变压器绕组制造工艺 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:机械工业出版社

作者:边 萌

出品人:

页数:279

译者:

出版时间:1999-3-1

价格:25.00元

装帧:平装(无盘)

isbn号码:9787111061366

丛书系列:

图书标签:

• 变压器
• 绕组
• 制造
• 工艺
• 电力
• 电气工程
• 电工
• 技术
• 设计
• 生产

现代电子元件设计与制造技术：从基础原理到先进工艺 图书简介 本书全面深入地探讨了现代电子元件设计与制造领域的前沿技术与实践应用。它并非仅仅关注某一个特定的组件，而是构建了一个涵盖半导体器件、集成电路（IC）、以及各类被动元件（如电容、电感、电阻）的综合知识体系。本书旨在为电子工程、材料科学、微纳制造等专业的学生、研究人员以及资深工程师提供一个系统、深入且具有前瞻性的参考指南。 全书结构清晰，内容翔实，从微观的材料特性与物理机制出发，逐步过渡到宏观的器件结构、设计规范和先进的制造流程。我们力求在保证理论深度和严谨性的同时，紧密结合当前工业界的需求和最新的技术突破。 --- 第一部分：电子材料与微纳加工基础 本部分是理解所有现代电子元件制造的基石。我们首先对半导体材料的晶体结构、能带理论以及掺杂机制进行深入剖析，重点关注硅基、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代半导体材料的特性及其在功率电子器件中的应用潜力。 关键章节聚焦： 1. 先进材料的物理化学特性： 详述了高纯度金属、陶瓷、聚合物以及复合材料在电子应用中的关键指标，如介电常数、电阻率、热导率和机械稳定性。 2. 薄膜沉积技术： 详细对比了物理气相沉积（PVD，包括溅射和蒸发）和化学气相沉积（CVD，包括等离子体增强CVD和原子层沉积ALD）的原理、设备配置、工艺控制参数及其在形成功能性薄膜层中的优缺点。特别强调了ALD在实现原子级厚度控制和复杂结构充填方面的革命性作用。 3. 光刻技术与图形转移： 深入剖析了从紫外（UV）光刻到极紫外（EUV）光刻的技术演进。详细介绍了抗蚀剂的化学机制、曝光过程的衍射限制、关键尺寸（CD）的控制策略，以及后续的湿法刻蚀（Wet Etching）和干法刻蚀（Dry Etching，如反应离子刻蚀RIE和深反应离子刻蚀DRIE）对材料的各向异性和选择性的影响。 --- 第二部分：集成电路（IC）设计与后端制造 本部分将视角聚焦于现代信息技术的核心——集成电路。我们不再将IC视为单一的电路模块，而是将其视为一个复杂的三维结构系统。 关键章节聚焦： 1. 晶体管结构与工艺节点演进： 追溯了从平面MOSFET到鳍式场效应晶体管（FinFET）再到环绕栅极晶体管（GAA/Nanosheet）的结构变革，解释了这些演进如何解决短沟道效应和亚阈值泄漏问题。重点讨论了亚10纳米节点工艺中面临的物理极限和新的设计范式。 2. 互连技术与金属化： 阐述了多层金属互连结构的设计挑战，包括电阻、电容（RC延迟）和电迁移（Electromigration）的限制。详细介绍了先进的铜互连工艺流程，包括大马士革工艺（Damascene Process）中阻挡层、籽晶生长和电化学抛光（CMP）的关键控制点。 3. 先进封装与系统集成（SiP）： 超越传统的二维芯片封装，本书全面介绍了三维集成（3D IC）、混合键合（Hybrid Bonding）、扇出晶圆级封装（Fan-Out WLP）等技术，探讨了它们如何通过缩短互连距离来提升系统性能和功耗效率。 --- 第三部分：功率与宽禁带半导体器件制造 随着新能源和电动汽车行业的爆发，高功率密度器件的需求日益迫切。本部分专门探讨了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带材料的独特制造挑战和成熟的工艺路线。 关键章节聚焦： 1. SiC与GaN的材料准备： 分析了SiC衬底的缺陷控制（如微管密度）和GaN外延薄膜的异质外延生长挑战，包括对缓冲层的设计要求。 2. 功率器件的结构实现： 详细介绍了如MOSFET、肖特基二极管（SBD）和HEMT（高电子迁移率晶体管）的单元结构设计。重点分析了漂移区的优化、欧姆接触的形成（高阻抗的解决）以及关键边缘钝化技术（如场板技术）对器件可靠性和耐压能力的提升作用。 3. 高可靠性封装技术： 针对功率模块的高热流密度环境，本书探讨了先进的直接键合、烧结银（Silver Sintering）替代传统焊接的散热封装技术，以及确保器件在极端温度循环下的长期可靠性。 --- 第四部分：微电子制造的质量控制与良率提升 先进制造工艺的成功不仅依赖于技术创新，更依赖于对流程中变异性的严格控制。本部分侧重于如何量化和管理制造过程中的不确定性。 关键章节聚焦： 1. 过程控制度量（SPC）： 介绍了统计过程控制在半导体制造中的应用，包括控制图（Control Charts）的构建、Cpk/Ppk等过程能力指数的计算，以及如何实时识别工艺漂移。 2. 缺陷源分析与控制： 识别了从原材料到最终清洗环节中主要的颗粒物、表面损伤和化学污染源。详细介绍了高精度在线监测系统（如激光散射仪、扫描电子显微镜SEM）在缺陷检测中的作用。 3. 良率建模与优化： 探讨了随机缺陷模型（如泊松模型）和集群缺陷模型在预测和分析良率下降因素中的应用，并提出了针对性的工艺窗口优化策略。 --- 总结与展望 本书的最终目标是提供一个坚实的理论基础，使读者能够理解并驾驭当前乃至未来十年电子元件制造领域的复杂性。我们强调跨学科知识的融合，鼓励读者将材料科学、物理学、化学和自动化控制理论应用于实际的微纳制造挑战中。本书内容的时效性体现在对EUV、下一代存储器（如MRAM、ReRAM）以及先进异质集成技术的深入探讨，确保读者获得的知识是最符合当前工业界发展方向的。

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