模拟电子技术习题册

模拟电子技术习题册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:
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出品人:
页数:65
译者:
出版时间:2007-8
价格:7.00元
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isbn号码:9787504565020
丛书系列:
图书标签:
  • 模拟电子技术
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具体描述

《高等职业技术院校电类专业教材•模拟电子技术习题册》与国家级职业教育规划教材——《模拟电子技术》配套使用。本习题册的编写紧扣教材的能力目标要求,既注重基础知识的巩固,又强调基本能力的培养。本习题册题型丰富,难易适中,并配有综合测试题,对巩固课堂知识、提高学生分析问题和解决问题的能力有较好的帮助。可供高等职业技术院校、成人高校、本科院校举办的二级职业技术学院和民办高校的教师和学生使用。

好的,以下是一份针对您的图书《模拟电子技术习题册》量身定制的、不包含该书内容的详细图书简介。这份简介将聚焦于其他电子技术领域的经典读物和前沿探索,旨在为读者提供一个广阔的学习视野。 --- 探索电子世界的基石:深入解析经典与前沿的工程实践 本书系并非《模拟电子技术习题册》,而是汇集了电子工程领域一系列跨学科、重实践的经典著作与新兴技术指南的精选合集。它旨在构建一个全景式的电子技术知识图谱,涵盖从基础理论的严谨推导到复杂系统设计的实用技巧,为致力于在电子信息领域深耕的工程师、科研人员和高年级学生提供坚实的理论支撑与丰富的实践案例。 第一部分:数字逻辑的构建与微处理器核心驱动力 本部分聚焦于数字电子系统的设计与实现,强调从最基本的布尔代数逻辑运算到复杂系统架构的演进。 《组合与时序逻辑电路设计原理》:深入剖析CMOS和TTL逻辑族的工作特性、功耗与速度的权衡,详细阐述了门电路的优化、多路复用器、译码器、锁存器及触发器的内部结构与应用。重点在于如何运用状态图和状态表进行同步时序电路(如计数器、状态机)的规范化设计,并引入了故障诊断与测试的初步概念。书中的大量实例侧重于如何利用HDL(硬件描述语言)对复杂逻辑模块进行建模和仿真验证,是迈向FPGA设计的基础。 《嵌入式系统与微控制器原理及应用》:本书跳出了传统微机原理的范畴,侧重于现代高性能嵌入式系统的设计思维。它详细讲解了ARM Cortex-M系列处理器的流水线结构、中断管理机制、特权级和内存保护单元(MPU)的配置。软件方面,重点阐述了实时操作系统(RTOS)的任务调度算法(如时间片轮转、优先级继承)、信号量与互斥锁在并发编程中的正确使用,以及如何高效地进行内存访问和低功耗模式管理。硬件接口部分,涵盖了SPI、I2C、CAN等关键总线的底层驱动开发与调试技巧,特别是针对传感器数据采集的时序同步和噪声抑制方法。 第二部分:通信与信号处理的数学基石 本部分着眼于信息如何在物理世界中被有效地编码、传输和恢复,是理解现代通信系统的核心。 《离散时间信号处理与Z变换分析》:本书以严格的数学推导为基础,详细阐述了采样定理在实际应用中的限制与处理,以及如何利用Z变换对离散系统进行稳定性分析和频率响应评估。重点章节深入探讨了有限脉冲响应(FIR)和无限脉冲响应(IIR)滤波器的设计方法,包括窗函数法、双线性变换法以及频率采样法。书中提供了大量利用MATLAB/Python进行滤波器原型设计、频谱分析和系统仿真的案例,强调理论与仿真结果的一致性验证。 《现代通信原理:从基带到射频》:这一卷聚焦于信息论在实际调制解调技术中的应用。它详细阐述了各种线性与非线性调制技术(如QPSK、16-QAM、FSK)的功率谱密度、星座图分析及其误码率(BER)性能。书中引入了信道编码(如卷积码、Turbo码)的基本概念及其对信噪比的改善效果。此外,还对接收机结构,特别是相干解调与非相干解调的原理进行了深入对比分析,为理解5G等先进通信系统中的关键技术提供了理论框架。 第三部分:电磁场与新能源技术的前沿探索 本部分扩展了电子技术的应用边界,探讨了高速信号的传播特性与可持续能源领域的核心技术。 《高速电路与信号完整性设计》:随着集成电路速度的提升,传统电路理论在PCB设计中面临严峻挑战。本书专注于传输线理论在实际应用中的表现,如阻抗匹配、串扰(Crosstalk)、反射和抖动(Jitter)的成因与消除。它详细介绍了PCB层叠设计、过孔效应(Via Effects)的建模,并引入了时域反射计(TDR)的测量方法,指导工程师如何设计出满足EMC/EMI标准的高速数字互连系统。 《电力电子变换器原理与控制》:针对新能源并网、电动汽车驱动等领域的需求,本书系统讲解了开关电源(SMPS)的拓扑结构,如Buck、Boost和Buck-Boost变换器的工作模式、续流二极管的选择与热设计。控制方面,重点阐述了脉冲宽度调制(PWM)技术的实现,以及如何使用电流环和电压环对变换器输出进行精确的动态控制,确保高效率和高功率密度。书中的案例多涉及SiC(碳化硅)器件在高效能应用中的集成与挑战。 第四部分:集成电路工艺与器件物理基础 为了理解现代电子设备性能的极限,本部分回归到半导体器件的物理基础和制造工艺的限制。 《半导体器件物理导论》:此书详尽描述了PN结的形成、齐纳效应、双极性晶体管(BJT)和MOSFET(特别是增强型和耗尽型)的I-V特性曲线。它解释了载流子迁移率、禁带宽度、掺杂浓度如何影响器件的开关速度和阈值电压。对于想要理解集成电路设计中版图效应(Layout Effects)和工艺角(Process Corners)的读者,这是不可或缺的理论基础。 《CMOS集成电路制造工艺流程详解》:本书提供了从硅晶圆生长到最终封装的完整流程概述。重点介绍了光刻(Lithography)中的关键参数控制、离子注入的深度与剂量精确度、薄膜沉积(CVD/PVD)的均匀性要求,以及互连金属化中的化学机械抛光(CMP)技术。理解这些工艺步骤的限制,对于评估设计可行性和预测器件可靠性至关重要。 通过研读上述一系列专业书籍,读者将构建起一个从基础物理到复杂系统实现的完整知识链条,其深度与广度足以支撑起在任何前沿电子工程领域中的深入研究与创新工作。

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