吉规模集成电路互连工艺及设计 pdf epub mobi txt 电子书下载 2025

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译者序原书前言第1章 GSI所带来的互连机遇 1.1 引言 1.2 互连问题 1.3 反向缩小技术 1.4 片上系统 1.5 三维集成 1.6 输入/输出互连的强化 1.7 光子互连 1.8 小结参考文献第2章用于硅材料CMOS逻辑的铜材料BEOL互连技术 2.1 引言 2.2 BEOL演化 2.3 铜的特性 2.4 铜的电镀 2.5 铜互连的可靠性 2.6 铜互连的生产 2.7 小结参考文献第3章互连线电阻、电容、电感寄生参数的提取 3.1 引言 3.2 电磁方程 3.3 电阻提取 3.4 电容提取 3.5 电感提取 3.6 小结参考文献第4章分布式RC和RLC瞬态模型 4.1 引言 4.2 分布式RC模型 4.3 分布式RLC模型 4.4 非理想返回路径 4.5 小结参考文献第5章电源、时钟和全局信号传输 5.1 引言 5.2 全局信号互连建模 5.3 全局时钟传输建模 5.4 全局电源供电建模 5.5 全局互连的集成架构 5.6 小结参考文献第6章随机多层互连的建模与优化 6.1 引言 6.2 线长分布模型 6.3 线网模型近似 6.4 与实际数据的比较 6.5 关键路径模型 6.6 动态功耗模型 6.7 最优咒阶多层互连架构 6.8 小结参考文献第7章以互连为中心的计算机体系结构 7.1 引言和研究动机 7.2 面向互连的体系结构 7.3 互连需求模型 7.4 相关研究 7.5 GENESYS的组织和模型 7.6 异构型体系结构模型 7.7 系统设计分析 7.8 互连需求及其与体系结构的关系 7.9 小结参考文献第8章芯片到模块间的互连 8.1 引言 8.2 封装和芯片到模块的发展趋势 8.3 微通孔印制电路板技术 8.4 用于GSI的芯片到模块问互连参考文献第9章三维芯片DSM工艺互连的性能建模与分析 9.1 引言 9.2 三维芯片的研究动机 9.3 本章的研究范围 9.4 三维集成电路面积与性能估计 9.5 三维芯片的挑战 9.6 三维芯片对电路设计和片上系统应用带来的影响 9.7 三维芯片工艺回顾 9.8 小结参考文献第10章硅微光子学 10.1 引言 10.2 光学互连 10.3 单片硅微光子学 10.4 光学时钟传输与数据I/O 10.5 小结参考文献
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出版者:机械工业

作者:(美)戴维斯//迈恩|译者

出品人:

页数:310

译者:

出版时间:2010-8

价格:78.00元

装帧:

isbn号码:9787111303015

丛书系列:国际信息工程先进技术译丛

图书标签:

微电子
工艺

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《吉规模集成电路互连工艺及设计》是集成电路互连设计领域的一部力作，汇聚了来自北美著名高校与研究机构的研究成果，涵盖了IC互连的研究内容：上至面向互连的计算机体系结构，下至1BM公司开创的革命性的铜互连工艺。目前包括多核CPU在内的主流高端芯片均是吉规模集成电路，权威学者在书中对互连工艺与设计技术所进行的全方位多视角论述，有助于读者理解吉规模集成电路的具体技术内涵。

《吉规模集成电路互连工艺及设计》可供从事IC设计的相关技术人员参考，也可作为微电子专业高年级本科生和研究生的教材。