具体描述
《半导体器件基础》是一本微电子技术方面的入门书籍，全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章，首先介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。最后，作者讨论了场效应器件，除了讲解基础知识之外，还分析了小尺寸器件相关的物理问题，并介绍了一些新型场效应器件。全书内容丰富、层次分明，兼顾了相关知识的深度与广度，系统讲解了解决实际器件问题所必需的分析工具，并且提供了大量利用计算机实现的练习与习题。
《半导体器件基础》可作为微电子专业的本科生及研究生的教材或参考书，也是该领域工程技术人员的宝贵参考资料。
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读后感
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用户评价
这是一本对细节有着近乎偏执要求的著作。我对比了其他几本同类书籍，发现它在对“载流子输运机制”的区分上做得最为细致入微。它不仅清晰地区分了漂移（Drift）和扩散（Diffusion），还特意用一个独立章节来讨论在高电场下的“载流子饱和”现象，这解释了为什么大功率器件的输出电流不会无限增加。书中的数学推导，虽然涉及微积分和偏微分方程，但作者始终保持着对物理图像的坚守，每次推导完一个复杂的公式后，总会有一段文字总结这个公式在物理上代表了什么，限制条件又是什么。我个人对其中关于“介质的电导率”和“热平衡”的章节印象深刻，它将热力学与半导体物理完美地结合了起来，揭示了温度对器件性能的根本性影响，这在其他教材中往往只是草草带过。总而言之，阅读此书的过程，就像是进行一次精密的仪器校准，每一步操作都必须准确无误，最终才能得到可靠的测量结果。它培养的不是快速解决问题的能力，而是深入探究问题本质的习惯。
评分这是一本需要细细品味的“慢读”之作，完全不适合那种只想应付考试、囫囵吞枣的学习者。我尝试用它来快速查阅一些公式，结果发现，每当我试图跳过某个解释时，后面的内容就立刻变得晦涩起来。这本书的精髓在于其内在的连贯性。例如，它在第一章引入的半导体本征激发概念，在后续讨论PN结的耗尽区宽度和内建电场时，被反复调用并深化。作者巧妙地使用了大量的图示和示意图，这些图画得非常精美且信息量巨大，很多时候，我看图比看文字更能理解复杂的空间电荷分布。我尤其喜欢它对半导体器件的“小信号模型”的推导过程，它没有直接给出$pi$模型或者T模型，而是通过对直流工作点的微小扰动进行线性化处理，这个过程的每一步都清晰地展示了我们是如何从复杂的非线性世界过渡到易于分析的线性模型中的。这种教学方法，教会了我们如何科学地进行工程近似，而非盲目套用结论。读完此书，你会发现，你不仅仅是记住了公式，而是真正理解了“为什么”这些公式会是这样。
评分老实说，我本来以为这是一本枯燥的参考书，准备啃起来会非常痛苦，但翻开之后，我的看法彻底改变了。这本书的编排逻辑实在是太出色了，它仿佛一位经验丰富的老教授，知道该在哪个节点停下来，给我们这些“慢热型”的学习者喘息和消化。我特别欣赏它在介绍双极性晶体管（BJT）时所采用的“自底向上”的教学法。它没有急于给出复杂的转移特性曲线，而是先从载流子的注入和复合过程入手，一步步构建起对电流增益这一核心参数的直观理解。书中对少数载流子寿命和复合机制的探讨，深度适中，既保证了理论的严密性，又没有陷入纯粹的理论推导泥潭。更让我感到惊喜的是，在讲解二极管的整流特性时，作者竟然加入了一小节关于肖特基势垒的介绍，这在很多基础教材中是被忽略的细节，但它对于理解高频器件的性能至关重要。这种对细节的关注，体现了作者深厚的学术功底和对教学艺术的把握。读完这部分内容，我仿佛亲手搭建了一个微小的半导体世界，每一个电子和空穴的运动都变得清晰可见。
评分这本厚重的《半导体器件基础》拿到手里，沉甸甸的，光是封面设计就透着一股严谨和专业范儿。我一直对电子工程领域充满好奇，但又常常被那些晦涩难懂的术语吓退。然而，这本书的开篇并没有直接跳入复杂的物理模型，而是用一种近乎讲故事的方式，娓娓道来半导体材料的发现历史，以及它如何一步步改变了我们现代社会的面貌。阅读过程中，我发现作者在讲解PN结、晶体管等核心概念时，总能找到非常形象的比喻，比如用水流的阻力来类比电子的导通和截止，这对于我这种非科班出身的读者来说，简直是福音。特别是书中关于MOSFET工作原理的阐述，层次分明，从基本的能带理论过渡到实际的器件结构，每一步的推导都清晰可见，让我这个初学者也能跟上思路，而不是被公式淹没。这本书的价值不仅仅在于知识的传授，更在于它建立了一种结构化的思维方式，让人明白，那些我们日常使用的手机、电脑，背后是如此精妙的物理定律在支撑。我特别喜欢其中穿插的一些工程应用实例，它们将理论知识与实际生产紧密结合，让人感觉手中的书本不再是冰冷的教科书，而是一把打开未来科技之门的钥匙。
评分与其他市面上动辄堆砌高级数学模型的教材相比，这本《半导体器件基础》显得格外“接地气”。它可能在某些前沿研究领域（比如FinFET的最新工艺节点）的讨论上略显保守，但对于奠定坚实的理论基础来说，它的价值是无可替代的。我最欣赏它的实用主义倾向。书中对器件的“缺陷”和“非理想特性”的讨论非常深入，比如对热效应、漏电流、以及制造工艺带来的杂质影响的分析，都给予了足够的篇幅。这使得我在阅读时，脑海中浮现的不再是教科书上那些完美的、真空环境下的理想器件，而是真实世界中，那些需要不断优化和改进的工程实体。比如，在讲解MOS电容的CV曲线时，它不仅展示了理想的曲线形态，还详细分析了掺杂浓度不均和界面陷阱电荷如何导致曲线的拖尾和位移，这对于从事器件表征或工艺集成工作的人来说，是极其宝贵的经验总结。这本书的语言风格非常沉稳、客观，没有花哨的辞藻，每一个句子都像是在陈述一个经过严格验证的事实，让人读起来感到由衷的信服和踏实。
评分皮埃罗这本书前面讲物理基础讲得很好，后面部分不如尼曼。另外这书是04年出了一次就绝版了？图书馆好不容易才借到。
评分讲述半导体器件的物理图景，这有助于我们将芯片产业去神秘化。不要以为看不见的就神秘，没有什么可神秘的，就是之前你没发现而已。
评分看的晕了对上学期考试帮助甚小。
评分有点儿基础，不过还行吧。。翻译有错的地方。
评分看的晕了对上学期考试帮助甚小。
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