Gallium Arsenide Technology

Gallium Arsenide Technology pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:H.W. Sams
作者:David R. Ferry
出品人:
页数:2
译者:
出版时间:1985-9
价格:USD 44.95
装帧:Hardcover
isbn号码:9780672223754
丛书系列:
图书标签:
  • 砷化镓
  • 半导体
  • 材料科学
  • 电子工程
  • 微电子学
  • 器件物理
  • 集成电路
  • 射频电路
  • 光电子学
  • 化合物半导体
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具体描述

《半导体材料的科学与应用》 本书深入探讨了半导体材料的物理特性、化学性质以及其在现代科技中的广泛应用。内容涵盖了从基础的能带理论到复杂的器件设计,为读者构建一个全面而深入的理解框架。 第一部分:半导体材料的基础理论 本部分将详细介绍半导体材料的核心概念。我们将从原子结构入手,阐述电子在晶体中的运动规律,重点讲解能带理论,包括价带、导带、禁带宽度以及本征半导体与杂质半导体的区别。晶体结构对电子特性的影响也将是重点讨论的内容,包括不同的晶格结构以及它们如何影响载流子的迁移率。此外,本部分还将深入探讨载流子(电子和空穴)的产生、复合机制,以及其在电场和温度作用下的行为。掺杂过程的原理和控制,以及不同掺杂剂对半导体导电类型和浓度的影响,也将被详细解析。 第二部分:关键半导体材料的特性与制备 本部分将聚焦几种重要的半导体材料,深入分析它们的独特性质和制备工艺。 硅(Silicon, Si): 作为目前最主要的半导体材料,硅的晶体结构、光学和电学性质将得到详尽的阐述。我们将探讨不同质量的硅晶体(如单晶硅、多晶硅)的制备方法,包括直拉法(Czochralski method)和区域熔炼法(Float zone method)。硅的表面处理技术,如氧化、钝化和刻蚀,及其在集成电路制造中的关键作用也将被详细介绍。 化合物半导体(Compound Semiconductors): 这类材料由两种或多种元素组成,具有许多硅无法比拟的优异特性,在高性能电子器件和光电子器件领域扮演着重要角色。 镓化物(Gallium-based compounds): 重点介绍砷化镓(GaAs)及其与其它元素的固溶体,例如磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)等。我们将详细分析它们的光学带隙、电子迁移率、击穿电压以及其在微波器件、LED、激光器等方面的突出优势。各种制备技术,如液相外延(LPE)、气相外延(VPE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)将得到深入的讲解。 硫族化物(Chalcogenides): 探讨如硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)等材料,分析其独特的光电导性和光致发光特性,以及在太阳能电池、光电探测器等领域的应用。 III-V族与II-VI族化合物: 进一步拓展对不同族化合物半导体的研究,例如磷化铟(InP)在光通信领域的应用,以及氮化镓(GaN)在功率器件和高频通信中的潜力。 宽禁带半导体(Wide Bandgap Semiconductors): 重点介绍碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料。分析它们的高击穿电压、高导热性和高电子迁移率等特性,以及其在电动汽车、高压电力传输、高速开关等领域的革命性应用。各种生长技术(如高温化学气相沉积、基底制备)及其挑战将是讨论的重点。 第三部分:半导体器件的原理与设计 本部分将从材料特性出发,讲解各种基本半导体器件的结构、工作原理和设计考量。 PN结与二极管(PN Junctions and Diodes): 详细解析PN结的形成,扩散电流和漂移电流,以及二极管的伏安特性、击穿机制。不同类型的二极管,如整流二极管、稳压二极管、肖特基二极管等,将根据其材料和结构特点进行分类介绍。 双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistors, BJTs): 阐述PNP和NPN结构的形成,载流子的注入、传输和收集过程,以及其放大和开关特性。电流增益、输入和输出特性曲线,以及不同偏置条件下的工作模式将被详细分析。 场效应晶体管(Field-Effect Transistors, FETs): 重点介绍结型场效应晶体管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的结构和工作原理。分析栅极电压对沟道电导的控制机制,阈值电压、跨导等关键参数。MOSFET的制造工艺,如氧化层生长、栅金属沉积、源漏区掺杂等,以及其在数字电路和模拟电路中的广泛应用将得到深入探讨。 光电子器件(Optoelectronic Devices): 介绍发光二极管(LEDs)的发光原理,不同材料体系(如GaAs、GaN)的发光效率和颜色控制。激光二极管(LDs)的激励发光和受激发射原理,以及其在通信、数据存储等领域的应用。光电探测器(Photodetectors)的光电转换原理,如光电导效应、光伏效应,以及不同类型探测器的结构和响应特性。 微波和高频器件(Microwave and High-Frequency Devices): 针对化合物半导体材料的优异特性,介绍如MESFET、HEMT(高电子迁移率晶体管)等用于微波和射频应用的器件。分析其高频率响应、低噪声等特点,以及在雷达、卫星通信、手机等领域的应用。 第四部分:半导体材料的先进技术与未来趋势 本部分将展望半导体材料领域的前沿技术和发展方向。 纳米半导体(Semiconductor Nanomaterials): 探讨量子点、纳米线、二维材料(如石墨烯、二维过渡金属硫化物)等新型半导体材料的制备方法、独特的光电性质以及在量子计算、高效太阳能电池、生物传感器等领域的潜力。 有机半导体(Organic Semiconductors): 介绍有机共轭聚合物和有机小分子的半导体特性,以及其在柔性电子、有机发光二极管(OLEDs)、有机太阳能电池等领域的应用前景。 集成与封装技术(Integration and Packaging Technologies): 讨论如何将不同功能的半导体器件集成到同一芯片上,以及先进的封装技术如何提高器件的性能、可靠性和功率密度。 可持续性与环保(Sustainability and Environmental Considerations): 关注半导体材料的制备和回收过程对环境的影响,以及开发更环保的材料和工艺的重要性。 通过对本书内容的深入学习,读者将能够掌握半导体材料的科学基础,理解各种关键材料的特性,熟悉核心半导体器件的工作原理,并对该领域的最新发展和未来趋势有清晰的认识。本书旨在为从事半导体研究、开发、制造以及相关领域的工程师、科学家和学生提供一本不可或缺的参考资料。

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