Extended Defects in Semiconductors pdf epub mobi txt 电子书下载 2026

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出版者:Cambridge Univ Pr

作者:Holt, D. B./ Yacobi, B. G.

出品人:

页数:644

译者:

出版时间:2007-4

价格:$ 270.07

装帧:HRD

isbn号码:9780521819343

丛书系列:

图书标签:

Semiconductors
Defects
Materials Science
Crystal Defects
Semiconductor Physics
Extended Defects
Dislocations
Grain Boundaries
Stacking Faults
Semiconductor Materials

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具体描述

The elucidation of the effects of structurally extended defects on electronic properties of materials is especially important in view of the current advances in electronic device development that involve defect control and engineering at the nanometer level. This book surveys the properties, effects, roles and characterization of extended defects in semiconductors. The basic properties of extended defects (dislocations, stacking faults, grain boundaries, and precipitates) are outlined, and their effect on the electronic properties of semiconductors, their role in semiconductor devices, and techniques for their characterization are discussed. These topics are among the central issues in the investigation and applications of semiconductors and in the operation of semiconductor devices. The authors preface their treatment with an introduction to semiconductor materials and conclude with a chapter on point defect maldistributions. This text is suitable for advanced undergraduate and graduate students in materials science and engineering, and for those studying semiconductor physics.

这本书“Extended Defects in Semiconductors”系统地探讨了半导体材料中缺陷现象的重要性及其对现代电子设备性能的深远影响。它以清晰的逻辑结构为读者呈现，对多种类型的缺陷进行深入分析，包括晶格缺陷、界面缺陷以及杂质引入等。书中不仅详细介绍了这些缺陷在半导体制备和制造过程中形成的机理，还结合实际案例展示了它们如何对器件特性产生影响。通过丰富的数据实例和图表，读者可以直观地理解每种缺陷类型在不同应用场景中的表现和处理策略。这本书特别注重理论与实践的结合，帮助研究人员和工程师更好地把握半导体材料的复杂性。内容涵盖了从晶体结构到实际制备工艺，每一章均深入剖析缺陷如何在微观层面影响载流子行为、电导特性以及整体器件可靠性。书中对各种先进检测与分析技术的介绍也十分详细，例如X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等，使读者能够更深入地掌握缺陷特征的识别方法。此外，书籍还特别强调了现代半导体制造技术对控制缺陷形成及优化的要求，通过详细讨论最新的减除与缓解策略，为行业提供重要的参考依据。这种系统性和专业性的内容设计，使得读者不仅能获取知识，更能将其应用于实际问题解决。书中还特别关注材料纯度、制备工艺以及环境因素对缺陷生成的影响，帮助读者建立全面的分析框架。通过深入探讨这些关键因素，本书为读者提供了系统化的思维路径，使他们能够更准确地预测和优化半导体产品的性能。在技术前沿部分，作者还引入了一些新兴研究方向，如自修复材料以及新型缺陷表征方法，为未来的科研工作打下坚实基础。总体而言，这本书不仅是一篇内容丰富的学术参考文献，更是对半导体领域从科学到工程全方位的一次深入学习。这本书以专业性和实用性并重，适合希望全面提升对半导体缺陷现象理解及其工程意义的读者。它不仅为理论研究提供了宝贵资源，同时也为技术开发人员提供了坚实的实践指南。在科技日新月异的时代，这一书内容极具参考价值和学习吸引力。