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《普通高校应用型本科电子与计算机系列规划教材·模拟电路分析与设计》是编者在多年模拟电子技术课程教学的基础上，结合当前模拟电子技术发展及实际应用和课程教学的需要编写而成的，力求内容完整、结构合理、重点突出。《普通高校应用型本科电子与计算机系列规划教材·模拟电路分析与设计》突出放大电路的概念，以放大电路的研究和应用为主线，贯穿全文。理论联系实际，理论讲解简洁明了，以实际应用为中心。更多地从学生学习的角度考虑，符合学习的客观规律。附录中提供了本课程所需要的电路知识，便于学生参考。
电子技术是研究电子器件和电子电路工作原理及其应用的一门科学，可分为模拟电子技术和数字电子技术。模拟电子技术是高等院校理工科学生必修的专业基础课程，它研究的主要内容是用电子器件和电子电路对模拟信号进行放大、运算、各种变换等方面的处理。
全书共10章：绪论、二极管、三极管、场效应管、集成运算放大电路、信号运算电路、功率放大电路、反馈、信号的处理与产生电路和电源。
《电子器件原理及应用》 内容简介 本书旨在为读者深入剖析现代电子世界的基石——各类电子器件的内在工作原理，并在此基础上，系统阐述这些器件在实际电路设计与工程应用中的关键技术。我们从最基础的半导体物理概念出发，逐步构建起理解各种复杂器件的理论框架，并最终将理论与实践紧密结合，为读者提供一套扎实的电子器件知识体系。 第一部分：半导体基础与PN结 电子世界的大门，首先由半导体材料的奇妙特性向我们敞开。本书将从原子结构入手，深入讲解硅、锗等常见半导体材料的能带理论，理解导带、价带以及费米能级等核心概念，为后续理解载流子（电子和空穴）的行为奠定坚实基础。我们将详细探讨本征半导体的导电机制，并重点介绍杂质掺杂——n型和p型半导体的形成过程，以及不同载流子浓度对材料电导率的影响。 PN结是构成几乎所有半导体器件的“骨架”。我们将细致地分析PN结的形成过程，从PN结界面附近的载流子扩散、复合，到耗尽区的产生，以及内建电场的形成。在此基础上，我们将深入研究PN结在正向偏置和反向偏置下的伏安特性曲线。正向偏置下的载流子注入和复合，以及二极管的导通电压和动态电阻；反向偏置下的漏电流产生机制、击穿现象（雪崩击穿和齐纳击穿）及其电压的决定因素。此外，还会讨论PN结的电容效应，包括扩散电容和结电容，以及它们对器件工作频率的影响。 第二部分：二极管家族的深入探索 掌握了PN结的原理，我们便能理解各种类型的二极管。本书将详细介绍普通二极管（PN结二极管）的静态和动态特性，以及其在整流、限幅、钳位等基本电路中的应用。 接下来，我们将重点讲解稳压二极管（齐纳二极管）。虽然其工作原理基于PN结的反向击穿，但稳压二极管巧妙地利用了这一特性，在很宽的电流范围内维持恒定的输出电压。我们将分析稳压二极管的稳压机理，并探讨其稳压系数、动态电阻以及在电源稳压电路中的设计考量。 发光二极管（LED）作为一种重要的光电器件，其发光原理在于PN结少数载流子复合时将能量以光子的形式辐射出来。本书将介绍不同发光材料（如GaAsP, GaN等）及其对应的发光颜色，并探讨LED的亮度、发光效率、光强分布以及驱动电路的设计。 光电二极管则将光信号转化为电信号。我们将讲解其受光产生载流子、光电流与光照强度的关系，并介绍其在光探测、光通信以及太阳能电池等领域的应用。 肖特基二极管是PN结的另一种重要变体，它采用金属与半导体接触形成肖特基结。我们将分析肖特基结的形成机理，并突出其与PN结相比的优势：低正向导通电压、快速开关速度以及低反向恢复电荷，这使其在高速开关电路和电源转换器中扮演着重要角色。 变容二极管则利用PN结反向偏置时结电容随外加电压变化的特性。我们将深入分析其电容-电压特性曲线，并阐述其在调谐电路、倍频器等射频应用中的原理。 第三部分：三极管——放大与开关的基石 三极管是电子电路中最基础也是最重要的放大和开关器件。本书将从双极结型晶体管（BJT）开始。我们将详细解析BJT的结构（NPN和PNP型），并从载流子在基区、发射区和集电区的输运和复合过程，深入理解其放大作用的物理机制。我们将详细阐述BJT的输入特性曲线（Ib-Vbe）和输出特性曲线（Ic-Vce），并介绍共发射、共集电极和共基极三种基本放大组态的特点、增益（电流增益β，电压增益Av）以及输入输出阻抗。我们将探讨BJT在不同工作区域（截止区、放大区、饱和区）的特性，并重点讲解其作为开关器件的应用。 随后，我们将引入场效应晶体管（FET）。首先是结型场效应晶体管（JFET）。我们将阐述其通过栅极电压控制沟道载流子密度来控制漏极电流的原理，分析其跨导（gm）和零栅压漏电流（Idss）等参数，并介绍其作为恒流源和放大器的应用。 接下来是应用最为广泛的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。我们将详细介绍MOSFET的结构（NMOS和PMOS）、工作原理（增强型和耗尽型）。重点将放在MOSFET的栅极电容、阈值电压（Vt）以及跨导（gm）的物理意义。我们将深入分析MOSFET的输出特性曲线（Id-Vds）和传输特性曲线（Id-Vgs），并深入理解其在放大电路（如共源、共漏、共栅放大器）和开关电路中的应用。特别地，我们将强调MOSFET作为数字电路开关器件的优越性，并为读者理解CMOS逻辑门电路奠定基础。 第四部分：集成器件与功率器件 随着电子技术的飞速发展，各种集成器件和功率器件在现代电子系统中扮演着越来越重要的角色。 集成电路（IC）是将大量电子元器件（包括晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体衬底上的电子线路。本书将介绍IC的基本制造工艺流程（如光刻、刻蚀、薄膜沉积等），并简要介绍不同类型的IC，如模拟IC（运算放大器、比较器等）和数字IC（逻辑门、微处理器等）。虽然本书不涉及复杂的IC设计，但我们将帮助读者理解IC的优势（小型化、低功耗、高可靠性）以及它们在各个应用领域的重要性。 功率器件是专门用于处理大电流和高电压的电子器件。我们将介绍功率二极管，其与普通二极管相比，具有更高的耐压和导通电流能力，常用于整流电路和电源系统中。 功率三极管（如功率BJT和功率MOSFET）则是在普通三极管的基础上，通过优化结构设计，使其能够承受更大的功率耗散，并具备更好的散热能力，广泛应用于电机驱动、开关电源和音频放大器等领域。 此外，本书还将介绍绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IGBT结合了BJT的电流驱动特性和MOSFET的栅极控制特性，具有高输入阻抗、低导通压降和良好的功率处理能力，是高压大功率电力电子应用（如变频器、逆变器）的关键器件。 第五部分：传感器与光电器件的拓展 除了上述核心器件，本书还将涉足一些重要的传感器和光电器件。 热敏电阻（Thermistor）利用材料电阻值随温度变化的特性来测量温度，本书将介绍NTC（负温度系数）和PTC（正温度系数）热敏电阻的原理及在温度监测和控制中的应用。 压敏电阻（Varistor）的电阻值随电压变化，通常用于电路的过压保护。 霍尔元件（Hall Effect Sensor）基于霍尔效应，将磁场信号转化为电信号，在磁场检测、位置传感和角度测量等领域有广泛应用。 晶闸管（SCR）是一种可控硅整流器件，它具有大功率、高效率的特点，在电力控制和电力变换领域扮演着重要角色。我们将介绍其触发导通和关断的原理。 总结 《电子器件原理及应用》是一本致力于揭示电子世界奥秘的工具书。我们力求通过清晰的逻辑、严谨的理论推导以及丰富的实例，帮助读者建立起对各类电子器件的全面认识。本书不仅关注器件的“是什么”，更深入探究其“为什么”以及“如何用”。无论是希望系统学习电子技术原理的学生，还是致力于电路设计与创新的工程师，本书都将为您提供坚实的基础和宝贵的参考。我们相信，通过对本书的学习，您将能够更自信地驾驭电子器件，设计出更高效、更可靠的电子系统。
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