光纤光学原理及应用 pdf epub mobi txt 电子书下载 2026

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出版者:

作者:张伟刚编

出品人:

页数:353

译者:

出版时间:2008-4

价格:38.00元

装帧:

isbn号码:9787310028740

丛书系列:

图书标签:

光纤光学
光纤通信
光学原理
光纤技术
光电子学
物理学
通信工程
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传感器

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具体描述

《光纤光学原理及应用》以经典电磁场理论和近代光学为基础，系统论述了光纤光学的基本原理、传输特性、设计方法、实现技术以及主要应用。具体内容包括：光纤光学的基本概念、重要参数、光学及物化特性；光波在均匀光纤和渐变光纤中传输的光线理论和波动理论；单模光纤的性质及分析方法；典型的光纤无源和有源器件分析与设计：光纤技术在通信和传感领域的应用；典型的特种光纤及其应用；光纤光栅基础知识、基本理论以及典型应用；光纤特征参数测量方法及应用；光纤非线性效应理论及其典型应用等。

《光纤光学原理及应用》理论应用并重，体系有所创新，内容系统全面，吸纳最新成果(包括作者本人及合作者的科研成果)，各章附小结、思考与习题；可作为高等学校光电子、激光、光学仪器、物理学、信息与通信技术等专业的研究生和本科生教材，也可作为从事光纤通信和光纤传感技术的工程技术人员和其他相关专业人员的参考书。

《现代集成电路设计与制造工艺》内容概要：本书深入探讨了现代集成电路（IC）的设计理念、前端（RTL/逻辑）设计流程、后端（物理实现）流程，以及先进的半导体制造工艺。它旨在为电子工程、微电子学、计算机工程等相关专业的学生、研究人员以及行业工程师提供一个全面且实用的参考框架，涵盖从概念到晶圆产出的完整周期。第一部分：集成电路基础与器件物理本书首先回顾了半导体物理学的基本原理，重点关注MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作机制。详细阐述了亚微米及纳米尺度下晶体管的短沟道效应、漏电流机制、以及亚阈值传导问题。随后，引入了关键的器件模型，如BSIM模型，及其在电路仿真中的应用。讨论了先进封装技术对系统级性能的影响，包括芯片与封装的协同设计（Co-design）。第二部分：数字电路设计与验证在数字领域，本书遵循自顶向下（Top-Down）的设计方法。首先介绍了同步数字系统的设计基础，包括时序约束的建立、时钟树综合（CTS）的原理与挑战。重点剖析了标准单元库（Standard Cell Library）的特性和选择标准。深入讲解了逻辑综合（Logic Synthesis）的过程，包括网表（Netlist）的生成、优化算法（如技术映射、布线优化）的应用。在验证方面，本书详细介绍了静态时序分析（STA），包括建立时间（Setup Time）和保持时间（Hold Time）的裕量计算、常见时序违例的排查与修正方法，如缓冲器插入、逻辑重定时。同时，也涵盖了形式验证（Formal Verification）的基本概念及其在确保设计正确性中的作用。第三部分：模拟与混合信号电路设计针对对精度和功耗敏感的应用，本书阐述了模拟集成电路（Analog IC）的设计挑战。详细介绍了关键的模拟模块设计，包括： 1. 运算放大器（Op-Amp）设计：讨论了不同拓扑结构（如折叠共源共栅、折叠输入级）的优缺点，增益、带宽、相位裕度、噪声的权衡。 2. 数据转换器（ADC/DAC）：深入分析了SAR、Sigma-Delta、流水线ADC的架构、线性度（INL/DNL）的量化与校准技术。 3. 锁相环（PLL）与延迟锁定环（DLL）：介绍了频率合成器中环路滤波器设计、压控振荡器（VCO）的相位噪声抑制技术。混合信号集成中，噪声耦合和串扰是核心问题。书中提供了隔离技术、地线设计（Grounding Techniques）和电源完整性（PI）的实践指南。第四部分：后端物理实现与流片后端设计是将逻辑设计转化为实际物理版图的关键步骤。本书系统地介绍了物理实现流程： 1. 布局规划（Floorplanning）：涉及宏单元（Macro）的放置、电源网络（Power Grid）的设计、I/O端口的规划，以最小化信号延迟和功耗。 2. 电源与时钟网络设计：重点讨论了IR Drop（电压降）分析、电迁移（Electromigration）的预防措施。时钟树的均衡与去偏斜（Skew Reduction）是保证时序收敛的核心。 3. 布线（Routing）：分析了全局布线与详细布线的策略，探讨了多层金属布线的优化技术，以应对日益复杂的互连延迟。 4. 版图验证（Layout Verification）：详细解释了设计规则检查（DRC）、版图与原理图一致性检查（LVS）、寄生参数提取（PEX）的重要性及其在流片前的质量保证作用。第五部分：半导体制造工艺基础为理解设计与制造之间的映射关系，本书引入了半导体制造流程的概述。涵盖了晶圆准备、氧化、光刻（Lithography）——特别是极紫外光刻（EUV）对特征尺寸的突破，以及薄膜沉积与刻蚀技术（干法与湿法）。讨论了先进节点（如7nm及以下）中关键的技术挑战，如应力硅的应用、FinFET与GAA结构对器件性能的提升，以及良率（Yield）管理的基础知识。目标读者：本书内容深度适中，既适合高等院校高年级本科生和研究生作为教材或参考书，也适合在职工程师用于系统性地更新和巩固在CMOS集成电路设计、验证、后端实现及半导体制造工艺方面的知识体系。它强调理论与工业实践的结合，旨在培养能够独立应对复杂IC设计挑战的专业人才。