具体描述
This text provides coverage of the models, governing equations and numerical techniques suitable for process simulation. It concentrates on such areas as chemical vapour deposition, metal-organic chemical vapour deposition, plasma processing, rapid thermal processing and crystal growth, as well as defining the basic principles of transport phenomena, gas phase and surface reactions in electronics materials processing. In addition, it explains how to apply practical numerical techniques used in process simulation, and presents the numerical methods necessary to produce simulation codes. The work is intended for those new to the field of process and equipment simulation in electronics materials processing, and also for the experienced modeller. It also contains coverage suitable for graduate students in materials science, and chemical, mechanical and electrical engineering.
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用户评价
这本书的行文风格是典型的严谨的学术论述，但其内在的驱动力是解决实际工程难题的强烈愿望。它不是一本简单的“How-to”手册，而是一本关于“Why and How Deeply”的探究之作。与市场上充斥的那些侧重于描述最新设备和工艺流程的期刊综述不同，它提供的是可以穿越时间的技术内核。比如，书中对载流子复合机制的讨论，从俄歇复合到载流子注入效率，每一个细节都经过了深思熟虑，并且与器件的寿命和可靠性直接挂钩。这使得即便是专注于某个细分领域的专业人士，也能从中汲取养分，拓宽自己的技术视野。我认为，这本书的受众定位非常精准——它面向的是研究生、资深研发人员，以及任何渴望从底层物理原理上掌握半导体制造技术的人。它需要读者具备扎实的微积分和线性代数基础，但对于愿意投入精力的读者来说，这本书的回报是巨大的，它能帮助你构建起一个坚固的、基于物理定律的知识体系，让你在面对下一代半导体挑战时，能够胸有成竹，从容应对。
评分拿到这本书的时候，我的第一反应是它比预想的要“硬核”得多，但很快我就发现这种硬核是建立在极其严谨的逻辑之上的。它没有走那种泛泛而谈的科普路线，而是直接切入了半导体器件物理与工艺的交叉点。我特别关注了其中关于热力学和输运现象在掺杂过程中的应用章节。以往很多参考资料只是简单提及扩散系数，但这本书却细致地分析了高浓度掺杂下空位机制和间隙机制的竞争关系，以及温度梯度对原子迁移率的非线性影响。这对于理解先进工艺中如离子注入后的退火过程中的激活效率和杂质重分布，提供了非常深刻的见解。作者在引用文献时也做得非常出色，每一处关键模型的提出都追溯到了其原始出处，这使得读者可以沿着脉络深入探索更前沿的研究。更难能可贵的是，它并非孤立地讨论各个工艺步骤，而是贯穿始终地强调了“系统工程”的视角——即前道工艺的微小扰动如何通过界面态的改变，最终影响到后道器件的电学性能。这种全局观的培养，对于培养出色的半导体研发人员至关重要。
评分这本书的阅读体验，用“层层递进，步步为营”来形容最为贴切。它仿佛一位经验丰富、要求严格的导师在手把手地教你如何“思考”半导体问题。初学者可能会在理解第一、二章的晶体缺陷统计力学时略感吃力，因为它涉及大量的统计热力学和晶格振动理论。然而，一旦跨过这道坎，后续关于薄膜界面能垒、界面陷阱密度计算以及MOSFET电荷俘获模型的推导就会变得水到渠成。我惊喜地发现，书中对布洛赫定理在半导体能带结构中的应用进行了非常透彻的阐述，这为理解本征半导体与掺杂半导体的内在差异打下了坚实的基础。作者在讲解具体模型时，总是先从基本原理出发，通过严密的数学推导展示模型的构建过程，最后才给出实测数据进行验证。这种教学方法极大地增强了读者的自信心，让我们不再是死记硬背公式，而是真正理解了公式背后的物理意义和适用边界。这绝对是一本需要反复研读、时常回顾的参考书，而不是那种读完一遍就束之高阁的快餐读物。
评分从应用角度来看，这本书的价值主要体现在它对“不确定性”的量化处理上。在半导体制造的纳米尺度下，随机性无处不在，比如随机涨落、晶界效应等。这本书并未回避这些随机性，反而专门辟出章节讨论如何使用蒙特卡洛模拟和随机过程来预测这些不确定性对最终器件均匀性的影响。我特别欣赏作者在描述先进制造技术（如极紫外光刻的投影系统）时，如何巧妙地将波动光学、衍射理论与光刻胶的化学反应耦合起来进行建模。这种跨学科的整合能力，体现了作者深厚的学术功底。对于从事工艺开发和良率提升的人员而言，书中关于敏感性分析和参数空间探索的方法论，具有极高的指导价值。它教你如何通过计算机模型来指导实验设计，避免了大量盲目的试错。此外，书后附带的若干案例研究，虽然没有给出完整的代码，但对仿真设置和边界条件的思考深度，足以让有编程经验的读者自行构建出高效的仿真环境。
评分这本书的封面设计着实引人注目，那种深邃的蓝色调，配合着精密的线条和晶体结构图案，立刻就能感受到其中蕴含的科学深度。我是在寻找一本能够系统梳理半导体制造过程中复杂物理和化学现象的教材时偶然发现它的。初翻目录，便被其中对从材料生长到刻蚀、薄膜沉积等核心工艺的详尽划分所吸引。作者显然在理论基础的搭建上花费了大量心力，不仅仅停留在描述“发生了什么”，更深入到“为什么会发生”的机理层面。例如，在描述等离子体刻蚀部分，它并没有简单罗列参数，而是通过耦合流体力学、电磁场理论以及化学动力学的多尺度模型，构建了一个非常清晰的物理图像。对于我这种既需要理解基础理论又希望将理论应用于实际工艺优化的工程师来说，这种深度恰到好处。它提供了一个坚实的数学框架，使得原本抽象的量子效应和界面现象，可以通过具体的偏微分方程得以量化和预测。这本书的排版和图示也做得非常专业，复杂的能带图和能级跃迁示意图清晰易懂，极大地降低了理解高深理论的门槛。我尤其欣赏其中对于数值计算方法的探讨，详细说明了如何将这些复杂的物理方程转化为可执行的模拟代码，这对于希望构建自己仿真平台的读者来说，是无价之宝。
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