Analog MOS Integrated Circuits, II (Ieee Press Selected Reprint Series)

Analog MOS Integrated Circuits, II (Ieee Press Selected Reprint Series) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:Wiley-IEEE Press; 2nd edition
作者:Paul R. Gray
出品人:
页数:512
译者:
出版时间:1989-01-01
价格:USD 129.50
装帧:Paperback
isbn号码:9780879422462
丛书系列:
图书标签:
  • IC
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具体描述

高频射频集成电路设计与优化 本书简介 本书深入探讨了现代通信系统中至关重要的模拟和射频(RF)集成电路(IC)的设计、分析与实现。在当前无线通信技术飞速发展的背景下,对高性能、低功耗、高集成度的射频前端电路的需求日益迫切。本书旨在为读者提供坚实的理论基础和实用的工程实践指导,使他们能够驾驭从基础器件模型到复杂系统级集成电路设计的全过程。 第一部分:模拟与射频基础 本部分首先回顾了半导体器件在射频电路中的特性。我们将详细分析MOS晶体管在高频工作下的非理想效应,包括栅极电阻、源极/漏极引线电感、击穿机制以及噪声特性。不同工作状态下的晶体管模型,如弱反型、强反型以及饱和区模型,在高频应用中的适用性将被深入剖析。 接着,本书重点讲解了无源元件在集成电路中的实现。电感器和电容器的设计是射频电路设计的关键瓶颈之一。我们将讨论片上螺旋电感器的设计参数、Q值优化、耦合系数计算及其对电路性能的影响。对于片上电容,我们将对比MOS电容、变容以及介质电容的优缺点,并阐述如何通过结构优化来提高其线性度和品质因数。 噪声分析是射频电路设计中不可或缺的一环。本书将详细介绍射频电路中的主要噪声源,包括热噪声、闪烁噪声(1/f噪声)和散粒噪声。我们将推导并应用噪声系数(Noise Figure, NF)的概念,指导读者如何在电路拓扑选择和器件尺寸确定中最小化噪声对系统灵敏度的影响。 第二部分:关键射频电路模块设计 本部分聚焦于射频系统中的核心功能模块。 低噪声放大器(LNA)设计: LNA是接收机前端的第一个有源器件,其性能直接决定了整个接收机的噪声系数和线性度。我们将探讨共源极、共栅、共基极等经典拓扑结构,并详细讲解如何利用阻抗匹配技术(如输入端R-L匹配、源极反馈匹配)来同时实现最佳噪声匹配和最大增益。特别地,本书会深入分析跨导-输入电阻(gm/Ri)比值在LNA设计中的优化策略。 混频器(Mixer)设计: 混频器负责信号的变频,是将射频信号下变频或上变频的关键组件。我们将对比乘法器型混频器(如Gilbert Cell)和开关导通型混频器(如Single-Balanced/Double-Balanced Mixer)。对于Gilbert Cell,我们将详细分析其电压/电流转换、直流混频(DC Offset)的产生机理及其抑制方法,并探讨其线性度(如IIP3)与驱动能力之间的权衡。 功率放大器(PA)设计: 功率放大器是发射机的心脏,其效率和线性度对电池寿命和信号质量至关重要。本书将详细介绍A类、AB类、E类和F类等不同工作模式的PA设计。我们将侧重于高效率技术的探讨,包括包络跟踪(Envelope Tracking, ET)和包络再生(Envelope Regeneration, ER)技术,并指导读者如何优化负载牵引(Load-Pull)分析,以在特定工作点上实现最佳功率附加效率(PAE)。 振荡器与锁相环(PLL): 稳定的本地振荡频率是所有无线通信系统的基础。本书将深入分析压控振荡器(VCO)的设计,包括螺旋电感VCO和波导型VCO,并重点研究其相位噪声性能。随后,本书将系统地介绍锁相环(PLL)的结构、环路滤波器设计(Type I, II, III PLL)以及锁相速度、抖动(Jitter)和杂散抑制的优化方法。 第三部分:系统集成与先进技术 在系统集成层面,本书讨论了系统级噪声累积、增益/相位失配对调制信号质量的影响。 匹配网络设计: 从单极点到多极点匹配网络的设计,我们将使用史密斯圆图(Smith Chart)和先进的优化算法,确保在宽带或窄带应用中实现最优的S参数性能。 滤波器与电感耦合: 讨论集成滤波器(如LC滤波器、螺旋线滤波器)的设计,以及如何在紧凑的芯片面积内实现高Q值和高选择性。 先进工艺节点的挑战: 随着工艺节点进入深纳米时代,器件尺寸的缩小带来了新的挑战,如亚阈值漏电、工艺变异性(PVT)对电路性能的剧烈影响。本书将探讨针对这些挑战的设计应对策略,例如使用共模反馈技术、失配补偿电路以及先进的噪声塑形(Noise Shaping)技术。 本书内容翔实,图表丰富,旨在成为高级电子工程专业学生、射频IC设计工程师以及科研人员的权威参考手册。通过对理论的透彻理解和对实际工程案例的剖析,读者将能够掌握设计出下一代高性能无线通信系统的核心能力。

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目录信息

读后感

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用户评价

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在我看来,《Analog MOS Integrated Circuits, II》这本书,更像是一本“工具箱”,里面装满了模拟集成电路设计所需的各种“利器”。它不是那种让你轻松阅读的小说,而是需要你带着问题去学习,带着思考去钻研。书中的内容,可以说是高度浓缩了模拟电路设计的精髓,从器件模型到电路拓扑,再到系统设计,都进行了深入的讲解。我尤其欣赏书中对“权衡”的讨论,比如在设计一个放大器时,如何在高增益、高带宽、低功耗和低噪声之间找到一个最佳的平衡点。这种现实世界的工程考量,是很多理论书籍所忽略的。而且,书中对于CMOS器件的理解,可以说是非常透彻的。它会告诉你,不仅仅是了解MOS管的I-V特性曲线,更重要的是,要去理解它在不同工作条件下的行为,以及那些非理想的效应是如何影响电路性能的。例如,它会详细讲解沟道长度调制效应、体效应、亚阈值导电等,并分析这些效应在实际电路设计中的影响。这本书在讲解过程中,非常注重理论与实践的结合。它会给出严谨的公式推导,同时也会穿插实际应用中的案例,让你能够将理论知识落地。我记得其中有一个章节,专门讨论了模拟电路中的功耗优化,这在如今功耗日益重要的今天,显得尤为宝贵。它会从器件级的功耗,到电路级的功耗,再到系统级的功耗,都进行了系统性的讲解,并提供了一系列实用的设计技巧。这本书的阅读过程,无疑是一次挑战,需要你投入大量的时间和精力,但每一次的突破,都会让你对模拟电路的理解更上一层楼。它就像一位经验丰富的大师,将他毕生的绝学毫无保留地传授给你,让你受益匪浅。

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我得承认,《Analog MOS Integrated Circuits, II》这本书,初看之下,确实会让人觉得有点“硬核”。它不像那种轻松愉快的读物,捧在手里就能轻松获取信息,而是需要你静下心来,带着一种钻研的态度去面对。书中的图表和公式,虽然严谨,但有时候也确实会让人望而生畏。不过,一旦你克服了最初的心理障碍,开始真正地沉浸其中,就会发现它蕴含的价值是多么的巨大。这本书最让我印象深刻的一点是,它非常注重对“为什么”的解释,而不仅仅是“是什么”。很多时候,我们在学习其他资料时,可能只是知道某个电路是怎么设计的,或者某个参数是如何计算的,但这本书却会告诉你,为什么这样做?这样做的背后有什么样的权衡和考虑?这种追根溯源式的讲解,对于理解模拟电路设计的深层逻辑至关重要。例如,在讨论噪声分析的时候,它不仅仅是给你罗列各种噪声源的公式,更重要的是,它会分析在不同的电路结构下,哪些噪声源是主导性的,以及如何通过设计来抑制这些噪声。这种深度和广度,在其他的模拟电路书籍中并不多见。而且,书中对于MOS器件的各种非理想特性的讨论,也异常的细致,比如沟道长度调制效应、体效应、以及阈值电压的变化等等,这些细节恰恰是影响模拟电路性能的关键所在,而这本书就给了我非常清晰的认识。虽然阅读过程可能有些挑战,需要反复推敲和理解,但每当克服一个难点,那种豁然开朗的感觉,以及对模拟电路理解的深化,都是极其令人满足的。这本书就像一个经验丰富的导师,他不会直接给你答案,而是引导你一步步去发现答案,让你自己去构建知识体系。

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《Analog MOS Integrated Circuits, II》这本书,给我的感觉就是一种“精炼”和“深刻”。它不像那些泛泛而谈的书籍,而是每一个字、每一个公式都经过了作者的深思熟虑。书中的内容,可以说是模拟集成电路领域中的精华所在,涵盖了许多在实际芯片设计中至关重要的技术点。我特别欣赏书中对于不同电路拓扑的分析,它不仅仅是给出原理图,更是深入地剖析了这些拓扑的优缺点,以及它们在不同应用场景下的适用性。例如,在讲解运算放大器时,它会从单级、多级、共源共栅等不同结构进行分析,并详细讨论了它们的增益、带宽、功耗、噪声等性能指标。而且,书中对于CMOS器件的非理想特性的讨论,也异常的细致。它会详细讲解沟道长度调制效应、体效应、亚阈值导电等,并分析这些效应在实际电路设计中的影响。这些细节的处理,恰恰是影响模拟电路性能的关键所在。这本书在讲解过程中,非常注重理论与实践的结合。它会给出严谨的公式推导,同时也会穿插实际应用中的案例,让你能够将理论知识落地。我记得其中有一个章节,专门讨论了模拟电路中的稳定性问题,并给出了多种提高稳定性的方法。这些内容,对于设计可靠的模拟电路至关重要。虽然阅读这本书需要一定的基础,并且需要花费大量的时间去理解,但如果你是那种对模拟电路设计有着强烈求知欲的人,那么这本书绝对是你不可或缺的宝贵财富。它会为你打开一扇通往更高级模拟电路设计世界的大门。

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老实说,《Analog MOS Integrated Circuits, II》这本书,我感觉更像是为那些已经有了一定模拟电路基础,并且希望在这个领域进行更深入探索的工程师和研究人员准备的。它不像那种“第一本”的入门书,而是直接带你进入到模拟电路设计的“实战”层面。书中的内容,可以说是精华荟萃,涵盖了许多在实际芯片设计中非常关键的技术点。我特别喜欢它对那些“细节”的处理,比如在分析某个电路时,它会考虑各种寄生效应的影响,以及如何通过版图设计来减小这些影响。这种对细节的极致追求,正是模拟电路工程师的价值所在。而且,这本书在讲解概念时,往往会从不同的角度去阐述,让你能够从多个维度去理解同一个问题。例如,在讲解电流镜的精度时,它不仅会从理论公式的角度去推导,还会从实际器件的非理想性来分析误差来源,并提出相应的改进方案。这种多角度的分析,让你的理解更加透彻和全面。我印象特别深刻的是,书中关于噪声和失真分析的部分,讲解得非常到位。它会详细分析各种噪声的来源,以及它们是如何叠加到信号上的,并提供相应的抑制方法。对于失真,它也会从高阶非线性的角度去解释,并给出一些避免失真的设计技巧。这些内容,对于在实际电路设计中获得高性能至关重要。虽然这本书的阅读需要一定的耐心和投入,但每一次的阅读,都会感觉自己对模拟电路的理解又上了一个台阶,这种成就感是无与伦比的。它就像一本武功秘籍,你需要花时间去领悟其中的精髓,一旦掌握,便能让你在模拟电路的世界里如鱼得水。

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要说《Analog MOS Integrated Circuits, II》这本书,它给我带来的最大感受,就是一种“匠心独运”的精巧感。它不是那种流水线生产出来的教科书,而更像是经过精心雕琢的艺术品。书中的内容,环环相扣,逻辑严密,每当读完一个章节,都会感觉之前学到的知识得到了进一步的升华和巩固。它在讲解模拟电路设计的过程中,非常巧妙地融入了大量的工程实践经验,而不是仅仅停留在理论层面。我尤其欣赏书中对于电路参数的权衡和取舍的讨论,比如在设计一个放大器时,如何在高增益、高带宽、低功耗和低噪声之间找到一个最佳的平衡点。这种现实世界的工程考量,是很多理论书籍所忽略的。而且,这本书在介绍各种电路拓扑时,不仅仅是给出了原理图,更重要的是,它会深入分析这些拓扑的优缺点,以及它们在不同应用场景下的适用性。比如,在讨论差分放大器时,它会详细分析共模抑制比、输入阻抗、输出阻抗等关键参数,并说明如何通过设计来优化这些参数。这本书的另一个亮点在于,它对于CMOS器件的建模和仿真,也有着相当深入的讲解,这对于理解实际的芯片设计流程至关重要。它会让你明白,理论上的计算和实际的仿真结果之间,为什么会有差异,以及如何通过更准确的模型来预测电路的性能。虽然书中的内容有些许专业性,需要读者具备一定的电子工程背景,但如果你真的想在模拟集成电路领域有所建树,这本书绝对是你不可或缺的工具书。它不仅仅是提供知识,更重要的是,它能帮助你培养一种解决问题的思维方式,一种对模拟电路设计精益求精的态度。

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《Analog MOS Integrated Circuits, II》这本书,给我最大的感受就是它的“实战性”和“前沿性”。它不像那些陈旧的教材,只讲解过时的知识,而是紧跟模拟集成电路发展的最新潮流,涵盖了许多在当前芯片设计中非常关键的技术点。书中的内容,可以说都是精华中的精华,每一章都像是在为你揭示模拟电路设计中的某个“秘密”。我尤其喜欢书中对各种先进电路拓扑的讲解,例如各种低功耗、高性能的运算放大器、滤波器、以及数据转换器等。它不仅仅是给出原理图,更是深入地剖析了这些拓扑的设计原理、关键参数的计算方法,以及在实际应用中的注意事项。而且,书中对于CMOS器件在不同工作区下的行为特性,也进行了非常细致的分析,这对于理解和设计高效的模拟电路至关重要。它会告诉你,为什么同一个MOS管,在不同的偏置下,表现出来的特性会如此不同,以及如何利用这些特性来达到特定的设计目标。这本书在讲解过程中,非常注重理论与实践的结合。它会给出严谨的公式推导,同时也会穿插实际应用中的案例,让你能够将理论知识落地。我记得其中有一个章节,专门讨论了模拟电路中的噪声和失真分析,并给出了多种抑制噪声和失真的方法。这些内容,对于设计高性能的模拟电路至关重要。虽然阅读这本书需要一定的基础,并且需要花费大量的时间去理解,但如果你是那种对模拟电路设计有着强烈求知欲的人,那么这本书绝对是你不可或缺的宝贵财富。它会为你打开一扇通往更高级模拟电路设计世界的大门。

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这本《Analog MOS Integrated Circuits, II》着实让我眼前一亮,尤其是在我对模拟集成电路领域有了初步了解之后,再来翻阅这本书,感觉就完全不一样了。它不像那种入门书籍那样事无巨细地讲解基础概念,而是直接切入到了更深层次的设计和分析,那种感觉就像是突然被一股脑地推到了一个更高远的平台,视野瞬间开阔了不少。书中的内容,虽然涉及的技术术语可能一开始会让人有些头晕,但作者的写作风格,尤其是那些精炼的公式推导和图示的配合,总能巧妙地引导你去理解那些复杂的概念。我特别喜欢它对那些经典电路拓扑的深入剖析,那些在教科书上可能只是简单提及的电路,在这里却被拆解得七零八落,让你能清晰地看到它们是如何工作的,以及在不同应用场景下,它们各自的优缺点是什么。而且,这本书并非一味地追求理论上的完美,它在讨论理论的同时,也穿插了不少实际应用中的考量,比如寄生效应、噪声分析、以及器件的非理想性对电路性能的影响,这些都是在实际芯片设计中不可避免要面对的问题,而这本书就非常务实地指出了这些挑战,并给出了一些解决思路。我记得其中有一章,花了相当大的篇幅来讨论不同类型的运算放大器设计,从基本单级到多级,再到带隙基准源和电流镜的设计,每一部分都像是为你打开了一扇新的窗户,让你看到了模拟电路设计的精妙之处。当然,这并不是一本能让你一夜之间成为模拟电路专家的书,它需要读者具备一定的背景知识,并且愿意投入时间和精力去消化吸收。但如果你是那种真正对模拟电路设计充满好奇,并且想深入了解其背后原理的人,那么这本书绝对值得你认真研读,它会给你带来很多启发,甚至改变你对模拟电路的固有认知,让你看到一个更加广阔和富有挑战性的领域。

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这本书,《Analog MOS Integrated Circuits, II》,给我最直观的感受就是它的“深度”和“广度”。它不像很多教材那样,只停留在概念的层面,而是深入到了模拟电路设计的方方面面,并且都给出了非常详尽的讲解。从基本的放大器设计,到复杂的滤波器和数据转换器,它都涵盖了。而且,书中对于CMOS器件的理解,可以说是非常透彻的。它会告诉你,不仅仅是了解MOS管的I-V特性曲线,更重要的是,要去理解它在不同工作条件下的行为,以及那些非理想的效应是如何影响电路性能的。例如,它会详细讲解沟道长度调制效应、体效应、亚阈值导电等,并分析这些效应在实际电路设计中的影响。我特别喜欢书中对噪声和失真分析的部分,讲解得非常深入。它会告诉你,不同的噪声源是如何产生的,它们是如何叠加的,以及如何通过设计来降低噪声。对于失真,它也会从高阶非线性的角度去解释,并给出一些避免失真的设计技巧。这些内容,对于设计高性能的模拟电路至关重要。而且,这本书在讲解过程中,非常注重理论与实践的结合。它会给出严谨的公式推导,同时也会穿插实际应用中的案例,让你能够将理论知识落地。我记得其中有一个章节,专门讨论了模拟电路中的功耗优化,这在如今功耗日益重要的今天,显得尤为宝贵。它会从器件级的功耗,到电路级的功耗,再到系统级的功耗,都进行了系统性的讲解,并提供了一系列实用的设计技巧。这本书的阅读过程,无疑是一次挑战,需要你投入大量的时间和精力,但每一次的突破,都会让你对模拟电路的理解更上一层楼。它就像一位经验丰富的大师,将他毕生的绝学毫无保留地传授给你,让你受益匪浅。

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《Analog MOS Integrated Circuits, II》这本书,我用“厚重”和“精深”来形容它,一点都不为过。它不是那种可以随意翻阅的书籍,而是需要你带着一份敬畏之心,去细细品味。书中的内容,可以说都是模拟集成电路领域的“硬核”知识,每一页都凝聚着作者多年的研究和实践经验。我尤其欣赏它对那些经典电路拓扑的深入剖析,不仅仅是给出一个电路图,而是层层递进地告诉你,为什么这样设计?这样设计的优势在哪里?又有哪些潜在的局限性?它会引导你去思考,去发现。例如,在讲解差分放大器时,它会从不同的输入耦合方式,到不同的输出形式,再到各种偏置电路的设计,都进行了详尽的阐述。而且,书中对于CMOS器件在不同工作区下的行为特性,也进行了非常细致的分析,这对于理解和设计高效的模拟电路至关重要。它会告诉你,为什么同一个MOS管,在不同的偏置下,表现出来的特性会如此不同,以及如何利用这些特性来达到特定的设计目标。这本书在讲解过程中,非常注重理论与实践的结合。它会给出严谨的公式推导,同时也会穿插实际应用中的案例,让你能够将理论知识落地。我记得其中有一个章节,专门讨论了模拟电路中的功耗优化,这在如今功耗日益重要的今天,显得尤为宝贵。它会从器件级的功耗,到电路级的功耗,再到系统级的功耗,都进行了系统性的讲解,并提供了一系列实用的设计技巧。虽然阅读这本书需要一定的基础,并且需要花费大量的时间去理解,但如果你是那种对模拟电路设计有着强烈求知欲的人,那么这本书绝对是你值得投资的宝贵财富。它会为你打开一扇通往更高级模拟电路设计世界的大门。

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《Analog MOS Integrated Circuits, II》这本书,对我来说,更像是一座“宝藏”,里面蕴藏着无数关于模拟集成电路设计的宝贵知识。它不是那种可以轻松浏览的书籍,而是需要你带着一种探索的精神,去一点点地挖掘。书中的内容,可以说是高度提炼了模拟电路设计的核心思想,从器件模型到电路拓扑,再到系统设计,都进行了深入的讲解。我特别欣赏书中对“权衡”的讨论,比如在设计一个放大器时,如何在高增益、高带宽、低功耗和低噪声之间找到一个最佳的平衡点。这种现实世界的工程考量,是很多理论书籍所忽略的。而且,书中对于CMOS器件的理解,可以说是非常透彻的。它会告诉你,不仅仅是了解MOS管的I-V特性曲线,更重要的是,要去理解它在不同工作条件下的行为,以及那些非理想的效应是如何影响电路性能的。例如,它会详细讲解沟道长度调制效应、体效应、亚阈值导电等,并分析这些效应在实际电路设计中的影响。这本书在讲解过程中,非常注重理论与实践的结合。它会给出严谨的公式推导,同时也会穿插实际应用中的案例,让你能够将理论知识落地。我记得其中有一个章节,专门讨论了模拟电路中的功耗优化,这在如今功耗日益重要的今天,显得尤为宝贵。它会从器件级的功耗,到电路级的功耗,再到系统级的功耗,都进行了系统性的讲解,并提供了一系列实用的设计技巧。这本书的阅读过程,无疑是一次挑战,需要你投入大量的时间和精力,但每一次的突破,都会让你对模拟电路的理解更上一层楼。它就像一位经验丰富的大师,将他毕生的绝学毫无保留地传授给你,让你受益匪浅。

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整本书是论文集,收录了2000年之前的经典论文。但是对现在而言,有点过时了,这也是技术书籍的通病吧,即使是由大师编撰。

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