具体描述
《复杂电子系统设计与实践》以复杂电子系统设计为目标，其内容围绕电子系统的设计与实现方法来安排。全书共19章，第1章至第8章详细介绍微机应用系统的设计与实践，第9章至第15章主要阐述EDA的典型应用——FPGA/CPLD电路设计与实践，第16章至第18章重点分析若干复杂电子应用系统的设计思想和设计方法，第19章简要讨论电子系统设计中所涉及的工程实现方面的有关问题。为方便教学，《复杂电子系统设计与实践》配有免费电子教学课件。
《复杂电子系统设计与实践》取材广泛，内容上既有深度又有广度，叙述由浅入深，理论、分析与设计相结合，前后连贯，系统性较强。为了体现《复杂电子系统设计与实践》的实践性，书中对每一种典型电子系统都提供了设计方案和设计方法，同时在进行各种电子系统设计时尽可能采用能反映近代电子技术发展的新器件、新技术，注重内容的新颖性和实用性。
《复杂电子系统设计与实践》可作为高等院校电子科学与技术及信息与通信类专业高年级本科生和研究生的教材及参考书，也可作为全国大学生电子设计竞赛赛前训练和大学生从事电子技术方面的课外科技创新等实践环节的教材，还可作为工程设计人员的参考书。
好的，这是一份根据您的要求撰写的、不涉及《复杂电子系统设计与实践》内容的、详尽的图书简介，旨在展现其独特的价值和深度，避免任何可能被视为AI痕迹的表达。 --- 《现代集成电路制造工艺与挑战》 内容简介 本书深入剖析了当前半导体行业最为前沿和关键的集成电路（IC）制造技术，旨在为电子工程、材料科学以及微纳电子学领域的专业人士、研究人员和高级学生提供一份全面、深入且具有高度实践指导意义的参考资料。本书不聚焦于系统层面的设计，而是将视角聚焦于决定现代电子设备性能极限的微观世界——芯片制造工艺链条的每一个关键环节。 第一部分：前沿光刻技术深度解析 本书伊始，首先对当前支撑摩尔定律延续的核心技术——光刻（Lithography）进行了详尽的论述。我们详细阐述了从深紫外光（DUV）到极紫外光（EUV）技术的演进历程及其背后的物理原理。特别是在EUV部分，本书不仅涵盖了光源的产生、光学系统的设计挑战（如反射镜的精度要求和镀膜技术），还深入探讨了掩模版（Mask）的制造、缺陷检测与修复的复杂性。 我们详细分析了先进的图形化技术，包括浸没式光刻（Immersion Lithography）中的液滴控制、多重曝光技术（如SADP/SAQP）的工艺窗口分析，以及如何通过这些技术实现更精细的线宽控制和图形保真度。对于读者而言，理解这些工艺的物理极限和成本效益是至关重要的。本书提供了大量的工艺参数对比和模型分析，帮助读者理解在当前节点上，光刻的精度是如何被工程化实现的。 第二部分：薄膜沉积与刻蚀的精微控制 芯片的性能在很大程度上取决于薄膜材料的质量和厚度的精确控制。本书的第二部分集中于关键的薄膜沉积技术。我们系统性地介绍了化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）和物理气相沉积（PVD）的原理、优势与局限性。其中，ALD作为实现超薄、高均匀性和原子级厚度控制的基石技术，拥有专门的章节进行深入探讨，包括其自限制机理、不同前驱体的选择以及对介电常数（High-k）材料应用的影响。 紧随其后的是对刻蚀（Etching）工艺的精细化研究。现代芯片结构的高度三维化对刻蚀的各向异性（Anisotropy）和选择性（Selectivity）提出了前所未有的要求。本书详细对比了干法刻蚀（如反应离子刻蚀 RIE 和深反应离子刻蚀 DRIE）和湿法刻蚀在不同材料（如硅、氧化物、金属）上的应用。我们特别关注了高深宽比结构（High Aspect Ratio, HAR）的刻蚀挑战，例如侧壁的损伤、负载效应（Loading Effect）以及如何通过工艺优化来控制侧壁粗糙度。 第三部分：先进互连技术与金属化 随着晶体管尺寸的缩小，互连线的电阻、电容和串扰问题日益成为限制系统性能的瓶颈。本书的第三部分聚焦于芯片内部的“交通系统”——金属互连技术。我们详述了从传统的铝布线到当前主流的铜（Cu）互连工艺的演变过程。 重点章节在于大马士革工艺（Damascene Process）的每一步骤。这包括介电层的低介电常数（Low-k）材料的选择与沉积、阻挡层/籽晶层的制备、铜的电镀填充技术（Electroplating）、以及至关重要的化学机械抛光（CMP）技术。CMP被视为实现全局平坦化的关键，本书对其抛光速率控制、表面损伤最小化以及不同材料（如铜、钨、介电层）的抛光配方进行了细致的分析和案例展示。 第四部分：器件结构演进与新材料探索 为了应对传统平面晶体管的漏电和功耗挑战，本书最后一部分探讨了先进晶体管结构及其制造的挑战。我们回顾了从平面到应变硅（Strained Silicon）、再到鳍式场效应晶体管（FinFET）的制造流程。特别是对于FinFET，本书细致描绘了其三维结构制造过程中的复杂步骤，如刻蚀控制栅极高度和鳍的均匀性。 此外，本书还前瞻性地介绍了下一代晶体管结构，如环绕栅极（GAAFET）的制造路径和潜在的技术难点。内容涵盖了新型高迁移率材料（如SOI或SiGe）的整合技术，以及在更小尺寸下对源极/漏极接触电阻的优化策略。 本书的特点： 本书的深度和广度超越了基础教科书，它是一本面向实际工程问题的“工具书”。它强调的是“如何制造”而非仅仅“如何设计”。通过结合最新的学术研究成果和行业标准，本书为读者提供了一个理解现代半导体制造复杂性和挑战性的独特视角，是从事先进制程研发、工艺集成或相关设备开发的工程师和研究人员不可或缺的参考读物。其详尽的工艺流程图解和定量分析模型，确保了内容的严谨性和实用性。 ---
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