Processor Description Languages, Volume 1 pdf epub mobi txt 電子書下載2026

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出版者:

作者:Mishra, Prabhat (EDT)/ Dutt, Nikil (EDT)

出品人:

頁數:432

译者:

出版時間:2008-6

價格:702.00元

裝幀:

isbn號碼:9780123742872

叢書系列:

圖書標籤:

處理器描述語言
計算機體係結構
硬件描述語言
數字邏輯設計
VLSI設計
計算機工程
嵌入式係統
處理器設計
形式化方法
技術手冊

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具體描述

Efficient design of embedded processors plays a critical role in embedded systems design. Processor description languages and their associated specification, exploration and rapid prototyping methodologies are used to find the best possible design for a given set of applications under various design constraints, such as area, power and performance.

This book is the first, comprehensive survey of modern architecture description languages and will be an invaluable reference for embedded system architects, designers, developers, and validation engineers. Readers will see that the use of particular architecture description languages will lead to productivity gains in designing particular (application-specific) types of embedded processors.

* Comprehensive coverage of all modern architecture description languages... use the right ADL to design your processor to fit your application;

* Most up-to-date information available about each architecture description language from the developers...save time chasing down reliable documentation;

* Describes how each architecture desccription language enables key design automation tasks, such as simulation, synthesis and testing...fit the ADL to your design cycle;

電子電路基礎：從概念到實現第一捲：半導體器件與基本放大電路本書是深入探索現代電子工程核心——電子電路理論與實踐的權威性專著，旨在為讀者構建一個全麵、紮實、係統化的知識體係。本書聚焦於電子係統中最基礎也是最關鍵的組成部分：半導體器件的工作原理及其在各類基本放大電路中的應用。我們避開瞭對特定指令集架構或微處理器設計的深入探討，轉而將焦點放在電子信息處理的物理基礎之上。全書結構嚴謹，內容覆蓋從基本的物理概念到復雜的電路分析，確保讀者不僅理解“如何設計”，更能洞悉“為何如此設計”。第一部分：半導體物理基礎與二極管理論本部分為理解所有現代電子設備奠定必要的物理學基礎。我們首先迴顧晶體材料的能帶結構，詳細解析瞭本徵半導體、N型和P型摻雜的形成機製及其載流子輸運特性，包括漂移和擴散電流。核心內容聚焦於半導體PN結。我們將詳盡分析PN結的形成過程、勢壘電壓的建立，以及在正嚮和反嚮偏置下的伏安特性麯綫。對齊（Zener）效應、雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）的機理及其在穩壓二極管（齊納二極管）中的應用被細緻剖析。此外，本書還引入瞭肖特基二極管（Schottky Diode）的結構和其低壓降、高速開關特性的物理成因。通過大量的實例和工程近似分析，讀者將能夠熟練掌握二極管作為開關、限幅器和鉗位器在實際電路中的建模與分析方法。第二部分：雙極型晶體管（BJT）——有源器件的核心本部分是全書的重點之一，係統地介紹瞭雙極型晶體管（BJT）的結構、工作原理及其在放大電路中的應用。我們從物理結構齣發，深入探討瞭BJT的載流子注入、基區復閤和集電極電流的形成過程。在工作模式分析上，我們詳細區分瞭截止、飽和和有源區（綫性區）的工作狀態。重點講解瞭BJT的Ebers-Moll模型（小信號模型的前身）以及如何利用混閤$pi$模型（Hybrid-pi Model）進行小信號交流分析。讀者將學習如何精確計算晶體管的跨導（$g_m$）、輸入電阻和輸齣電阻，這些參數是構建高性能放大器的關鍵。電路應用方麵，本書涵蓋瞭所有基本的BJT組態：共射極（CE）、共基極（CB）和共集電極（CC，或稱射極跟隨器）。對於每一種組態，我們都提供瞭從直流偏置點分析（確保晶體管工作在綫性區）到交流信號放大倍數、輸入輸齣阻抗的完整推導。特彆地，對多級放大器（如共射極-共基極串聯放大器）的級聯效應和頻率響應影響進行瞭深入探討。第三部分：場效應晶體管（FET）——現代CMOS的基礎本部分將視角轉嚮另一種核心有源器件：場效應晶體管（FET），包括結型場效應管（JFET）和金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。對於MOSFET，我們詳細闡述瞭其“增強型”和“耗盡型”器件的構造差異，重點分析瞭柵氧層電容的作用，以及閾值電壓（$V_{th}$）的物理意義。通過對“平帶電壓”、“耗盡層電荷”和“反型層”的細緻分析，讀者將掌握MOSFET的“捲麯模型”（Square Law Model）或更精確的BSIM模型基礎。在電路應用中，我們深入研究瞭共源（Common Source）、共柵（Common Gate）和共漏（Common Drain，或稱源極跟隨器）的FET組態。與BJT部分類似，我們同樣進行瞭嚴格的直流偏置和交流小信號分析，並對比瞭FET與BJT在跨導、輸入阻抗和噪聲特性方麵的內在差異。第四部分：基本綫性放大電路的性能評估本部分將前三部分的器件知識融會貫通，專注於基礎綫性放大電路的係統性性能評估。我們將探討影響放大器性能的關鍵指標，包括： 1. 頻率響應與帶寬：通過分析高頻米勒效應（Miller Effect）和引入的寄生電容，推導三級放大器的開環和閉環頻率響應，定義增益-帶寬積（GBW）。 2. 失真分析：深入分析非綫性失真，包括二次諧波和三次諧波失真，並引入交叉失真（Crossover Distortion）的概念及其消除方法。 3. 噪聲分析：介紹電子噪聲的來源（熱噪聲、散彈噪聲、閃爍噪聲），並學習使用噪聲係數（Noise Figure, NF）來量化放大器對係統信噪比（SNR）的劣化程度。 4. 反饋理論基礎：引入負反饋的基本概念，闡述四種反饋組態（電壓串聯、電流串聯、電壓並聯、電流並聯）對增益、輸入/輸齣阻抗和帶寬的影響，為後續深入學習高階電路設計打下堅實基礎。本書的所有推導和分析均基於嚴格的電路理論，避免瞭對高級數字邏輯或復雜微處理器架構的描述，旨在為電子工程師提供理解和設計任何模擬或低速數字前端電路所必需的堅實基礎。本書的讀者群包括電子工程、物理學和計算機工程領域的學生及希望夯實基礎的專業人士。