具体描述
《薄膜晶体管（TFT）阵列制造技术》主要介绍非晶硅（amorphous silicon， a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术。高质量的平板显示器的核心是薄膜晶体管（thin film transistor， TFT）矩阵的特性和制造技术。全书共13章，从TFT元件的结构及特点，到TFT检查与修复，包括TFT阵列制作清洗工艺、成膜工艺、光刻工艺、不良解析和检查修复。《薄膜晶体管（TFT）阵列制造技术》从TFT阵列大规模制造的角度，第一次比较全面地介绍了TFT-LCD生产线的TFT阵列制造工艺技术、工艺参数、生产工艺技术管理、工艺材料规格、设备特性、品质控制、产品技术解析;以工艺原理、设备参数控制、材料特性要求、生产工艺文件要求等大规模生产技术要素为核心，比较完整地介绍了现代化信息制造业的工艺流程与工艺管理。
作者简介
目录信息
一、 平板显示——人类智慧之窗
二、 薄膜晶体管的技术特点
第一章 TFT-LCD生产线建设
1.1 TFT-LCD项目准备工作
1.2 投资估算
1.3 厂房建设
1.4 净化系统
1.5 信息管理系统
1.6 技术管理系统
1.7 TFT阵列制造的主要设备
1.8 TFT阵列制造的设计技术和研发
第二章 TFT元件的结构及特点
2.1 场效应晶体管的工作原理
2.2 非晶硅TFT的结构与特点
2.3 TFT阵列
2.3.1 TFT与像素、子像素和显示格式
2.3.2 TFT与像素间距
2.2.3 TFT与亮度
2.3.4 TFT与对比度
2.3.5 TFT与开口率
2.3.6 TFT与响应速度
2.3.7 TFT与闪烁
2.3.8 TFT的寄生电容与交叉串扰
2.3.9 TFT阵列的等效电路
2.3.10 TFT-LCD显示器TFT的主要参数
第三章 TFT工艺概述
3.1 阵列工艺的主要设备
3.2 阵列工艺的主要原材料
3.2.1 玻璃基板
3.2.2 靶材
3.2.3 特药、特气
3.3 7次光刻的简要回顾
3.4 TFT 5次光刻的工艺技术
3.5 4次光刻技术
3.6 多晶硅和高迁移率TFT技术
3.6.1 多晶硅TFT技术
3.6.2 非硅基高迁移率TFT
3.7 硅基液晶显示技术
3.8 TFT制造统计过程控制
第四章 TFT阵列制作清洗工艺
4.1 污染物来源及分类
4.2 洗净原理及方法
4.2.1 湿式清洗
4.2.2 干式清洗
4.3 洗净材料
4.4 洗净设备
4.5 清洗工艺条件的确定
4.5.1 紫外干洗工艺条件的确定
4.5.2 洗净能力评价
4.5.3 干燥处理
4.5.4 单元条件设定和点检
4.6 清洗作业安全及作业异常处置
4.6.1 清洗作业安全及注意事项
4.6.2 作业异常处置
4.7 洗净工艺展望
第五章 溅射成膜（金属膜）
5.1 溅射技术历史的简短回顾
5.2 溅射原理及分类
5.2.1 溅射原理
5.2.2 溅射分类
5.3 溅射材料
5.3.1 溅射气体
5.3.2 溅射靶材
5.4 溅射设备
5.4.1 溅射设备的结构
5.4.2 成膜室构造
5.4.3 溅射设备的主要技术指标
5.5 溅射工艺条件的确定
5.5.1 直流电源功率的确定
5.5.2 成膜气体压力的确定
5.5.3 工艺室真空度的确定
5.5.4 磁场强度及其分布
5.5.5 成膜温度的确定
5.5.6 溅射距离
5.6 金属膜质量控制
5.6.1 基板表面灰尘管理
5.6.2 Sheet阻抗测量
5.6.3 透过率和反射率测量
5.6.4 结晶构造观察
5.6.5 膜应力测量
5.6.6 密着性测定
5.6.7 膜厚测量
5.6.8 金属膜的工艺问题
5.7 溅射作业安全及异常处理
第六章 CVD成膜（非金属膜）
6.1 化学气相沉积技术原理及分类
6.1.1 化学气相沉积技术原理
6.1.2 化学气相沉积技术的分类
6.2 CVD材料
6.2.1 硅烷（气）
6.2.2 磷烷
6.2.3 氨气
6.2.4 笑气
6.2.5 氢气
6.2.6 氮气
6.3 CVD设备
6.3.1 UNAXIS设备总体结构说明
6.3.2 装载腔和传送腔结构
6.3.3 反应室结构
6.3.4 供气、排气、除害、水循环系统
6.3.5 附件
6.4 CVD工艺条件的确定
6.4.1 G-SiN工艺条件
6.4.2 连续3层成膜
6.5 TFT元件特性的简单讨论
6.6 CVD成膜设备的回顾与展望
第七章 曝光与显影工艺技术
7.1 工艺原理
7.1.1 基本概要
7.1.2 TFT的结构
7.1.3 工艺流程
7.2 曝光工艺材料—光刻胶
7.3 曝光工艺设备
7.3.1 涂胶机
7.3.2 涂胶工艺
7.3.3 曝光装置
7.3.4 掩模板
7.4 工艺条件的确定
7.5 灰度掩模板光刻工艺
7.6 曝光量与光刻胶形状评价
7.6.1 工艺评价项目
7.6.2 工艺调试
7.6.3 光刻胶刻蚀
7.6.4 GT部光刻胶断面形状的确认
7.7 工艺管理与设备日常点检
7.7.1 工艺管理
7.7.2 设备日常点检
7.8 显影
第八章 湿刻工艺技术
8.1 湿法刻蚀原理
8.2 湿刻工艺
8.3 湿法刻蚀设备
8.4 工艺性能要求
8.4.1 栅极湿刻
8.4.2 漏源极湿刻
8.4.3 像素电极湿刻
8.5 工艺参数
8.5.1 药液温度
8.5.2 药液处理时间
8.5.3 药液喷淋压力
8.5.4 药液浓度控制及药液寿命
8.5.5 药液入口淋浴流量
8.5.6 液切气刀流量
8.5.7 水洗时间与水洗喷淋压力
8.5.8 水洗入口淋浴流量
8.5.9 干燥槽空气刀的流量
8.6 湿刻工艺中常见的缺陷
第九章 干刻技术
9.1 等离子干刻原理
9.2 干刻设备
9.3 干刻工艺
9.4 硅岛刻蚀工艺
9.4.1 硅岛刻蚀工艺规范
9.4.2 日常点检与灰尘检查
9.4.3 调整作业
9.4.4 刻蚀速率的测定
9.4.5 段差测定
9.5 光刻胶刻蚀工艺
9.6 沟道刻蚀工艺
9.7 接触孔刻蚀工艺规范
第十章 光刻胶剥离与退火
10.1 光刻胶剥离原理与材料
10.2 工艺要求
10.3 装置介绍
10.4 重要工艺参数
10.5 工艺条件设定
10.6 日常点检
10.7 退火
第十一章 缺陷解析技术
11.1 缺陷解析基础
11.1.1 影响TFT性能的主要参数及其因数
11.1.2 像素电容的充电
11.1.3 电压补偿
11.1.4 栅极延迟
11.2 TFT阵列缺陷的分类与代码
11.1.1 TFT阵列缺陷的分类
11.2.2 TFT阵列缺陷代码
11.3 缺陷解析的主要工具
11.4 缺陷解析流程
11.4.1 缺陷分布图
11.4.2 设备调查
11.5 主要缺陷解析
11.6 TN型液晶显示器TFT缺陷图谱及解析
11.7 SFT型液晶显示器TFT缺陷图谱及解析
第十二章 TFT检查与修复
12.1 阵列检查流程
12.1.1 TN品种的TFT阵列工艺检查
12.2 流程设定
12.3 检测设备
12.4 宏观/微观检查
12.4.1 宏观检查
12.4.2 宏观/微观检查设备工作原理
12.5 自动外观检查装置
12.6 激光修复和激光CVD装置
12.7 阵列测试检查装置
12.8 断路和短路电气检查装置
12.9 附录 TN 4 Mask产品图案检查操作规格书
第十三章 TFT制造工艺小结与技术展望
13.1 TFT阵列制造工艺小结
13.2 TFT平板显示技术展望
参考文献
· · · · · · (收起)
读后感
评分
评分
评分
评分
用户评价
这本书的写作风格非常独特，有点像一位经验老道的工程师在娓娓道来，没有那些过于学术化的生僻词汇，更多的是用一种平实的语言去解释那些复杂的原理。我觉得这种方式特别适合我们这些初学者，能够很快地抓住问题的核心。书中关于不同栅极绝缘层材料的特性的对比，让我印象深刻。作者用了很多生动的比喻来解释介电常数、击穿电压等概念，比如将栅极绝缘层比作“隔离带”，解释了不同材料的“隔离效果”有多大的差异。而且，书中还针对不同应用场景，比如高频电路、大功率器件等，给出了相应的栅极绝缘层选择建议，并且详细说明了背后的原因。另外，我对书中关于器件可靠性分析的部分也格外关注。作者从应力、温度、电场等多个维度，分析了薄膜晶体管的寿命预测模型，并给出了一些提高器件稳定性的实用技巧，这对于保障产品的长期性能至关重要。读完这部分，感觉自己对薄膜晶体管的“健康状况”有了更深的理解。
评分这套书的气势磅礴，内容包罗万象，简直就是一本晶体管技术的百科全书！刚拿到手，就被它厚重的体量和严谨的排版所震撼。作者在开篇就对薄膜晶体管的发展历程做了详尽的梳理，从最初的实验性研究到如今的广泛应用，每一个里程碑式的突破都被细致地记录了下来。更让我惊喜的是，书中不仅涵盖了技术层面，还对薄膜晶体管在各个行业中的应用前景进行了深入的分析，比如在物联网、可穿戴设备、甚至生物传感器等新兴领域的潜在价值，都进行了大胆的预测和设想。我个人对其中关于低功耗设计那一章节特别感兴趣，书中详细介绍了各种降低漏电流和亚阈值摆幅的技术，包括栅极工程、材料优化以及器件结构改进等，为我解决实际工程中的功耗瓶颈提供了宝贵的思路。此外，书中对各种新型薄膜晶体管（如IGZO、有机薄膜晶体管等）的性能比较分析也相当到位，让我对不同材料体系的优劣有了更清晰的认识，为我未来的研究方向提供了重要的参考。
评分这本书的装帧设计真的很有质感，纸张的触感也相当细腻，翻开第一页，那种油墨的清香扑面而来，瞬间就让人进入了一种专注的阅读状态。目录的编排也很有条理，从最基础的概念讲起，循序渐进地深入到各种复杂的理论和应用，感觉像是被一位经验丰富的老教授带着一步步探索知识的海洋。其中关于材料选择的部分，作者似乎花了大量的笔墨去探讨不同掺杂剂对载流子迁移率的影响，并且还附带了大量的实验数据图表，这对于我这种喜欢刨根问底的人来说，简直是福音。我尤其对其中关于薄膜晶体管在柔性显示器中的应用那一章感到好奇，书中用了不少篇幅讲解了各种弯曲应力下的器件失效机理，以及如何通过结构设计来提高其稳定性，这绝对是未来科技发展的一个重要方向，能够在这本书里提前窥见一斑，感觉自己掌握了未来的脉搏。而且，书中时不时出现的那些精美的插图和示意图，都帮助我更直观地理解那些抽象的物理概念，让阅读过程一点也不枯燥，反而充满了发现的乐趣。
评分读这本书的过程，就像是在进行一场思维的探险，每一页都充满了未知的惊喜。作者在构建理论框架时，并没有拘泥于已有的知识，而是大胆地提出了许多新的观点和假说，这极大地激发了我的思考。比如，书中对量子效应在微小尺寸薄膜晶体管中的影响进行了深入探讨，并且提出了一些新的理论模型来解释这些现象，这对于我理解未来纳米级器件的特性具有重要的启示意义。而且，书中对新兴材料体系的研究也给我的研究带来了很多启发，比如在介绍二维材料（如石墨烯、过渡金属硫化物等）在薄膜晶体管中的应用时，作者不仅分析了这些材料的独特优势，还指出了当前面临的挑战和未来的研究方向，为我选择具有潜力的研究课题提供了重要的参考。读完这本书，我感觉自己的视野被极大地拓宽了，对于薄膜晶体管这项技术在未来可能扮演的角色，有了一个更加宏大和深刻的认识。
评分这本书的魅力在于它能够将枯燥的理论知识与生动的实际应用完美结合。我尤其欣赏作者在讲解每一个关键概念时，都会引用大量的实际案例，让那些抽象的物理模型变得鲜活起来。例如，在介绍薄膜晶体管的开关特性时，书中就列举了在电视面板驱动、相机传感器等实际产品中的应用，并且详细分析了这些应用对晶体管性能的要求。我还注意到，书中对各种工艺制程的介绍也相当详尽，从前期的基底处理、薄膜沉积，到后期的光刻、刻蚀，每一个环节都描绘得细致入微。特别是关于TFT阵列的制造工艺，书中用大量的流程图和照片展示了整个过程，让我对那些复杂的生产线有了一个直观的认识。此外，书中还对近年来兴起的一些新型制造技术，如卷对卷（roll-to-roll）印刷工艺等，进行了介绍，这预示着薄膜晶体管生产的未来发展方向，让我对这项技术的前景充满了期待。
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