Processor Description Languages, Volume 1 pdf epub mobi txt 电子书下载 2026

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出版者:

作者:Mishra, Prabhat (EDT)/ Dutt, Nikil (EDT)

出品人:

页数:432

译者:

出版时间:2008-6

价格:702.00元

装帧:

isbn号码:9780123742872

丛书系列:

图书标签:

处理器描述语言
计算机体系结构
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数字逻辑设计
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计算机工程
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处理器设计
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具体描述

Efficient design of embedded processors plays a critical role in embedded systems design. Processor description languages and their associated specification, exploration and rapid prototyping methodologies are used to find the best possible design for a given set of applications under various design constraints, such as area, power and performance.

This book is the first, comprehensive survey of modern architecture description languages and will be an invaluable reference for embedded system architects, designers, developers, and validation engineers. Readers will see that the use of particular architecture description languages will lead to productivity gains in designing particular (application-specific) types of embedded processors.

* Comprehensive coverage of all modern architecture description languages... use the right ADL to design your processor to fit your application;

* Most up-to-date information available about each architecture description language from the developers...save time chasing down reliable documentation;

* Describes how each architecture desccription language enables key design automation tasks, such as simulation, synthesis and testing...fit the ADL to your design cycle;

电子电路基础：从概念到实现第一卷：半导体器件与基本放大电路本书是深入探索现代电子工程核心——电子电路理论与实践的权威性专著，旨在为读者构建一个全面、扎实、系统化的知识体系。本书聚焦于电子系统中最基础也是最关键的组成部分：半导体器件的工作原理及其在各类基本放大电路中的应用。我们避开了对特定指令集架构或微处理器设计的深入探讨，转而将焦点放在电子信息处理的物理基础之上。全书结构严谨，内容覆盖从基本的物理概念到复杂的电路分析，确保读者不仅理解“如何设计”，更能洞悉“为何如此设计”。第一部分：半导体物理基础与二极管理论本部分为理解所有现代电子设备奠定必要的物理学基础。我们首先回顾晶体材料的能带结构，详细解析了本征半导体、N型和P型掺杂的形成机制及其载流子输运特性，包括漂移和扩散电流。核心内容聚焦于半导体PN结。我们将详尽分析PN结的形成过程、势垒电压的建立，以及在正向和反向偏置下的伏安特性曲线。对齐（Zener）效应、雪崩击穿（Avalanche Breakdown）的机理及其在稳压二极管（齐纳二极管）中的应用被细致剖析。此外，本书还引入了肖特基二极管（Schottky Diode）的结构和其低压降、高速开关特性的物理成因。通过大量的实例和工程近似分析，读者将能够熟练掌握二极管作为开关、限幅器和钳位器在实际电路中的建模与分析方法。第二部分：双极型晶体管（BJT）——有源器件的核心本部分是全书的重点之一，系统地介绍了双极型晶体管（BJT）的结构、工作原理及其在放大电路中的应用。我们从物理结构出发，深入探讨了BJT的载流子注入、基区复合和集电极电流的形成过程。在工作模式分析上，我们详细区分了截止、饱和和有源区（线性区）的工作状态。重点讲解了BJT的Ebers-Moll模型（小信号模型的前身）以及如何利用混合$pi$模型（Hybrid-pi Model）进行小信号交流分析。读者将学习如何精确计算晶体管的跨导（$g_m$）、输入电阻和输出电阻，这些参数是构建高性能放大器的关键。电路应用方面，本书涵盖了所有基本的BJT组态：共射极（CE）、共基极（CB）和共集电极（CC，或称射极跟随器）。对于每一种组态，我们都提供了从直流偏置点分析（确保晶体管工作在线性区）到交流信号放大倍数、输入输出阻抗的完整推导。特别地，对多级放大器（如共射极-共基极串联放大器）的级联效应和频率响应影响进行了深入探讨。第三部分：场效应晶体管（FET）——现代CMOS的基础本部分将视角转向另一种核心有源器件：场效应晶体管（FET），包括结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。对于MOSFET，我们详细阐述了其“增强型”和“耗尽型”器件的构造差异，重点分析了栅氧层电容的作用，以及阈值电压（$V_{th}$）的物理意义。通过对“平带电压”、“耗尽层电荷”和“反型层”的细致分析，读者将掌握MOSFET的“卷曲模型”（Square Law Model）或更精确的BSIM模型基础。在电路应用中，我们深入研究了共源（Common Source）、共栅（Common Gate）和共漏（Common Drain，或称源极跟随器）的FET组态。与BJT部分类似，我们同样进行了严格的直流偏置和交流小信号分析，并对比了FET与BJT在跨导、输入阻抗和噪声特性方面的内在差异。第四部分：基本线性放大电路的性能评估本部分将前三部分的器件知识融会贯通，专注于基础线性放大电路的系统性性能评估。我们将探讨影响放大器性能的关键指标，包括： 1. 频率响应与带宽：通过分析高频米勒效应（Miller Effect）和引入的寄生电容，推导三级放大器的开环和闭环频率响应，定义增益-带宽积（GBW）。 2. 失真分析：深入分析非线性失真，包括二次谐波和三次谐波失真，并引入交叉失真（Crossover Distortion）的概念及其消除方法。 3. 噪声分析：介绍电子噪声的来源（热噪声、散弹噪声、闪烁噪声），并学习使用噪声系数（Noise Figure, NF）来量化放大器对系统信噪比（SNR）的劣化程度。 4. 反馈理论基础：引入负反馈的基本概念，阐述四种反馈组态（电压串联、电流串联、电压并联、电流并联）对增益、输入/输出阻抗和带宽的影响，为后续深入学习高阶电路设计打下坚实基础。本书的所有推导和分析均基于严格的电路理论，避免了对高级数字逻辑或复杂微处理器架构的描述，旨在为电子工程师提供理解和设计任何模拟或低速数字前端电路所必需的坚实基础。本书的读者群包括电子工程、物理学和计算机工程领域的学生及希望夯实基础的专业人士。