《半導體薄膜技術與物理》全麵係統地介紹瞭半導體薄膜的各種製備技術及其相關的物理基礎。全書共分十章。第一章概述瞭真空技術，第二至第八章分彆介紹瞭蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈衝激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學閤成等各種半導體薄膜的沉積技術，第九章介紹瞭半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹瞭典型薄膜半導體器件的製備技術。
《半導體薄膜技術與物理》文字敘述上力求做到深入淺齣，內容上深度和寬度相結閤，理論和實踐相結閤，以半導體薄膜技術為重點，結閤半導體材料和器件的性能介紹，同時還介紹瞭半導體薄膜技術與物理領域的新概念、新進展、新成果和新技術。《半導體薄膜技術與物理》具有內容翔實、概念清楚、圖文並茂的特點。
《半導體薄膜技術與物理》讀者對象廣泛，可作為高等院校材料、物理、電子、化學等學科的研究生或高年級本科生的半導體薄膜技術課程的教材，也可作為從事半導體材料、薄膜材料、光電器件等領域的科研人員、工程技術人員的參考書籍。
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