第一部分
固態電子學與器件
第1章
電子學簡介
1.1電子學發展簡史： 從真空管到吉規模集成電路
1.2電信號的分類
1.2.1數字信號
1.2.2模擬信號
1.2.3A/D和D/A轉換器——模擬與數字
信號的橋梁
1.3符號約定
1.4問題求解的方法
1.5電路理論的主要概念
1.5.1分壓和分流
1.5.2戴維南定理和諾頓定理
1.6電信號的頻譜
1.7放大器
1.7.1理想運算放大器
1.7.2放大器頻率響應
1.8電路設計中元件參數的變化
1.8.1容差的數學模型
1.8.2最差情況分析
1.8.3濛特卡洛分析
1.8.4溫度係數
1.9數值精度
小結
關鍵詞
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習題
第2章
固態電子學
2.1固態電子材料
2.2共價鍵模型
2.3半導體中的漂移電流和遷移率
2.3.1漂移電流
2.3.2遷移率
2.3.3速度飽和
2.4本徵矽的電阻率
2.5半導體中的雜質
2.5.1矽中的施主雜質
2.5.2矽中的受主雜質
2.6摻雜半導體中的電子和空穴濃度
2.6.1n型材料(ND>NA)
2.6.2p型材料(NA>ND)
2.7摻雜半導體中的遷移率和電阻率
2.8擴散電流
2.9總電流
2.10能帶模型
2.10.1本徵半導體中電子空穴對的産生
2.10.2摻雜半導體的能帶模型
2.10.3補償半導體
2.11集成電路製造綜述
小結
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習題

第3章
固態二極管和二極管電路
3.1pn結二極管
3.1.1pn結靜電學
3.1.2二極管內部電流
3.2二極管的iv特性
3.3二極管方程：二極管的數學模型
3.4二極管特性之反偏、零偏和正偏
3.4.1反偏
3.4.2零偏
3.4.3正偏
3.5二極管的溫度係數
3.6反偏下的二極管
3.6.1實際二極管的飽和電流
3.6.2反嚮擊穿
3.6.3擊穿區的二極管模型
3.7pn結電容
3.7.1反偏
3.7.2正偏
3.8肖特基勢壘二極管
3.9二極管的SPICE模型及版圖
3.9.1二極管的版圖
3.10二極管電路分析
3.10.1負載綫分析法
3.10.2二極管數學模型分析法
3.10.3理想二極管模型
3.10.4恒壓降模型
3.10.5模型比較與討論
3.11多二極管電路
3.12二極管工作在擊穿區域的分析
3.12.1負載綫分析
3.12.2分段綫性模型分析
3.12.3穩壓器
3.12.4包含齊納電阻的電路分析
3.12.5綫性調整率和負載調整率
3.13半波整流電路
3.13.1帶負載電阻的半波整流器
3.13.2整流濾波電容
3.13.3帶RC負載的半波整流器
3.13.4紋波電壓和導通期
3.13.5二極管電流
3.13.6浪湧電流
3.13.7額定峰值反嚮電壓
3.13.8二極管功耗
3.13.9輸齣負電壓的半波整流器
3.14全波整流電路
3.14.1輸齣負電壓的全波整流器
3.15全波橋式整流
3.16整流器的比較及摺中設計
3.17二極管的動態開關行為
3.18光電二極管、太陽能電池和發光二極管
3.18.1光電二極管和光探測器
3.18.2太陽能電池
3.18.3發光二極管（LED）
小結
關鍵詞
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習題
第4章
場效應晶體管
4.1MOS電容特性
4.1.1積纍區
4.1.2耗盡區
4.1.3反型區
4.2NMOS晶體管
4.2.1NMOS晶體管的iv特性的定性描述
4.2.2NMOS晶體管的綫性區特性
4.2.3導通電阻
4.2.4跨導
4.2.5iv特性的飽和
4.2.6飽和（夾斷）區的數學模型
4.2.7飽和跨導
4.2.8溝道長度調製
4.2.9傳輸特性及耗盡型MOSFET
4.2.10體效應或襯底靈敏度
4.3PMOS晶體管
4.4MOSFET電路符號
4.5MOS晶體管的電容
4.5.1NMOS晶體管的綫性區電容
4.5.2飽和區電容
4.5.3截止區電容
4.6SPICE中的MOSFET建模
4.7MOS晶體管的等比例縮放
4.7.1漏極電流
4.7.2柵極電容
4.7.3電流和功率密度
4.7.4功耗延遲積
4.7.5截止頻率
4.7.6大電場限製
4.7.7包含高場限製的統一MOS晶體管模型
4.7.8亞閾值導通
4.8MOS晶體管的製造工藝及版圖設計規則
4.8.1最小特徵尺寸和對準容差
4.8.2MOS晶體管的版圖
4.9NMOS場效應管的偏置
4.9.1為什麼需要偏置
4.9.2四電阻偏置
4.9.3恒定柵源電壓偏置
4.9.4Q點的圖形分析
4.9.5包含體效應的分析
4.9.6使用統一模型進行分析
4.10PMOS場效應晶體管的偏置
4.11結型場效應管（JFET）
4.11.1偏壓下的JFET
4.11.2漏源偏置下的JFET溝道
4.11.3n溝道JFET的iv特性
4.11.4p溝道JFET
4.11.5JFET的電路符號和模型小結
4.11.6JFET電容
4.12JFET的SPICE模型
4.13JFET和耗盡型MOSFET的偏置
小結
關鍵詞
參考文獻
習題
第5章
雙極型晶體管
5.1雙極型晶體管的物理結構
5.2npn晶體管的傳輸模型
5.2.1正嚮特性
5.2.2反嚮特性
5.2.3任意偏置條件下晶體管傳輸模型方程
5.3pnp晶體管
5.4晶體管傳輸模型的等效電路
5.5雙極型晶體管的iv特性
5.5.1輸齣特性
5.5.2傳輸特性
5.6雙極型晶體管的工作區
5.7傳輸模型的簡化
5.7.1截止區的簡化模型
5.7.2正嚮有源區的模型簡化
5.7.3雙極型集成電路中的二極管
5.7.4反嚮有源區的簡化模型
5.7.5飽和區模型
5.8雙極型晶體管的非理想特性
5.8.1結擊穿電壓
5.8.2基區的少數載流子傳輸
5.8.3基區傳輸時間
5.8.4擴散電容
5.8.5共發電流增益對頻率的依賴性
5.8.6Early效應和Early電壓
5.8.7Early效應的建模
5.8.8Early效應的産生原因
5.9跨導
5.10雙極型工藝與SPICE模型
5.10.1定量描述
5.10.2SPICE模型方程
5.10.3高性能雙極型晶體管
5.11BJT的實際偏置電路
5.11.1四電阻偏置網絡
5.11.2四電阻偏置網絡的設計目標
5.11.3四電阻偏置電路的迭代分析
5.12偏置電路的容差
5.12.1最差情況分析
5.12.2濛特卡洛分析
小結
關鍵詞
參考文獻
習題

第二部分
數字電路
第6章
數字電路簡介
6.1理想邏輯門
6.2邏輯電平定義和噪聲容限
6.2.1邏輯電壓電平
6.2.2噪聲容限
6.2.3邏輯門的設計目標
6.3邏輯門的動態響應
6.3.1上升和下降時間
6.3.2傳輸延遲
6.3.3功耗延遲積
6.4布爾代數迴顧
6.5NMOS邏輯設計
6.5.1帶負載電阻的NMOS反相器
6.5.2開關晶體管MS的W/L比設計
6.5.3負載電阻設計
6.5.4負載綫的可視化
6.5.5開關器件的導通電阻
6.5.6噪聲容限分析
6.5.7VIL和VOH的計算
6.5.8 VIH和VOL的計算
6.5.9電阻器負載反相器噪聲容限
6.5.10負載電阻問題
6.6晶體管替代負載電阻方案
6.6.1NMOS飽和負載反相器
6.6.2帶綫性負載設備的NMOS反相器
6.6.3帶耗盡型負載的NMOS反相器
6.7NMOS反相器小結與比較
6.8速度飽和對靜態設計的影響
6.8.1開關晶體管設計
6.8.2負載晶體管設計
6.8.3速度飽和影響小結
6.9NMOS與非門和或非門
6.9.1或非門
6.9.2與非門
6.9.3NMOS耗盡型工藝中的或非門及與
非門布局
6.10復雜NMOS邏輯設計
6.11功耗
6.11.1靜態功耗
6.11.2動態功耗
6.11.3MOS邏輯門的功率縮放
6.12MOS邏輯門的動態特性
6.12.1邏輯電路中的電容
6.12.2帶電阻性負載的NMOS反相器的
動態響應
6.12.3NMOS反相器延遲比較
6.12.4速度飽和對反相器延遲的影響
6.12.5基於參考電路仿真的縮放
6.12.6固有門延遲的環形振蕩器測量法
6.12.7無負載反相器的延遲
6.13PMOS邏輯
6.13.1PMOS反相器
6.13.2與非門和或非門
小結
關鍵詞
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習題
第7章
CMOS邏輯電路設計
7.1CMOS反相器
7.1.1CMOS反相器版圖
7.2CMOS反相器的靜態特性
7.2.1CMOS電壓傳輸特性
7.2.2CMOS反相器的噪聲容限
7.3CMOS反相器的動態特性
7.3.1傳播延遲估計
7.3.2上升和下降時間
7.3.3按性能等比例縮放
7.3.4速度飽和效應對CMOS反相器延遲的
影響
7.3.5級聯反相器延遲
7.4CMOS功耗及功耗延遲積
7.4.1靜態功耗
7.4.2動態功耗
7.4.3功耗延遲積
7.5CMOS或非門和與非門
7.5.1CMOS或非門
7.5.2CMOS與非門
7.6CMOS復雜門電路設計
7.7邏輯門的最小尺寸設計及性能
7.8級聯緩衝器
7.8.1級聯緩衝器延遲模型
7.8.2最優級數
7.9CMOS傳輸門
7.10雙穩態電路
7.10.1雙穩態鎖存器
7.10.2RS觸發器
7.10.3采用傳輸門的D鎖存器
7.10.4主從D觸發器
7.11CMOS閂鎖效應
小結
關鍵詞
參考文獻
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習題

第8章
MOS存儲器及其電路
8.1隨機存取存儲器（RAM）
8.1.1RAM存儲器架構
8.1.2256MB存儲器芯片
8.2靜態存儲器單元電路
8.2.1內存單元的隔離和訪問6T單元
8.2.2讀操作
8.2.3嚮6T單元寫數據
8.3動態存儲單元電路
8.3.11T單元電路
8.3.21T單元的數據存儲
8.3.31T單元的數據讀取
8.3.44T單元電路
8.4感測放大器
8.4.16T單元的感測放大器
8.4.21T單元的感測放大器
8.4.3升壓字綫電路
8.4.4鍾控CMOS感測放大器
8.5地址譯碼器
8.5.1或非門譯碼器
8.5.2與非門譯碼器
8.5.3傳輸管列譯碼器
8.6隻讀存儲器(ROM)
8.7閃存
8.7.1浮柵技術
8.7.2NOR電路實現
8.7.3NAND電路實現
小結
關鍵詞
參考文獻
習題
第9章
雙極型邏輯電路
9.1電流開關(發射極耦閤對)
9.1.1電流開關靜態特性的數學模型
9.1.2對於VI>VREF的電流開關分析
9.1.3VI
9.2發射極耦閤邏輯（ECL）門
9.2.1VI = VH時的ECL門
9.2.2VI=VL時的ECL門
9.2.3ECL門的輸入電流
9.2.4ECL小結
9.3ECL門的噪聲容限分析
9.3.1VIL、VOH、VIH和VOL
9.3.2噪聲容限
9.4電流源的實現
9.5ECL或或非門
9.6射極跟隨器
9.6.1帶有負載電阻的射極跟隨器
9.7“發射極點接”或“綫或”邏輯
9.7.1射極跟隨器輸齣的並聯連接
9.7.2綫或邏輯函數
9.8ECL功耗延遲特性
9.8.1功耗
9.8.2門延遲
9.8.3功耗延遲積
9.9正射極耦閤邏輯電平（PECL）
9.10電流模邏輯（CML）
9.10.1CML邏輯門
9.10.2CML邏輯電平
9.10.3VEE供電電壓
9.10.4高電平CML
9.10.5降低CML功耗
9.10.6源極耦閤FET邏輯（SCFL）
9.11飽和雙極型反相器
9.11.1靜態反相器特性
9.11.2雙極型晶體管的飽和電壓
9.11.3負載綫可視化
9.11.4飽和BJT的開關特性
9.12晶體管晶體管邏輯（TTL）
9.12.1VI =VL時的TTL反相器分析
9.12.2VI= VH時的TTL反相器分析
9.12.3功耗
9.12.4TTL傳播延遲和功率延遲積
9.12.5TTL的電壓傳輸特性和噪聲容限
9.12.6標準TTL的扇齣限製
9.13TTL中的邏輯函數
9.13.1多發射極輸入晶體管
9.13.2TTL與非門
9.13.3輸入鉗位二極管
9.14肖特基鉗位TTL
9.15ECL和TTL的功耗延遲對比
9.16BiCMOS邏輯
9.16.1BiCMOS緩衝器
9.16.2BiNMOS反相器
9.16.3BiCMOS邏輯門
小結
關鍵詞
參考文獻
補充閱讀
習題
第三部分
模擬電路
第10章
模擬係統和理想運算放大器
10.1模擬電子係統示例
10.2放大作用
10.2.1電壓增益
10.2.2電流增益
10.2.3功率增益
10.2.4分貝
10.3放大器的二端口模型
10.3.1g參數
10.4源和負載電阻的失配
10.5運算放大器簡介
10.5.1差分放大器
10.5.2差分放大器的電壓傳輸特性
10.5.3電壓增益
10.6放大器的失真
10.7差分放大器模型
10.8理想差分放大器和運算放大器
10.8.1理想運算放大器分析中的假設
10.9理想運算放大器電路的分析
10.9.1反相放大器
10.9.2互阻放大器——電流/電壓轉換器
10.9.3同相放大器
10.9.4單位增益緩衝器或電壓跟隨器
10.9.5求和放大器
10.9.6差分放大器
10.10反饋放大器的頻率特性
10.10.1伯德圖
10.10.2低通放大器
10.10.3高通放大器
10.10.4帶通放大器
10.10.5有源低通濾波器
10.10.6有源高通濾波器
10.10.7積分器
10.10.8微分器
小結
關鍵詞
參考文獻
補充閱讀
習題
第11章
非綫性運算放大器和反饋放大器的穩定性
11.1經典反饋係統
11.1.1閉環增益分析
11.1. 2增益誤差
11.2含有非理想運算放大器的電路分析
11.2.1有限開環增益
11.2.2非零輸齣電阻
11.2.3有限輸入電阻
11.2.4非理想反相和同相放大器小結
11.3串聯反饋和並聯反饋電路
11.3.1反饋放大器類型
11.3.2電壓放大器——電壓串聯反饋
11.3.3跨阻放大器——電壓並聯反饋
11.3.4電流放大器——電流並聯反饋
11.3.5跨導放大器——電流串聯反饋
11.4反饋放大器計算的統一方法
11.4.1閉環增益分析
11.4.2利用Blackman理論計算電阻
11.5電壓串聯反饋放大器——電壓放大器
11.5.1閉環增益計算
11.5.2輸入電阻計算
11.5.3輸齣電阻計算
11.5.4電壓串聯反饋放大器小結
11.6電壓並聯反饋放大器——跨阻放大器
11.6.1閉環增益分析
11.6.2輸入電阻計算
11.6.3輸齣電阻計算
11.6.4電壓並聯反饋放大器小結
11.7電流串聯反饋放大器——跨導放大器
11.7.1閉環增益計算
11.7.2輸入電阻計算
11.7.3輸齣電阻計算
11.7.4電流串聯反饋放大器小結
11.8電流並聯反饋放大器——電流放大器
11.8.1閉環增益計算
11.8.2輸入電阻計算
11.8.3輸齣電阻計算
11.8.4電流並聯反饋放大器總結
11.9使用持續電壓和電流注入法計算迴路增益
11.9.1簡化
11.10利用反饋減小失真
11.11直流誤差源和輸齣擺幅限製
11.11.1輸入失調電壓
11.11.2失調電壓調節
11.11.3輸入偏置電流和輸入失調電流
11.11.4輸齣電壓和電流限製
11.12共模抑製比和輸入電阻
11.12.1有限共模抑製比
11.12.2共模抑製比的重要性
11.12.3由CMRR産生的電壓跟隨器增益誤差
11.12.4共模輸入電阻
11.12.5CMRR的另一種解釋
11.12.6電源抑製比
11.13運算放大器的頻率響應和帶寬
11.13.1同相放大器的頻率響應
11.13.2反相放大器的頻率響應
11.13.3利用反饋控製頻率響應
11.13.4大信號限製——擺率和滿功率帶寬
11.13.5運算放大器頻率響應的宏模型
11.13.6運算放大器的SPICE宏模型
11.13.7通用運算放大器實例
11.14反饋放大器的穩定性
11.14.1奈奎斯特圖
11.14.2一階係統
11.14.3二階係統和相位裕度
11.14.4階躍響應和相位裕度
11.14.5三階係統和增益裕度
11.14.6根據伯德圖判斷穩定性
小結
關鍵詞
參考文獻
習題
第12章
運算放大器應用
12.1級聯放大器
12.1.1二端口錶示
12.1.2放大器專有名詞迴顧
12.1.3級聯放大器的頻率響應
12.2儀錶放大器
12.3有源濾波器
12.3.1低通濾波器
12.3.2帶增益的高通濾波器
12.3.3帶通濾波器
12.3.4靈敏度
12.3.5幅值和頻率縮放
12.4開關電容電路
12.4.1開關電容積分器
12.4.2同相SC積分器
12.4.3開關電容濾波器
12.5數/模轉換
12.5.1數/模轉換器基礎
12.5.2數/模轉換器誤差
12.5.3數/模轉換電路
12.6模/數轉換
12.6.1模/數轉換器基礎
12.6.2模/數轉換器誤差
12.6.3基本模/數轉換技術
12.7振蕩器
12.7.1振蕩的巴剋豪森準則
12.7.2帶頻率選擇RC網絡的振蕩器
12.8非綫性電路的應用
12.8.1精密半波整流器
12.8.2非飽和的精準整流電路
12.9正反饋電路
12.9.1比較器和施密特觸發器
12.9.2非穩態多諧振蕩器
12.9.3單穩態多諧振蕩器或單穩態電路
小結
關鍵詞
參考文獻
習題
第13章
小信號建模與綫性放大
13.1晶體管放大器
13.1.1BJT放大器
13.1.2MOSFET放大器
13.2耦閤電容和旁路電容
13.3用直流和交流等效電路進行電路分析
13.3.1直流和交流分析步驟
13.4小信號模型簡介
13.4.1二極管小信號行為的圖形解釋
13.4.2二極管的小信號建模
13.5雙極型晶體管的小信號模型
13.5.1混閤π模型
13.5.2圖解跨導
13.5.3小信號電流增益
13.5.4BJT的固有電壓增益
13.5.5小信號模型的等效形式
13.5.6簡化的混閤π模型
13.5.7雙極型晶體管的小信號定義
13.5.8pnp晶體管的小信號模型
13.5.9用SPICE進行交流分析和瞬態分析的對比
13.6共射極放大器
13.6.1端電壓增益
13.6.2輸入電阻
13.6.3信號源電壓增益
13.7重要限製及模型簡化
13.7.1共射極放大器的設計指導
13.7.2共射極增益的上限
13.7.3共射極放大器的小信號限製
13.8場效應晶體管的小信號模型
13.8.1MOSFET的小信號模型
13.8.2MOSFET的本徵電壓增益
13.8.3MOSFET小信號工作的定義
13.8.4四端MOSFET中的體效應
13.8.5PMOS晶體管的小信號模型
13.8.6結型場效應晶體管(JFET)的小信號
模型
13.9BJT和FET小信號模型小結與對比
13.10共源極放大器
13.10.1共源極端電壓增益
13.10.2共源極放大器的信號源電壓增益
13.10.3共源極放大器的設計指導
13.10.4共源極放大器的小信號限製
13.10.5共射極放大器和共源極放大器的
輸入電阻
13.10.6共射極和共源極的輸齣電阻
13.10.7三個放大器實例的比較
13.11共射極放大器和共源極放大器小結
13.11.1可忽略晶體管輸齣電阻的指南
13.12放大器功率和信號範圍
13.12.1功耗
13.12.2信號範圍
小結
關鍵詞
習題
第14章
單晶體管放大器
14.1放大器分類
14.1.1雙極型晶體管的信號注入和抽取
14.1.2場效應管的信號注入和抽取
14.1.3共發射極(CE)和共源極(CS)
放大器
14.1.4共集電極(CC)和共漏極(CD)
拓撲圖
14.1.5共基極(CB)和共柵極(CG)
放大器
14.1.6小信號模型迴顧
14.2反相放大器——共射極和共源極電路
14.2.1共發射極(CE)放大器
14.2.2共發射極實例的比較
14.2.3共源極放大器
14.2.4共源極放大器的小信號範圍
14.2.5共發射極和共源極放大器特性
14.2.6CE/CS放大器小結
14.2.7通用CE/CS晶體管的等效
晶體管錶示
14.3跟隨器電路——共集電極和共漏極放大器
14.3.1端電壓增益
14.3.2輸入電阻
14.3.3信號源電壓增益
14.3.4跟隨器信號範圍
14.3.5跟隨器的輸齣電阻
14.3.6電流增益
14.3.7CC/CD放大器小結
14.4同相放大器——共基極和共柵極電路
14.4.1端電壓增益和輸入電阻
14.4.2信號源電壓增益
14.4.3輸入信號範圍
14.4.4集電極和漏極端的電阻
14.4.5電流增益
14.4.6同相放大器的總體輸入和輸齣電阻
14.4.7CB/CG放大器小結
14.5放大器原型迴顧和比較
14.5.1雙極型晶體管放大器
14.5.2FET放大器
14.6采用MOS反相器的共源極放大器
14.6.1電壓增益估算
14.6.2詳細分析
14.6.3其他可選負載
14.6.4輸入和輸齣電阻
14.7耦閤和旁路電容設計
14.7.1共發射極和共源極放大器
14.7.2共集電極和共漏極放大器
14.7.3共基極和共柵極放大器
14.7.4設置下限截止頻率fL
14.8放大器設計實例
14.8.1共基極放大器設計的濛特卡洛分析
14.9多級交流耦閤放大器
14.9.1三級交流耦閤放大器
14.9.2電壓增益
14.9.3輸入電阻
14.9.4信號源的電壓增益
14.9.5輸齣電阻
14.9.6電流和功率增益
14.9.7輸入信號範圍
14.9.8估算多級放大器的截止頻率下限
小結
關鍵詞
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習題

第15章
差分放大器和運算放大器設計
15.1差分放大器
15.1.1雙極型和MOS差分放大器
15.1.2雙極型差分放大器的直流分析
15.1.3雙極型差分放大器的傳輸特性
15.1.4雙極型差分放大器的交流分析
15.1.5差模增益以及輸入和輸齣電阻
15.1.6共模增益和輸入電阻
15.1.7共模抑製比（CMRR）
15.1.8差模和共模的半電路分析
15.1.9電流源的偏置
15.1.10在SPICE中為電子電流源建模
15.1.11MOSFET差分放大器的直流分析
15.1.12差模輸入信號
15.1.13MOS差分放大器的小信號傳輸特性
15.1.14共模輸入信號
15.1.15差分對模型
15.2基本運算放大器的演進
15.2.1運算放大器的兩級原型
15.2.2提高運算放大器的電壓增益
15.2.3達林頓對
15.2.4減小輸齣電阻
15.2.5CMOS運算放大器原型
15.2.6BiCMOS放大器
15.2.7全晶體管實現電路
15.3輸齣級
15.3.1源極跟隨器——A類輸齣級
15.3.2A類放大器的效率
15.3.3B類推挽輸齣級
15.3.4AB類放大器
15.3.5運算放大器的AB類輸齣級
15.3.6短路保護
15.3.7變壓器耦閤
15.4電子電流源
15.4.1單晶體管電流源
15.4.2電路源的品質因數
15.4.3高輸齣電阻電流源
15.4.4電流源設計實例
小結
關鍵詞
參考文獻
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習題
第16章
模擬集成電路設計技術
16.1電路元件匹配
16.2電流鏡
16.2.1MOS晶體管電流鏡的直流分析
16.2.2改變MOS鏡像比率
16.2.3雙極型晶體管電流鏡的直流分析
16.2.4改變BJT電流鏡的鏡像比率
16.2.5多級電流源
16.2.6緩衝電流鏡
16.2.7電流鏡像的輸齣阻抗
16.2.8電流鏡的二端口模型
16.2.9Widlar電流源
16.2.10MOS管Widlar電流源
16.3高輸齣電阻電流鏡
16.3.1Widlar電流源
16.3.2Wilson電流源的輸齣電阻
16.3.3Cascode電流源
16.3.4Cascode電流源的輸齣電阻
16.3.5可調Cascode電流源
16.3.6電流鏡小結
16.4參考電流的産生
16.5與電源電壓無關的偏置
16.5.1基於VBE的參考源
16.5.2Widlar電流源
16.5.3與電源電壓無關的偏置單元
16.5.4與電源電壓無關的MOS參考單元
16.6帶隙基準源
16.7電流鏡作為有源負載
16.7.1帶有源負載的CMOS差分放大器
16.7.2帶有源負載的雙極差分放大器
16.8運算放大器中的源負載
16.8.1CMOS運算放大器電壓增益
16.8.2直流設計注意事項
16.8.3雙極型運算放大器
16.8.4輸入級擊穿
16.9μA741運算放大器
16.9.1電路總體工作原理
16.9.2偏置電路
16.9.3μA741輸入級的直流分析
16.9.4μA741輸入級的交流分析
16.9.5整體放大器的電壓增益
16.9.6μA741的輸齣級
16.9.7輸齣阻抗
16.9.8短路保護電路
16.9.9μA741運算放大器特性小結
16.10Gilbert模擬乘法器
小結
關鍵詞
參考文獻
習題
第17章
放大器頻率響應
17.1放大器頻率響應
17.1.1低頻響應
17.1.2缺少主極點情況下估算ωL
17.1.3高頻響應
17.1.4缺少主極點情況下估算ωH
17.2直接確定低頻極點和零點——共源放大器
17.3用短路時間常數法估算ωL的值
17.3.1估算共發射極放大器的ωL
17.3.2估算共源極放大器的ωL
17.3.3估算共基極放大器的ωL
17.3.4估算共柵極放大器的ωL
17.3.5估算共集電極放大器的ωL
17.3.6估算共漏極放大器的ωL
17.4高頻晶體管模型
17.4.1雙極型晶體管與頻率相關的混閤π模型
17.4.2在SPICE中對Cπ和Cμ建模
17.4.3單位增益頻率fT
17.4.4FET的高頻模型
17.4.5運用SPICE為CGS和CGD建模
17.4.6fT與溝道長度的關係
17.4.7高頻模型的局限性
17.5混閤π模型中的基區電阻
17.5.1基區電阻對中頻放大器的影響
17.6共發射極和共源極放大器的高頻響應
17.6.1密勒效應
17.6.2共發射極和共源極放大器的高頻響應
17.6.3共發射極放大器傳輸特性的直接分析
17.6.4共發射極放大器的極點
17.6.5共源極放大器的主極點
17.6.6用開路時間常數法估算ωH
17.6.7包含源極衰減電阻的共源放大器
17.6.8包含發射極衰減電阻的共發射極放大器
的極點
17.7共基極和共柵極放大器的高頻響應
17.8共集電極和共漏極放大器的高頻響應
17.8.1互補射極跟隨器的頻率響應
17.9單級放大器高頻響應小結
17.9.1放大器的增益帶寬限製
17.10多級放大器的頻率響應
17.10.1差分放大器
17.10.2共集電極/共基極串聯
17.10.3Cascode放大器的高頻響應
17.10.4電流鏡的截止頻率
17.10.5三級放大器實例
17.11射頻電路介紹
17.11.1射頻放大器
17.11.2並聯峰化放大器
17.11.3單級調諧放大器
17.11.4抽頭電感的運用——自耦變壓器
17.11.5多級調諧電路——同步調諧和參差
調諧
17.11.6包含衰減電感的共源放大器
17.12混頻器和平衡調製器
17.12.1混頻器工作原理簡介
17.12.2單平衡混頻器
17.12.3差分對實現的單平衡混頻器
17.12.4雙平衡混頻器
17.12.5JONES混頻器——雙平衡混頻器/調製器
小結
關鍵詞
參考文獻
習題
第18章
晶體管反饋放大器與振蕩器
18.1基本反饋係統迴顧
18.1.1閉環增益
18.1.2閉環阻抗
18.1.3反饋的作用
18.2反饋放大器的中頻分析
18.2.1閉環增益
18.2.2輸入電阻
18.2.3輸齣電阻
18.2.4偏移電壓計算
18.3反饋放大器電路舉例
18.3.1串並反饋(電壓串聯反饋) ——電壓
放大器
18.3.2差分輸入串並電壓放大器
18.3.3並並反饋（電壓並聯反饋）—— 跨阻
放大器
18.3.4串串反饋(電流串聯反饋)——跨導
放大器
18.3.5並串反饋（電流並聯反饋）——電流
放大器
18.4反饋放大器穩定性迴顧
18.4.1未補償放大器的閉環響應
18.4.2相位裕度
18.4.3高階效應
18.4.4補償放大器響應
18.4.5小信號限製
18.5單極點運算放大器補償
18.5.1三級運放分析
18.5.2場效應管運放的傳輸零點
18.5.3雙極性放大器補償
18.5.4運算放大器的擺率
18.5.5擺率與增益帶寬積之間的關係
18.6高頻振蕩器
18.6.1Colpitts 振蕩器
18.6.2Hartley 振蕩器
18.6.3LC振蕩器的幅值穩定
18.6.4振蕩器中的負阻
18.6.5負Gm振蕩器
18.6.6晶體振蕩器
小結
關鍵詞
參考文獻
習題
附錄
附錄A標準離散元件參數
附錄B固態器件模型及SPICE 仿真參數
附錄C二端口網絡迴顧
· · · · · · (收起)