经典学法频道.高中物理必修1(人教版) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:北京教育

作者:李志青

出品人:

页数:336 页

译者:

出版时间:2007年6月1日

价格:14.8

装帧:平装

isbn号码:9787530360309

丛书系列:

图书标签:

• 高中物理
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历史的重量与未来的回响：两部著作的深度探析 第一部：《光影流转：20世纪欧洲社会变迁史纲》 内容简介 本书是一部对20世纪欧洲社会进行宏大叙事与精微剖析的史学著作。它并非简单的年代罗列，而是一场穿越百年风云的深度思想之旅。作者以深厚的史料功底和敏锐的洞察力，聚焦于两次世界大战的深远影响、意识形态的剧烈碰撞、社会结构的重塑以及文化思潮的激荡，旨在揭示“现代性”在欧洲大陆上复杂而矛盾的生成过程。 核心章节深度解析： 第一部分：帝国的黄昏与革命的黎明（1900-1929） 本部分着重探讨了欧洲传统王朝体系的瓦解及其遗留的权力真空。我们不仅梳理了导致一战爆发的错综复杂的同盟体系和军国主义思潮，更深入剖析了战争对欧洲社会心理的结构性破坏。战后的“迷惘一代”（The Lost Generation）如何在物质的颓废和精神的空虚中挣扎，成为理解后续一切动荡的基石。凡尔赛体系的建立，被视为一种充满瑕疵的“和平”，它如何在民族主义的暗流中为下一次冲突埋下了伏笔。此外，俄国十月革命的爆发及其对欧洲左翼运动的巨大牵引力，是本部分探讨的另一重要维度。作者细致描绘了战后欧洲社会阶层间的紧张关系，以及新兴的消费文化如何开始以一种微妙而强大的力量介入日常生活。 第二部分：极权阴影下的欧洲（1930-1945） 这一部分是全书最为沉重也最为关键的篇章。它聚焦于法西斯主义和纳粹主义如何利用经济危机、民众的恐惧和民族情绪的复兴，攫取权力。本书拒绝将极权主义简单归咎于某个邪恶的领导人，而是将其视为特定历史条件下，资本主义危机、民族主义扩张和组织化暴力相结合的产物。通过对纳粹德国的“全民国家”建设、意大利的社团主义实验以及斯大林模式的横向比较，读者可以清晰地看到极权国家如何系统性地消解个体，重构社会秩序。大屠杀（The Holocaust）的系统性与工业化，并非历史的偶然，而是现代技术理性与非人道意识形态完美结合的悲剧性后果。 第三部分：分裂与重建的年代（1946-1970s） 二战后的欧洲进入了一个充满悖论的时期：一方面是冷战铁幕下的政治对峙与核威慑的阴影，另一方面是史无前例的经济复苏与社会福利国家的构建。作者详尽分析了马歇尔计划对西欧工业重建的作用，以及东欧在苏联主导下的计划经济模式的实践。在社会层面，本书关注了战后婴儿潮一代的崛起，他们如何在相对富足的环境中对既有的僵化体制发起挑战——从5月风暴的街头抗议到反战运动的兴起，这标志着战后“共识政治”的松动。文化上，存在主义哲学、新浪潮电影的兴盛，反映了欧洲知识分子对“进步”神话的反思和对人类主体性的重新确立。 第四部分：走向融合的晚期现代性（1970s至今） 本书的收尾部分审视了欧洲一体化进程的复杂性。从煤钢共同体到欧盟的建立，其背后的经济理性与主权让渡之间的张力从未消减。同时，本书也探讨了欧洲社会在面对全球化、能源危机以及大规模移民涌入时所展现出的适应与抗拒。作者提出了一个发人深省的观点：20世纪欧洲的历史，是关于“主体性”如何从宏大的集体叙事（如民族、阶级、国家）中解放出来，又在新的全球化和碎片化的浪潮中寻求意义定位的过程。 本书特点： 本书的叙事风格兼具学术的严谨性与文学的张力。它不仅为学生和研究者提供了扎实的史学框架，更对普通读者提供了理解当代欧洲社会与政治格局的钥匙。它强调历史的连续性与断裂性，力求展现一个复杂、充满内在矛盾，但始终在寻求自我超越的欧洲形象。 第二部：《晶体管的低语：现代电子工程基础与微观物理原理》 内容简介 《晶体管的低语：现代电子工程基础与微观物理原理》是一部专为理工科学生及工程技术人员设计的教材与参考手册。它建立了一个坚实的桥梁，将抽象的量子力学概念与实际的电子器件性能紧密联系起来，专注于固态物理学在现代信息技术中的应用。全书逻辑清晰，由宏观的电路分析稳步深入到微观的半导体能带理论，旨在培养读者对电子设备工作机理的深刻理解，而非停留在表面的应用层面。 核心知识体系构建： 第一部分：经典电磁学回顾与半导体材料的引入 本部分首先对麦克斯韦方程组进行了工程应用导向的复习，重点强调了传输线理论和电磁波在导体中的行为。随后，内容迅速过渡到半导体的基础知识，包括本征半导体的载流子浓度、费米能级在热平衡下的位置，以及欧姆定律在半导体中的适用性。此处侧重于概念的清晰界定，为后续的PN结物理打下基础。 第二部分：PN结与二极管的物理机制 这是全书的核心基础部分之一。作者详细推导了PN结的能带图、内建电势的形成过程以及空间电荷区的宽度计算。在深入剖析了二极管的理想I-V特性曲线后，本书引入了实际器件的非理想效应，如击穿机制（雪崩与齐纳效应）和高频下的过渡电容。此外，对齐纳二极管和变容二极管的应用场景也有详尽的论述。 第三部分：晶体管的放大与开关特性 本章是连接物理原理与实际电路设计的关键。首先，对双极性结型晶体管（BJT）的Ebers-Moll模型进行了详尽的数学描述，解释了共射、共基、共集电路的增益特性。随后，进入场效应晶体管（FET）的领域，重点分析了MOSFET的结型结构、阈值电压的确定以及其在增强型和耗尽型工作模式下的跨导特性。书中的案例分析部分，着重展示了如何利用晶体管的开关特性来实现数字逻辑门的基本功能。 第四部分：半导体物理的深化——能带理论与器件优化 这一部分侧重于微观物理原理在器件设计中的体现。作者详细阐述了晶体结构、布洛赫定理以及有效质量的概念，解释了晶体中电子和空穴的运动差异。能带理论被用于解释半导体、导体和绝缘体之间的本质区别。更进一步，书中探讨了如何通过掺杂、应力（Strain Engineering）以及量子阱结构来精确调控材料的光学和电学性质，为激光二极管和高效太阳能电池的工作原理提供了坚实的理论支撑。 第五部分：集成电路的挑战与前沿 本书的最后部分将视角投向了集成电路（IC）的制造挑战。从光刻技术的基本原理到薄膜沉积工艺，再到互连线中的寄生效应，都进行了工程化的介绍。重点讨论了随着特征尺寸的缩小，如短沟道效应、量子隧穿效应等带来的物理限制，以及如何通过新型材料（如高K栅介质）和器件结构（如FinFET）来应对这些挑战。 本书特点： 本书的特点在于其“物理驱动工程”的教学理念。每一项工程应用背后，都紧密关联着一个或多个被深入剖析的物理模型。书中包含大量的数学推导、图示分析和精心设计的习题，确保读者不仅知其然，更知其所以然。对于致力于半导体设计与制造领域的工程师而言，本书是理解从原子到芯片全流程的关键参考书。

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售后服务和配套资源方面，这本书的表现简直是令人绝望。几乎找不到任何官方的支持材料，比如配套的习题解析或者教师用书的详细说明。网上的资源也几乎是零，遇到比较棘手的题目或者困惑的概念，想找个权威的解答都无从下手。这种缺乏后续支持的学习资料，对于自学者来说简直是致命的打击。一个完整的学习工具包，不应该只有冰冷的课本，还应该有相应的辅助工具来巩固和深化学习效果，很遗憾，这本书在这方面完全没有考虑周全。

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这本书的排版简直是灾难，简直让人怀疑是不是随便找了个初中生来排的。字体大小一会儿大一会儿小，间距也完全不统一，读起来眼睛非常费劲。更要命的是，很多公式和图表的位置都错位了，看着图的时候还得来回翻书才能找到对应的解释，效率低得令人发指。印刷质量也堪忧，有些页面的油墨深浅不一，有些地方甚至有点洇墨了，看着就让人心烦。如果能把排版和印刷好好整顿一下，至少能让读者在阅读体验上得到极大的提升。现在的感觉就像是在看一份未经校对的草稿，实在不应该出现在正规出版物中。

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我得说，这本书的内容深度实在是有点让人摸不着头脑。它似乎总是在概念的表面徘徊，对于一些关键的物理原理，比如牛顿第二定律或者动量守恒，讲解得过于浅尝辄止。读者读完之后，感觉只是“知道”了这些定律的存在，但对于它们背后的逻辑推导和深层应用却是一头雾水。例题的选择也比较保守，大多都是教科书级别的简单应用，缺少一些能真正激发思考、引导学生深入理解物理思想的综合性题目。对于想要打好扎实基础，甚至想要在后续学习中走得更远的同学来说，这本书提供的知识支撑显得有些单薄和不扎实。

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这本书的章节结构和逻辑推进简直是乱七八糟，让人完全无法形成一个连贯的知识体系。明明是相互关联的概念，却被生硬地割裂开来，放在毫不相关的章节里讲解，这让学习者很难将零散的知识点串联起来。比如，能量和功的概念混在一起讲，但对它们在不同系统中的适用边界却没有清晰的界定。读到后面发现前面漏掉了重要的前提条件，又不得不回头重读，这种来回拉扯的学习过程极大地消耗了学习的积极性。一本好的教材，应该引导读者步步为营，层层递进，但这本教材给我的感觉就是一路在迷宫里乱闯。

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这本书在对现代物理学前沿的一些简单介绍上，也处理得非常草率。虽然是高中必修内容，但适当提及一些引人入胜的、与我们日常经验有所不同的物理现象，可以极大地激发学生的学习兴趣。然而，这本书似乎完全沉浸在对经典力学的重复叙述中，缺乏一点点让人眼前一亮的创新或者展望。很多地方的语言都非常陈旧、刻板，读起来枯燥乏味，完全没有展现出物理学科的魅力所在。如果能用更生动、更贴近生活的例子来阐述那些抽象的定律，效果一定会好得多。

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