具体描述
《炉内传热原理与计算》简明而系统地阐述了炉内传热的基本原理、计算方法。全书共分7章，包括辐射换热的基本理论与计算，层燃炉、室燃炉和循环床锅炉的炉膛传热计算方法，锅炉热力计算方法，以及积灰、结渣对炉膛传热的影响等内容。《炉内传热原理与计算》作为衔接基础课“传热学”和“锅炉课程设计”之间的教材，对从基础理论到工程实际的处理方法给予了充分的重视。结合实际的工程案例，提供了完整的炉膛传热和热力计算的实例，并结合最新的研究进展系统介绍了气固两相流的传热和循环流化床锅炉的传热计算。《炉内传热原理与计算》采用国际单位制，并附录了常用的中英文专业词汇，供查阅英文资料时使用。
好的，下面为您创作一本图书简介，该书名为《晶体生长与结构表征》，其内容完全不涉及《炉内传热原理与计算》的相关主题。 --- 图书名称：《晶体生长与结构表征》 图书简介 本书系统地阐述了现代材料科学中晶体生长领域的基础理论、先进技术及其在材料结构分析中的应用。全书内容聚焦于如何从原子层面控制物质的有序排列，并深入探讨了由此形成的晶体结构如何决定材料的宏观性能。本书旨在为材料学、物理学、化学、电子工程以及相关交叉学科的研究人员、工程师和高年级本科生/研究生提供一本全面、深入且实用的参考指南。 第一部分：晶体生长基础理论 本书首先构建了晶体生长的热力学与动力学框架。在热力学部分，我们详细讨论了相图的构建与解读，特别是固-液、固-气和固-固界面平衡的原理，着重分析了相变过程中的自由能最小化原则。我们探讨了过饱和度、形核能垒以及扩散限制等关键参数对晶体形貌和缺陷形成的影响。 在动力学方面，本书深入解析了成核（均相与异相）和晶体生长的微观机制。对于界面反应动力学，我们阐述了原子台阶运动、螺旋生长机制以及缺陷孪晶的形成过程。特别地，书中详细介绍了表面能、表面扩散和界面迁移率在决定生长速率和界面稳定性中的核心作用。这些基础理论的建立，为后续的生长技术选择与优化提供了坚实的理论支撑。 第二部分：晶体生长技术 本部分是全书的核心，涵盖了从实验室制备到工业化生产的多种主流晶体生长技术。 1. 熔体生长法（Melt Growth Techniques） 我们详细介绍了用于半导体、光学材料和高温合金制备的关键熔体生长方法。 切克劳斯基法（Czochralski Technique, CZ）： 重点剖析了坩埚材料选择、籽晶提拉速率与旋转速率对生长稳定性的影响。书中包含了详细的对流和传热模型，用以预测晶体内部的温度梯度和杂质分布，特别关注了“黑带”缺陷的控制策略。 区熔法（Zone Melting）： 探讨了如何利用局部熔区实现材料的超高纯化。书中详细描述了垂直/水平区熔装置的搭建原理，并定量分析了溶质分配系数在净化过程中的决定性作用。 布里奇曼法/热压法（Bridgman/Stockbarger）： 侧重于重力对熔体对流的影响，以及如何通过精确控制温场来实现无坩埚或有坩埚条件下的定向凝固。 2. 溶液生长法（Solution Growth Techniques） 针对低熔点或易分解材料，溶液生长法是关键。 水热法与溶剂热法（Hydrothermal & Solvothermal Synthesis）： 详细介绍了高温高压反应釜的设计、密封技术及温度/压力梯度对晶体形态的影响。书中包含了大量关于氧化物、氢氧化物及特定无机化合物的生长实例。 冷却/蒸发法： 分析了从过饱和溶液中析出晶体的过程，重点讨论了溶剂选择、抑制多晶形成以及如何通过精确的温度程序控制晶体尺寸和形貌（如溶液刻蚀、包裹体控制）。 3. 气相沉积与外延生长（Vapor Phase Deposition & Epitaxy） 这部分内容主要服务于微电子和光电子领域对薄膜和异质结构的需求。 化学气相沉积（CVD）与金属有机物化学气相沉积（MOCVD）： 深入探讨了反应腔内的流体力学、气相化学反应机理、薄膜的成核与生长模式（岛状、层状、螺旋状）。书中对MOCVD中前驱体的选择、裂解温度和输运效率进行了详细论述。 分子束外延（MBE）： 重点解析了超高真空环境下的原子级精确控制。书中详细描述了源束的调控、基底的准备与活化、以及实时监测技术（如RHEED）在确定生长状态中的应用。 第三部分：晶体结构与缺陷表征 晶体生长技术的最终目标是获得特定结构和低缺陷密度的材料。本部分聚焦于现代表征技术如何验证生长质量。 1. 晶体学基础与衍射技术 X射线衍射（XRD）： 详细阐述了单晶与粉末XRD的原理，包括布拉格定律、倒易空间概念。书中提供了如何利用谢勒公式估算晶粒尺寸，以及如何通过洛伦兹因子和偏振因子修正来精确分析晶体结构参数（晶格常数、空间群）。 中子衍射与同步辐射技术： 探讨了这些先进光源在探测轻元素、高压/高温条件下结构变化方面的优势。 2. 缺陷检测与形貌分析 电子显微学（TEM/SEM）： 侧重于微观缺陷的成像。内容包括位错（螺型、边缘）、堆垛层错、晶界和析出相等缺陷的直接成像技术。书中详细分析了高分辨透射电镜（HRTEM）中衬度分析的原理，用以辨识原子排列。 化学机械抛光与蚀刻技术： 介绍如何通过选择性化学蚀刻来可视化和量化表面和亚表面的缺陷密度（如位错、微裂纹）。 光谱学表征： 探讨了拉曼散射、光致发光（PL）和俄歇电子能谱（AES）等技术如何关联晶体中的电子态、杂质激活能和表面化学状态，从而间接评估生长质量。 结论与展望 本书最后总结了当前晶体生长领域面临的挑战，如复杂多组分材料的精确控制、新型拓扑材料的生长，以及过程中的人工智能辅助优化等前沿方向。本书力求在理论深度、技术广度和表征实用性之间取得平衡，是相关领域研究与开发人员不可或缺的工具书。 ---
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