电路设计PROTEL

电路设计PROTEL pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:
作者:孙惠芹
出品人:
页数:260
译者:
出版时间:1970-1
价格:27.00元
装帧:
isbn号码:9787561826775
丛书系列:
图书标签:
  • 电路设计
  • Protel
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具体描述

《卓越系列•21世纪高职高专精品规划教材•电路设计PROTEL》内容包括:中文版Protel 2002的概述;中文版Protel 2002原理图绘制的环境、工具和方法;中文版Protel 2002 PCB印制电路板设计的环境、布局和布线知识与技巧等。全书内容丰富实用、结构科学合理、层次清晰严谨,并精选了工程中的典型实例作为例题和练习题,对从事电子线路设计的广大科技人员和大专院校师生有较大的参考价值。

深度解析现代集成电路制造工艺:从晶圆制备到封装测试 本书聚焦于当前尖端半导体制造领域,全面、深入地剖析了从硅材料的提纯、晶圆的生长与加工,到集成电路(IC)的复杂制造流程,再到最终的封装与严格测试的全过程。本书旨在为电子工程、材料科学、微电子学等领域的专业人士、高级学生以及对半导体产业有浓厚兴趣的研究人员,提供一个详尽且具备前瞻性的技术参考框架。 --- 第一部分:半导体材料基础与硅晶圆的制备 本部分奠定了整个微电子技术的基础。我们深入探讨了半导体物理学的核心原理,特别是硅(Si)作为主流材料的特性、掺杂机制及其在器件制造中的关键作用。 第一章:半导体物理基础与材料选择 半导体能带理论回顾: 深入解析本征半导体、N型和P型掺杂半导体的载流子浓度、迁移率及其温度依赖性。 关键材料对比: 详细比较了硅、锗(Ge)以及第三代半导体(如GaAs, GaN, SiC)的物理特性、晶格结构、带隙能量,并探讨了它们在不同应用场景下的适用性(如高频、高功率应用)。 先进硅基底技术: 介绍SOI(绝缘体上硅)结构、超薄膜硅的制备技术及其对器件性能(如静电控制、短沟道效应抑制)的优势。 第二章:高纯度硅的提纯与单晶生长 冶金级硅到电子级硅(EGS): 详述从石英砂到三氯硅烷(SiHCl3)的化学提纯过程,以及随后通过西门子法或流化床反应器实现电子级多晶硅的制备,强调纯度对器件可靠性的决定性影响。 晶体生长技术: 全景展示直拉法(Czochralski, CZ)和区熔法(Float Zone, FZ)的工艺细节、优缺点及对晶体缺陷(如微环、氧/碳杂质)的控制。 晶圆加工与抛光: 介绍晶棒的切割、研磨、化学机械抛光(CMP)技术,重点分析实现原子级平坦度的关键参数控制,为后续薄膜淀积和光刻奠定基础。 --- 第二部分:核心集成电路制造工艺链 本部分是全书的核心,详尽阐述了集成电路制造的“黄金步骤”——从薄膜生长、掺杂到图案转移的每一个关键环节。 第三章:薄膜沉积技术 介质薄膜的制备: 深入探讨热氧化(湿氧化与干氧化)的物理化学过程,以及原子层沉积(ALD)在形成超薄、高介电常数栅氧层中的革命性作用,重点分析ALD的自限制性生长机制。 导电薄膜的淀积: 详细介绍化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD,包括溅射与蒸镀)在多晶硅、钨(W)和铜(Cu)互连层沉积中的应用,并比较其在金属薄膜的阶梯覆盖率(Step Coverage)和应力控制上的表现。 第四章:掺杂技术与激活 离子注入(Ion Implantation): 详述加速电压、束流控制对注入深度和分布的影响。重点分析先进工艺中对低能、高剂量注入的控制策略,以及先进的源极/漏极工程(Source/Drain Engineering)。 退火与激活: 阐述热退火(Furnace Annealing)和快速热处理(RTA)的目的——修复晶格损伤和激活掺杂剂。引入激光退火(LA)和快速退火系统在控制侧翼扩散和维持浅结方面的关键作用。 第五章:光刻技术——图案定义的艺术 深紫外光刻(DUV): 详细介绍193nm浸没式光刻(Immersion Lithography)的成像原理、液滴控制及光学邻近效应(OPC)的校正技术。 极紫外光刻(EUV): 本章重点剖析EUV技术的核心挑战与突破,包括光源(激光等离子体)、反射式光学系统(全反射镜组)、掩模版(MoS)的制造与缺陷检测,以及在先进制程节点(如3nm及以下)中的应用。 光刻胶化学与显影: 分析化学放大抗蚀剂(CAR)的工作机制、对比度与分辨率的关系,并介绍先进的掩模制造工艺。 第六章:刻蚀技术——图案的精确转移 干法刻蚀原理: 深入解析反应离子刻蚀(RIE)、深反应离子刻蚀(DRIE,特别是Bosch工艺)的等离子体诊断与参数控制。重点讨论各向异性刻蚀的机制,以及对侧壁粗糙度和垂直度的影响。 湿法刻蚀与清洗: 介绍常用的湿法刻蚀剂及其选择性。重点讨论先进的清洗技术(如SC-1/SC-2清洗液、臭氧水清洗),以有效去除颗粒物、有机物和金属残留,预防交叉污染。 --- 第三部分:后段工艺、互连与封装技术 随着晶体管尺寸的缩小,后段工艺(Back-End-Of-Line, BEOL)的重要性日益凸显,本书对金属互连和先进封装技术进行了详尽论述。 第七章:多层金属互连与低K介质 铜互连的挑战与发展: 详细介绍铜的引入、双大马士革工艺(Dual Damascene Process)的每一步——从介质刻蚀、籽晶层(Seed Layer)的电镀到去除多余铜的化学机械平坦化(CMP)。 应力缓冲层与扩散阻挡层: 分析钽(Ta)和氮化钽(TaN)在阻止铜扩散和控制应力方面的关键作用。 低K材料的应用: 介绍孔隙率控制的超低K(Ultra-Low-k)介质材料,以及如何通过孔隙填充技术(Porous Material Integration)来降低RC延迟。 第八章:先进封装与异构集成 从引线键合到倒装芯片(Flip-Chip): 阐述不同封装类型的结构特点、热管理挑战和可靠性评估。 3D集成技术: 深入探讨硅通孔(TSV)的制造工艺(深孔刻蚀、绝缘、填充)及其在高带宽内存(HBM)和系统级集成中的应用。 Chiplet与异构集成: 分析模块化设计思想如何通过先进的硅中介层(Interposer)实现不同功能芯片的并联,以突破传统单片集成电路的面积和良率限制。 第九章:测试、良率与可靠性工程 晶圆级测试与分级(Binning): 介绍探针卡(Probe Card)技术、自动测试设备(ATE)的工作流程,以及如何通过电学测试数据对产品性能进行分类。 良率建模与统计分析: 运用泊松分布、负二项分布等模型分析缺陷密度、良率与晶圆面积的关系。重点讨论如何通过缺陷分类(Defect Clustering)来指导工艺改进。 器件可靠性评估: 涵盖热加速老化(TMA)、电迁移(EM)、静电放电(ESD)防护设计,以及在极端操作条件下的寿命预测方法。 --- 本书的特色在于其对半导体制造工艺的流程化、系统化梳理,结合最新的技术节点进展和工程实践案例,强调跨学科知识(材料、化学、物理、电子学)的融合应用,是理解现代IC制造复杂性的权威指南。

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初次接触这本书时,我抱着既期待又有些忐忑的心情。毕竟“PROTEL”这个名字在行业内是经典,但随着技术迭代,很多老工具的资料不一定能完全跟上最新的EDA软件环境。然而,这本书的开篇章节,对于基础理论的阐述,深度和广度都超出了我的预想。它并非简单地罗列命令和操作步骤,而是深入剖析了底层的设计哲学,比如为什么在特定的信号路径上需要做阻抗匹配,以及在多层板设计中,电源层和地层的划分策略对EMC(电磁兼容性)的影响机制。作者用非常精炼的语言,将那些晦涩难懂的物理原理,通过恰到好处的图示和类比进行了有效拆解,使得我这个自认为对基础有一定了解的人,都获得了不少新的启发。特别是关于高速信号完整性的那几章,简直可以作为教材来使用,逻辑层次分明,论证严密,推荐给所有初入硬件设计领域的朋友们,它能帮你打下一个极其坚实的地基。

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这本书的装帧设计真是让人眼前一亮,那种沉稳的深蓝色调,搭配着清晰锐利的银色字体,初看之下就有一种专业和权威感扑面而来。我特地留意了一下纸张的质量,触感细腻,印刷色彩饱满且过渡自然,即便是复杂的电路图和PCB布局图,线条也纤毫毕现,长时间阅读下来眼睛也不会感到特别疲劳,这一点对于我们这些需要对着图纸啃上好几个小时的工程师来说,简直是福音。书脊的装订也做得相当扎实,感觉即便是经常翻阅也不会轻易散页,这无疑体现了出版方在细节上的用心。不过,我个人可能更偏爱那种封面设计稍微活泼一点的风格,但这本《电路设计PROTEL》的这种严谨的商务风,倒是很符合其专业技术的定位,拿在手里,确实有种“硬核干货”的份量感。如果说有什么小小的遗憾,或许是扉页的设计可以再加入一些行业先驱的引言或者设计理念的阐述,增加一些人文情怀,但话说回来,专注于技术内容本身,它无疑已经做到了极致的专业化呈现。

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这本书的叙事节奏感极强,这一点在技术书籍中是相对少见的。不同于一些教科书那种平铺直叙的写风,它懂得在关键知识点上进行节奏的收放和强调。它不会一次性抛出所有复杂概念,而是采取“循序渐进,螺旋上升”的结构。比如,在介绍完基本的叠层设计后,它会立刻穿插一个关于“如何应对串扰的初级技巧”的小节,让我们在掌握基础后马上就能看到实际应用中的挑战和对策。这种设计让阅读过程始终保持着一种动态的平衡感,既不会因为太快而让人跟不上思路,也不会因为拖沓而让人产生倦怠。特别是对那些已经有一些基础,但渴望突破瓶颈的工程师来说,这种有张有弛的讲解方式,更容易抓住阅读的黄金窗口期,让人忍不住想一口气读完后续章节,去探索更深层次的奥秘。

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我花了好几个周末的时间,尝试跟着书中的项目案例进行实际操作。这本书的实战性部署做得非常到位,它不是那种只谈理论却不给出口的“半成品”教材。每一个案例都附带有详尽的步骤分解,从原理图的符号选择、元件封装的创建,到布局布线的空间规划,乃是最终DRC(设计规则检查)的排错指南,都讲解得面面俱到。更让我惊喜的是,它似乎预设了初学者可能会遇到的所有“坑点”,并且提前给出了解决方案。例如,在处理BGA器件的散热走线时,书里详细说明了如何利用空心焊盘和散热过孔阵列来优化热传导,这在很多速成教程中是绝不会提及的细节。这种手把手的引导,极大地增强了读者的实操信心,让人感觉自己不是在看一本冰冷的工具书,而是在一位经验丰富的老工程师的陪伴下进行学习和实践,成就感满满。

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我印象最深的是书中关于“设计文档化”和“版本控制”那一块内容。坦白说,很多技术书籍都忽略了工程实践中同样重要的“软技能”。这本书没有止步于画出漂亮的板子,而是深入探讨了如何有效地管理你的设计资产。它详细阐述了如何编写一份高质量的设计规范文档(Specification Document),如何利用PROTEL内置的功能进行多轮设计评审(Design Review)的记录与反馈整合。这部分内容,对于未来项目交接、团队协作,乃至于应对供应商的规格确认,都具有不可替代的价值。它教会我们,一个优秀的设计师,不仅要能做出电路,更要能清晰、准确、可追溯地表达自己的设计意图。这使得这本书的价值从单纯的“工具指南”提升到了“工程方法论”的层面,这也是我个人认为它超越了一般性教程的关键所在。

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