《功率晶体管原理》首先介绍Si和SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。《功率晶体管原理》可以作微电子技术与微电子学、电子科学与电子技术、电力电子技术专业本科生教材或教学参考书。
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