4 Derivation of Transport Coefficients for n-type Semiconductors 7.5 Transport Coefficients for the Mixed Conduction Case 7.6 Transport Coefficients for Some Semiconductors Problems References Bibliography8. Scattering Mechanisms and Carrier Mobilities in Semiconductors. 8.1 Introduction 8.2 Differential Scattering Cross-Section 8.3 Ionized Impurity Scattering 8.4 Neutral Impurity Scattering 8.5 Acoustical Phonon Scattering 8.6 Optical Phonon Scattering 8.7 Scattering by Dislocations 8.8 Electron and Hole Mobilities in Semiconductors 8.9 Hot-Electron Effects in a Semiconductor Problems References Bibliography9. Optical Properties and Photoelectric Effects 9.1 Introduction 9.2 Optical Constants of a Solid 9.3 Free-Carrier Absorption Process 9.4 Fundamental Absorption Process 9.5 The Photoconductivity Effect 9.6 The Photovoltaic (Dember) Effect 9.7 The Photomagnetoelectric Effect Problems References Bibliography10. Metal-Semiconductor Contacts 10.1 Introduction 10.2 Metal Work Function and Schottky Effect 10.3 Thermionic Emission Theory 10.4 Ideal Schottky Contact 10.5 Current Flow in a Schottky Diode 10.6 Current-Voltage Characteristics of a Silicon and a GaAs Schottky Diode 10.7 Determination of Schottky Barrier Height 10.8 Enhancement of Effective Barrier Height 10.9 Applications of Schottky Diodes 10.10 Ohmic Contacts in Semiconductors Problems References Bibliography11. p-n Junction Diodes 11.1 Introduction 11.2 Equilibrium Properties of a p-n Junction Diode 11.3 p-n Junction Diode Under Bias Conditions 11.4 Minority Carrier Distribution and Current Flow 11.5 Diffusion Capacitance and Conductance 11.6 Minority Carrier Storage and Transient Behavior 11.7 Zener and Avalanche Breakdowns..; 11.8 Tunnel Diodes 11.9 p-n Heterojunction Diodes 11.10 Junction Field-Effect Transistors Problems References Bibliography12. Solar Cells and Photodetectors 12.1 Introduction 12.2 Photovoltaic Devices (Solar Cells) 12.3 Photodetectors Problems References Bibliography13. Light-Emitting Devices 13.1 Introduction 13.2 Device Physics, Structures, and Characteristics of LEDs 13.3 LED Materials and Technologies 13.4 Principles of Semiconductor LDs 13.5 Laser Diode (LD) Materials and Technologies Problems References Bibliography 14. Bipolar Junction Transistors 14.1 Introduction 14.2 Basic Device Structures and Modes of Operation 14.3 Current-Voltage Characteristics 14.4 Current Gain, Base Transport Factor, and Emitter Injection Efficiency 14.5 Modeling of a Bipolar Junction Transistor 14.6 Switching and Frequency Response 14.7 Advanced Bipolar Junction Transistors 14.8 Thyristors 14.9 Heterojunction Bipolar Transistors Problems References Bibliography15. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors 15.1 Introduction 15.2 An Ideal Metal-Oxide-Semiconductor System 15.3 Oxide Charges and Interface Traps 15.4 MOS Field-Effect Transistors 15.5 SOI MOSFETS 15.6 Charge-Coupled Devices Problems References Bibliography16. High-Speed III-V Semiconductor Devices 16.1 Introduction 16.2 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors 16.3 High Electron Mobility Transistors 16.4 Hot-Electron Transistors 16.5 Resonant Tunneling Devices 16.6 Transferred-Electron Devices Problems References BibliographySolutions to Selected ProblemsAppendixIndex
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读后感

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用户评价

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这本书的结构编排,我个人认为非常严谨。第一部分,作者似乎先从半导体材料的基本性质入手,比如晶体结构、能带理论等,这是理解后续一切的基础。我印象很深刻的是,很多半导体相关的入门书籍,往往会跳过这一部分,直接进入器件的讨论,这样就导致读者对器件的理解往往是“知其然,不知其所以然”。但这本书似乎没有这样做,它很稳健地从最根本的物理原理开始讲解,一点点地构建起对半导体世界的认知框架。接着,我推测书中会详细阐述载流子(电子和空穴)的产生、输运和复合机制,这对于理解电流如何在半导体中流动至关重要。我特别关注的是,作者是如何解释掺杂对半导体导电性的影响的,这应该是PN结形成的关键。然后,我猜想书中会花费大量篇幅来介绍各种半导体器件,比如二极管、三极管、MOSFET等,从它们的结构、工作原理到特性曲线,都应该会有详尽的阐述。我期待看到书中对这些基本器件的“图解”式讲解,用清晰的示意图和数学模型来帮助读者理解复杂的物理过程。例如,对于MOSFET,我希望看到对栅极电压如何控制沟道电导的解释,以及不同偏置下的工作区域分析。读完这部分,我应该就能对各种电子元件的“黑盒子”有更深的认识,不再仅仅是电路图上的符号。这本书给我的感觉是,它不像市面上很多碎片化的技术手册,而是系统地、有条理地构建起一个完整的知识体系,让人有一种从无到有、循序渐进的学习体验,这种扎实的学术风格,是真正能够帮助读者建立起坚实基础的。

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我一直在寻找一本能真正让我理解“为什么”的书,而不是仅仅停留在“怎么做”的层面。这本书的标题《半导体物理电子学》就给我一种这样的感觉。我喜欢那些能够深入挖掘事物本质的书籍,尤其是关于物理学和工程学交叉的领域。我猜测,本书不会仅仅列举各种半导体材料的参数,而是会深入分析它们的晶格结构、原子组成如何决定了其能带结构,进而影响其导电、绝缘或发光特性。我想,作者一定花了很多心思来解释量子力学在半导体领域的应用,比如电子的能级跃迁、激子等概念,这些都是理解半导体光电器件的关键。我特别期待书中对“禁带宽度”的深入探讨,以及不同禁带宽度的材料(如硅、砷化镓、氮化镓)各自的优缺点和适用场景。我推测,书中可能还会涉及一些高级概念,比如半导体的统计力学,这对于理解载流子的分布和输运非常重要。另外,我希望作者能够用易于理解的方式来解释半导体器件的制造过程,即使不涉及具体的工艺细节,但大概的流程,比如外延、掺杂、光刻、刻蚀等,如果能有所提及,那就更能让我明白一个芯片是如何从一块硅片“生长”出来的。这种从微观粒子到宏观器件的连接,是让我感到最兴奋的部分。这本书,我预期它会是一次思维上的“重塑”,让我能够用更加深刻的物理视角来审视我们周围的电子世界,理解那些隐藏在光滑屏幕背后的强大科学力量。

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这本书的书名《半导体物理电子学》本身就透露出一种“厚重”和“专业”的气息。我猜想,书中对“半导体晶体生长”的工艺,如直拉法、区熔法等,会有一定的介绍,即使不涉及具体的参数,但其背后的物理原理,例如固液界面上的原子排列、杂质的分布等,应该会有深入的探讨。我期待书中能够详细解释“PN结的形成机理”,不仅仅是简单的势垒形成,而是会深入分析扩散电流和漂移电流的平衡,以及在外加电压作用下的电容效应(结电容、扩散电容)。对于“半导体制造工艺”中的“掺杂”过程,我希望看到对各种掺杂方式(如扩散、离子注入)的原理分析,以及掺杂浓度对载流子浓度、电阻率的影响。我预感,这本书就像一座“知识的殿堂”,需要读者怀着敬畏之心去探索,才能领略其中蕴含的精妙。我希望书中能有一部分内容,着重讲解“半导体照明技术”(如LED)的发光原理,以及不同发光颜色的实现方式,这也能让我更好地理解半导体材料与光之间的关系。这本书给我的感觉是,它不仅仅是在传递信息,更是在构建一种“科学的视野”,让我能够从更宏观、更基础的层面去理解我们身边的科技。

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拿到这本书,首先感受到的是它带给人的那种“沉稳”和“权威”。我猜想,这本书的内容一定经过了反复的推敲和验证,并非泛泛而谈。我特别关注的是,书中是否会深入探讨“表面效应”在半导体器件中的作用,例如表面态、表面复合等,这些往往是影响器件性能稳定性和可靠性的重要因素。我期待书中能够详细解释“载流子输运”的各个方面,包括“漂移”、“扩散”、“热电子”等,并用数学模型来精确描述。对于“半导体器件的可靠性”部分,我希望能有比较深入的阐述,例如器件的老化机制、失效模式分析,以及如何通过设计和工艺来提高可靠性,这对于实际工程应用非常重要。我设想,这本书就像一位经验丰富的“引路人”,它不会给你现成的答案,而是会引导你一步步地去探索,去发现,让你自己能够找到解决问题的关键。我希望书中能有一章专门讲解“半导体测试技术”,例如IV特性测试、CV特性测试、以及一些更高级的测试方法,这将有助于我理解如何评估一个半导体器件的性能。这本书给我的感觉是,它不仅仅是在传授知识,更是在培养一种“独立思考”和“解决问题”的能力,这种能力在任何领域都是极其宝贵的。

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这本书给我的第一印象是“深邃”和“系统”。我猜测,它不会满足于简单介绍一些半导体器件的型号和参数,而是会从最根本的物理原理出发,去剖析电子和空穴在半导体材料中是如何运动的,它们是如何被“控制”的。我尤其好奇书中关于“统计物理学”的部分,如何将微观粒子的行为与宏观的电流、电压关系联系起来。书中对“稳态”、“非稳态”载流子输运的描述,以及“扩散”、“漂移”等基本概念的解释,我预感会非常精彩,能够帮助我理解电流不是“凭空产生”的,而是有其内在的物理机制。我希望看到书中对“击穿”现象的物理解释,以及如何通过材料设计和器件结构来避免或控制它。我对半导体材料的“缺陷”和“杂质”如何影响其电学性能也颇感兴趣,这部分内容往往是决定器件性能的关键,也是制造过程中最棘手的问题之一。这本书给我的感觉就像一本“武功秘籍”,它不会直接告诉你如何去“打败”某个技术难题,而是会让你从最基础的“内功心法”开始修炼,让你掌握“乾坤大挪移”的原理,从而能够举一反三,应对各种复杂的局面。我期待通过阅读这本书,能够获得一种“通透”的感觉,真正理解半导体器件的“灵魂”。

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这本书,初拿到手,光是封面设计就透着一股沉甸甸的专业感,不是那种花里胡哨的科普读物,更像是一本需要静下心来细细品味的经典之作。翻开目录,那些关于能带理论、费米能级、载流子行为的章节,瞬间把我拉回了大学时代那个充满挑战的半导体课程。我虽然不是这方面的专业人士,但对半导体器件的工作原理一直抱有强烈的好奇心。这本书的标题《半导体物理电子学》正是我一直在寻找的,它似乎能深入浅出地解答我心中关于各种芯片、晶体管如何运作的疑惑。书中的插图和图表,虽然没有华丽的色彩,但逻辑清晰,每一条曲线、每一个能级图都仿佛在诉说着物理世界的奥秘。我特别期待书中对 PN 结、MOS 场效应管等基本器件的讲解,希望能从中找到那些我们日常生活中习以为常的电子产品背后,最核心的科学原理。我设想,读完这本书,我大概就能理解为什么手机屏幕的刷新率越来越高,为什么电脑的处理器速度越来越快,为什么电动汽车的电池效率能有如此大的提升。这不仅仅是知识的积累,更是一种思维方式的启迪,让我能从更宏观、更本质的层面去认识这个由半导体技术驱动的科技时代。我甚至想,这本书是否会涉及一些前沿的半导体材料,比如第三代半导体,或者量子点技术?如果能有一部分内容介绍这些,那就更完美了。总的来说,这本书给我一种“厚重”、“专业”的初步印象,我满怀期待地想深入探索其中蕴含的知识宝藏,开启一段探索微观世界的奇妙旅程。

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这本书的厚度和精美的排版,无一不显示出其内容的扎实和作者的用心。我猜想,本书并非一本“速成”读者的入门读物,而是更适合那些渴望深入了解半导体领域“为何如此”的读者。我期待书中能够详细阐述“量子力学”在半导体物理中的应用,比如电子的“波粒二象性”如何影响其在晶格中的运动,以及“跃迁”和“隧穿”等概念如何解释某些器件的工作原理。书中对“半导体掺杂”的讲解,我预感会非常深入,不仅仅是简单地介绍P型和N型,而是会深入探讨掺杂的深度、密度对载流子浓度、迁移率、以及PN结特性的影响。我特别希望书中能够解释“能量守恒”和“动量守恒”在半导体光电器件(如LED、激光器)中的体现,是如何将电能转化为光能的。我设想,这本书就像一座“知识的宝库”,需要读者付出时间和精力去挖掘,但一旦挖掘成功,收获的将是无比珍贵的智慧。我期待书中能有一部分内容,详细介绍各种半导体材料(如硅、锗、砷化镓、氮化镓)的能带结构对比,以及它们各自的优劣势,这将有助于我理解为何不同的应用场景会选择不同的材料。这本书给我的感觉是,它不仅仅是传递知识,更是在培养一种“求真务实”的科研精神。

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初翻此书,一股浓厚的学术气息扑面而来,它不像那些流于表面的科普读物,而是透着一股“硬核”的专业劲儿。我猜想,书中对“能带理论”的阐述会非常详尽,会深入到布里渊区、晶格振动(声子)等概念,这对于理解电子在晶体中的输运至关重要。我期待书中能够详细解释“肖特基结”的形成原理,以及它与PN结在结构和特性上的区别,这对于理解一些高性能的二极管非常有帮助。对于“半导体器件的动态特性”,我希望看到书中对“载流子寿命”和“弛豫时间”的讲解,以及它们如何影响器件的响应速度。我预感,这本书就像一个“精密仪器”,它会带领我一步步去拆解和理解那些看似神秘的电子器件。我希望书中能有一部分内容,着重讲解“光电导效应”和“光生伏特效应”,以及它们在光电器件中的应用,比如光敏电阻和太阳能电池。这本书给我的感觉是,它不仅仅是在教授知识,更是在传递一种“严谨的治学态度”,让我能够以更加审慎和深入的态度去面对科学问题。

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这本书的开本和字体的选择,都给我一种“沉静”而“内敛”的感觉,仿佛它不屑于用花哨的外表来吸引眼球,而是要用内容的深度来赢得读者的尊重。我猜想,书中对“半导体材料的晶格缺陷”的讨论会非常深入,例如空位、间隙原子、位错等,以及这些缺陷如何影响载流子的输运和复合。我期待书中能够详细解释“MOSFET的阈值电压”的物理意义,以及它如何受到栅氧化层厚度、材料掺杂浓度等因素的影响。对于“半导体功率器件”,如IGBT、SCR等,我希望看到书中对它们工作原理和应用场景的介绍,这能让我更好地理解大功率电子设备的工作原理。我预感,这本书就像一位“经验丰富的工程师”,它会分享最核心的“内功心法”,让你能够理解“为什么”这样设计,而不是仅仅记住“怎么做”。我希望书中能有一部分内容,着重讲解“压电效应”在半导体材料中的表现,以及它在传感器和执行器中的应用。这本书给我的感觉是,它不仅仅是在传递技术,更是在培养一种“洞察事物本质”的能力,让我能够看到表象下的深刻原理。

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这本书的装帧设计,给人的第一感觉是“低调”但“有力”,它不像某些畅销书那样张扬,而是散发出一种“实力派”的气质。我猜想,书中对“半导体器件的噪声”的来源和抑制方法会有一定的介绍,这是实际应用中非常重要的一环。我期待书中能够详细解释“半导体激光器”的形成机理,包括受激辐射、谐振腔等概念,这能让我更好地理解光通信等技术。对于“半导体存储器”,如DRAM、Flash等,我希望看到书中对它们工作原理和特性的介绍,这能让我更好地理解我们日常使用的电子设备是如何存储数据的。我预感,这本书就像一本“百科全书”,它里面包含了半导体领域最基础、最核心的知识,等待着我去发掘和吸收。我希望书中能有一部分内容,着重讲解“半导体生物传感器”的设计和工作原理,这也能让我看到半导体技术在交叉学科领域的广泛应用。这本书给我的感觉是,它不仅仅是在教授知识,更是在激发一种“探索未知”的欲望,让我能够对这个充满创新的科技世界充满好奇。

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