振荡器和控制器电路识图入门突破 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:

作者:胡斌

出品人:

页数:195

译者:

出版时间:2009-7

价格:35.00元

装帧:

isbn号码:9787115207104

丛书系列:

图书标签:

• 振荡器
• 控制器
• 电路
• 识图
• 入门
• 电子技术
• 模拟电路
• 电路分析
• DIY
• 实战

好的，这里有一份针对《振荡器和控制器电路识图入门突破》这本书的图书简介，内容详实，力求自然流畅，不包含该书任何内容。 --- 图书名称：微纳电子器件的物理原理与先进工艺 内容简介 本册著作《微纳电子器件的物理原理与先进工艺》旨在为读者提供一个深入、系统地理解当代电子工业基石——微纳电子器件的内在机理、制造挑战与未来发展方向的全面视角。本书不仅涵盖了半导体物理学的基本理论，更聚焦于如何将这些理论应用于实际的器件设计与制造过程之中。全书结构严谨，内容由浅入深，逻辑清晰，力求在理论深度与工程实践之间搭建坚实的桥梁。 第一部分：半导体物理基础与载流子输运 本书的开篇部分，首先回顾了晶体结构、能带理论和费米能级等半导体物理学的核心概念。我们详细阐述了杂质能级、本征激发与载流子（电子和空穴）的产生机制。随后，重点剖析了载流子在电场和温度梯度下的输运现象，包括漂移电流和扩散电流的定量描述。为了更好地理解器件工作时的非理想效应，我们引入了载流子复合、陷阱态以及表面态对器件特性的影响分析，为后续深入探讨复杂器件的物理机制奠定了坚实的理论基础。特别是，我们对不同掺杂浓度下载流子迁移率的实际模型进行了对比和修正，使其更贴近现代衬底材料的实际情况。 第二部分：MOSFET 晶体管的物理模型与先进结构 作为现代集成电路的绝对核心，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）占据了本书相当大的篇幅。我们从最基础的理想MOS结构开始，逐步引入真实的栅氧层缺陷、界面陷阱以及阈值电压的精确计算。在核心部分，本书详细推导了亚阈值区、线性区和饱和区的基本电流-电压关系，并引入了短沟道效应，如DIBL（漏致势垒降低）和速度饱和效应的物理机制和数学模型。 为了应对摩尔定律的挑战，我们系统地介绍了先进晶体管结构。对于FinFET（鳍式场效应晶体管），本书不仅解释了其三维结构带来的静电控制增强，还深入探讨了其沟道电荷分布、阈值电压的精确调控以及三面/四面栅极耦合对器件性能的影响。对于更前沿的纳米片和环绕栅（GAA）结构，我们使用三维电磁仿真原理来辅助解释其工作特性，并对比了其在功耗和驱动能力上的优劣势。 第三部分：存储器技术与新兴电子器件 本部分聚焦于信息存储的核心技术。对于易失性存储器（SRAM和DRAM），我们详细分析了其电路结构对物理参数（如电容比、漏电流）的敏感性，并探讨了高密度DRAM中刷新机制的物理限制。对于非易失性存储器，本书着重讲解了浮栅（Floating Gate）和电荷陷阱（Charge Trap）闪存的工作原理，包括源极/漏极注入（Fowler-Nordheim隧穿）和热氧化物陷阱机制的物理差异。 此外，本书还专门辟出章节讨论了新兴的非冯·诺依曼架构器件。这包括了电阻式随机存取存储器（RRAM）中的阻变机理（如氧空位迁移与形成导电丝），磁性随机存取存储器（MRAM）中的自旋转移转矩（STT）和自旋轨道转矩（SOT）效应，以及铁电场效应晶体管（FeFET）的极化翻转机制。每一类器件都配有详细的能带图和电荷运动轨迹分析。 第四部分：先进制造工艺与良率挑战 理解器件物理离不开对其制造工艺的认知。本部分将读者的视角从理论转移到实际的晶圆制造现场。我们详细介绍了光刻、刻蚀（干法刻蚀的反应离子刻蚀RIE和深反应离子刻蚀DRIE）、薄膜沉积（ALD和CVD）等关键工艺步骤。本书特别强调了原子层沉积（ALD）在实现超薄、高介电常数（High-k）栅极材料应用中的关键作用，并从界面化学角度解释了如何控制界面陷阱密度的生成。 针对微纳尺度下的可靠性问题，本书深入分析了制造缺陷对器件性能的影响，包括：热载流子注入（HCI）、自热效应（Self-Heating）、电迁移（Electromigration）的物理模型，以及静电损伤（ESD）的防护原理。良率分析部分，我们引入了缺陷密度模型（如泊松分布）和CD（关键尺寸）均匀性对电路整体性能的影响评估方法。 第五部分：集成与系统级考量 在器件层面之上，本书探讨了互连技术（Interconnect）对系统性能的制约。我们分析了铜互连技术替代铝的应用背景，并讨论了低介电常数（Low-k）材料在减小RC延迟中的作用，以及金属线中的电子平均自由程效应。最后，本书展望了在后摩尔时代，如二维材料（如石墨烯、$ ext{MoS}_2$）和单电子器件等前沿领域对未来电子器件的潜在颠覆性影响。 目标读者： 本书主要面向电子工程、微电子学、材料科学等相关专业的本科高年级学生、研究生，以及半导体行业的研发工程师、工艺工程师和技术架构师。它要求读者具备扎实的普通物理和电路理论基础。 ---

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这本书在处理电路图的“层级结构”方面做得非常出色，这是很多入门书籍都会忽略的盲点。通常，一张复杂的系统级电路图会包含多个子功能模块，比如电源管理、信号调理、核心振荡、以及最终的控制输出。我发现，很多初学者（包括曾经的我）在面对这样一张大图时，往往会因为不知道从何处下手而感到无从着手，导致思维混乱。而这本书巧妙地采用了一种“自顶向下”的识图策略。它首先教会你如何识别出图纸上的宏观功能区域，比如哪里是输入接口，哪里是核心振荡级，哪里是反馈控制部分。然后，它再深入到每一个区域内部，讲解具体的元器件布局和信号通路。这种有条理的分析方法，极大地降低了复杂电路图带来的认知负荷。通过这本书的训练，我学会了如何快速地对一张陌生的电路图进行“分区”和“功能标注”，这对于任何需要阅读技术文档的人来说，都是一项宝贵的技能。

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我是一名工作了几年的工程师，虽然日常工作中经常接触电路板，但说实话，对于一些老旧设备或者非标定制的电路图，我经常感到束手无策，特别是那些涉及到模拟信号处理和反馈控制的振荡器部分。市面上很多教材都偏重于理论推导，对于“如何快速识别和理解现有电路图”这个实际操作问题着墨不多。这本书的切入点非常精准，它仿佛一位经验丰富的老电工在手把手教你“看图说话”。它没有过多纠缠于高深的数学公式，而是聚焦于**功能块识别**和**信号流向判断**。书中大量的实战案例，比如如何从一张布满元器件标记的图纸上，迅速定位到核心的反馈环路，或者区分出是工作在特定频率的LC振荡器还是更灵活的无源振荡电路，这些技巧对于提升实际工作效率极其有帮助。我尝试用它介绍的方法去分析我们车间里一个故障的驱动电路，结果比我以前摸索了半天效率高了不止一倍。这本书更像是一本“实战手册”，而不是“教科书”。

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我是一名电子爱好者，喜欢自己动手制作一些小玩意儿，但每次看到电路设计者画的原理图，总觉得缺少了一层“心领神会”的感觉。这本书的独特之处在于，它不仅仅停留在“这是什么元件”的层面，而是深入到“这个元件在这个位置的**意图**是什么”。举个例子，它在讲解反馈控制电路时，不仅仅画出了一个通用的负反馈结构，还会详细解释为什么在这个特定的振荡器拓扑中，使用一个特定的电容来引入相移，能够确保电路稳定地工作在所需的频率上。这种对设计者“思维过程”的还原，是任何纯理论书籍无法比拟的。读完后，我感觉自己像是拿到了一个“设计者视角”的滤镜，看电路图时，不只是看到点线面，更能理解这些连接背后的工程考量和性能权衡。这本书极大地提升了我对电路设计思想的理解深度，让我从一个单纯的“模仿者”向一个“理解者”转变。

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说实话，我对电子工程的热情是在大学毕业后才慢慢培养起来的，自学过程中最大的障碍就是那些晦涩难懂的专业术语和符号系统。这本《振荡器和控制器电路识图入门突破》简直是为像我一样的“非科班出身”自学者量身定制的。它的语言风格非常亲切和耐心，一点也没有高高在上的感觉。书中对于“控制器”部分的讲解尤为精彩，它把PID控制器的基本逻辑用极其简化的电路图展示出来，让人一下子就能抓住核心思想——输入、误差计算、输出。更厉害的是，它在介绍完基本模块后，会马上提供一个集成度的稍高的例子，让你体会到理论知识是如何转化为实际电路的。我个人特别喜欢它在不同类型的振荡器之间做的对比分析，比如正弦波振荡器和方波振荡器的图纸差异，通过对比，我不再混淆它们的工作原理和结构特征。这本书让我觉得学习电子电路不再是一件枯燥的任务，而是一场充满发现和乐趣的探索。

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这本书简直是电路图的“救星”！我之前学电子电路时，看到那些密密麻麻的符号和连接，总是感觉像在看天书。特别是遇到振荡器和控制器的部分，更是头疼欲裂。但拿到这本《振荡器和控制器电路识图入门突破》后，一切都变得清晰起来。作者没有堆砌深奥的理论，而是用非常直观、由浅入深的方式，把每一个电路模块都拆解开了讲。比如，讲解RC振荡电路时，它不仅告诉你这个电路是干什么的，还一步步教你如何识别图纸上的电阻、电容和三极管是如何协作产生振荡的。我最欣赏的是它在“识图”这个环节的用心，它会特意指出在不同厂商的图纸中，同一个元件可能出现的不同标识方法，这对于初学者来说简直是福音。读完前几章，我感觉自己对电路图的“阅读能力”有了质的飞跃，以前觉得复杂的控制回路，现在看过去，就像在读一本图文并茂的故事书，充满了逻辑和美感。这本书真正做到了“入门”，它为你打下了一个坚实的基础，让你在面对更复杂的电路时，不再心慌。

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